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[发明专利]一种基于MIS太阳能电池结构的微纳机器人及其制备方法和应用-CN202210409112.7有效
发明人：王吉壮;高宇昕;李丹 -专利权人：暨南大学
申请日： 2022-04-19 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01L31/062 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于MIS太阳能电池结构的微纳机器人及其制备方法和应用，属于微纳机器人技术领域；所述微纳机器人为核壳硅纳米线结构，制备方法包括：利用光刻工艺在硅片上制备光刻胶的点阵，之后利用湿法刻蚀工艺制备硅纳米线阵列，采用热氧化法在所得硅纳米线阵列表面得到绝缘层，然后在所述绝缘层上蒸镀磁性金属层，并利用热氧化法部分氧化所述磁性金属层得到金属氧化物作为催化剂层；本发明提供的微纳机器人在保证可见光驱动效率的前提下，也能有效利用外部磁场实现对微纳机器人方向的有效控制，为靶向药物输送、微区物体运输以及光神经调节等提供了很好的应用前景。
一种基于 mis 太阳能电池结构机器人及其制备方法应用

[发明专利]包括等离子体激元谐振器的混合传感器-CN202080085114.4在审
发明人： A.福尔克;S.扎法尔 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2020-12-02 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L31/062 文献下载
摘要：一种半导体结构，包括连接半导体衬底(312)上的源极(302)和半导体衬底(312)上的漏极(304)的沟道(310)，其中沟道(310)包括等离子体激元谐振器。一种传感器，包括等离子体激元膜、半导体结构和等离子体激元膜与半导体结构的栅极之间的电连接，其中等离子体激元膜包括对已知分析物的敏感性，半导体结构包括场效应晶体管的源极(302)和漏极(304)。一种形成传感器的方法，包括在半导体衬底(312)上形成场效应晶体管(“FET”)，该场效应晶体管包括源极(302)、漏极(304)和栅极，其中该栅极包括等离子体激元谐振器。
包括等离子体谐振器混合传感器

[发明专利]一种MIS-硅异质结太阳电池及其制备方法-CN202010009879.1有效
发明人：汤叶华;王科范 -专利权人：河南大学
申请日： 2020-01-06 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： H01L31/062 文献下载
摘要：本申请公开一种MIS‑硅异质结太阳电池及其制备方法，所述一种MIS‑硅异质结太阳电池，包括载流子传输层(M)、载流子遂穿层(I)和半导体吸收层(S)。所述载流子传输层(M)由前表面载流子传输层(FM)和背表面载流子传输层(BM)构成，所述载流子遂穿层(I)由前表面钝化层(FI)和背表面钝化层(BI)构成，所述半导体吸收层(S)为半导体硅片材料。所述MIS‑硅异质结太阳电池的制备流程为：硅片(S)选取→硅片表面腐蚀、清洗→载流子遂穿层(I)制备→载流子传输层(M)沉积。
一种 mis 硅异质结太阳电池及其制备方法

[发明专利]一种MIS结构太阳电池及其制备方法-CN201810541130.4在审
发明人：张曙光;温雷;李国强;高芳亮;徐珍珠;余粤锋 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2018-05-30 - 公布日： 2018-09-07 - 主分类号： H01L31/062 文献下载
摘要：本发明属于太阳电池的技术领域，公开了一种MIS结构太阳电池及其制备方法。所述MIS结构太阳电池，由下至上依次包括背电极、GaAs层、硫醇单分子膜层、二硫化钼层以及顶电极。所述硫醇单分子膜层为单层有序自组装硫醇单分子膜层，硫醇在GaAs层的上表面通过自组装形成单分子膜层；所述硫醇为18硫醇或12硫醇中一种以上。本发明解决了GaAs和二硫化钼之间的界面问题，制备出的MIS结构太阳电池，有效降低了复合速率，提高了太阳电池的光电转换效率。本发明的MIS结构太阳电池制备方法简单有效，并使电池光电转换效率增强效果明显。
硫醇制备硫醇单分子膜光电转换效率自组装单分子膜层二硫化钼层二硫化钼界面问题背电极顶电极上表面单层电池复合

[发明专利]用于图像传感器的包括二重或者四重硅纳米线的全色彩单个像素-CN201180065814.8有效
发明人：穆尼布·沃贝尔 -专利权人：立那工业股份有限公司
申请日： 2011-12-13 - 公布日： 2013-10-02 - 主分类号： H01L31/062 文献下载
摘要：一图像传感器包括一个基板和基板上的一个或多个像素。该像素中有子像素，包含对于不同色彩的光具有敏感的纳米线。该纳米线功能性的将其敏感的色彩的光转换成电信号。
用于图像传感器包括二重或者四重硅纳米色彩单个像素

[发明专利]在管线化电荷畴信号处理电路中的共模电荷控制-CN200880004552.2有效
发明人： M·P·安东尼 -专利权人：肯耐特股份有限公司
申请日： 2008-02-08 - 公布日： 2010-01-13 - 主分类号： H01L31/062 文献下载
摘要：在差分式斗链器件(BBD)管线中必须要由正当电路功能在每个管线级处将共模电荷维持在可接受的范围内。本发明的实施例用于减少差分式电荷畴管线中的共模电荷变动。根据一个或更多个测得的特性调节管线的给定级处的共模电荷，从而控制整个差分式电荷畴管线的共模电荷变动。
管线电荷信号处理电路中的控制

[发明专利]光敏感面积与光不敏感面积的比例增加的光电二极管-CN200780014826.1有效
发明人：罗宾·威尔逊;康纳尔·布罗冈;休·J·格里芬;科马克·麦克纳马拉 -专利权人：艾斯莫斯技术有限公司
申请日： 2007-03-02 - 公布日： 2009-06-03 - 主分类号： H01L31/062 文献下载
摘要：一种光电二极管，其具有增加的光敏感面积与光不敏感面积的比例，该光电二极管包括具有后侧表面和光敏感前侧表面的半导体。该半导体包括具有第一导电性的第一有源层、具有与第一导电性相反的第二导电性的第二有源层以及将第一和第二有源层分开的本征层。多个隔离沟槽设置为将光电二极管分成多个单元。每个单元都具有包括对光敏感的单元有源前侧面积和对光不敏感的单元无源前侧面积的总前侧面积。单元有源前侧面积构成单元总前侧面积的至少95％。还公开了形成该光电二极管的方法。
敏感面积比例增加光电二极管

[发明专利]用于铁电薄膜装置的钝化结构-CN200680034918.1有效
发明人：俪云·V·陈 -专利权人：安捷尔射频公司
申请日： 2006-09-12 - 公布日： 2008-10-15 - 主分类号： H01L31/062 文献下载
摘要：本发明描述铁电薄膜装置，其包含钝化结构以减少或控制两个电极之间且沿着铁电薄膜层与钝化层之间的界面的泄漏路径。本发明还揭示用于制造所述装置的方法。所述钝化结构包含第一钝化层(140，图2)，其包含开口(205)，所述开口暴露所述铁电薄膜层(125)的一部分从而允许第二钝化层(145)通过所述开口接触所述薄膜层(125)。在示范性实施例中，所述开口是围绕电容器的有源区的矩形环(505，图6D)。在另一示范性实施例中，所述第二钝化层还接触第二电极，所述第二电极的一部分也通过所述开口暴露。在另一示范性实施例中，电流在集成电阻器(975，图9A)中沿着所述薄膜层与所述钝化层之间的界面流动。
用于薄膜装置钝化结构

[发明专利]具有复合导电基底的光电子结构-CN200680006141.8有效
发明人：詹姆斯·R·希茨;萨姆·高;格雷戈里·米勒;马丁·R·罗司挈森 -专利权人：纳米太阳能公司
申请日： 2006-01-20 - 公布日： 2008-02-20 - 主分类号： H01L31/062 文献下载
摘要：本发明公开了光电子装置模块、阵列光电子装置模块和光电子装置模块的制造方法。该装置模块使用起始基底制成，该起始基底具有夹在由挠性块体导体制成的底部电极和导电底板之间的绝缘层。活性层位于底部电极和透明导电层之间。透明导电层和底板之间的一个或多个电接触件形成为穿过透明导电层、活性层、挠性块体导体和绝缘层。电接触件与活性层、底部电极和绝缘层电隔离。
具有复合导电基底光电子结构

[发明专利]镶嵌铜布线图像传感器-CN200580035823.7有效
发明人：詹姆斯·W.·阿德金森;杰弗里·P.·加比诺;马克·D.·加菲;罗伯特·K.·莱迪;安东尼·K.·斯坦博 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2005-11-18 - 公布日： 2007-09-26 - 主分类号： H01L31/062 文献下载
摘要：一种CMOS图像传感器阵列(100)及其制造方法，其中所述传感器包括铜(Cu)金属化层(M1、M2)，允许结合具有改善的厚度均匀性的更薄的层间电介质叠层(130a－c)以获得光敏度提高的像素阵列。在传感器阵列中，每一个Cu金属化层包括形成在每一个阵列像素之间的位置的Cu金属布线结构(135a、135b)。阻挡材料层(132a、132b)形成在横越像素光路的每一个Cu金属布线结构的顶部。通过实施单掩模或自对准掩模方法，执行单次蚀刻以彻底地去除横越所述光路的阻挡层和层间电介质。然后用电介质材料(150)再填充蚀刻的开口(51)。在淀积再填充电介质之前，反射层或吸收材料层(140)沿着蚀刻开口的侧壁形成以通过反射光到下伏的光电二极管(18)或通过消除光反射来提高像素的灵敏度。
镶嵌布线图像传感器

[发明专利]全硅化金属栅极-CN200580022861.9有效
发明人：格伦·A·比利;米切尔·L·斯廷 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2005-03-10 - 公布日： 2007-06-13 - 主分类号： H01L31/062 文献下载
摘要：本发明提供一种包括全硅化金属栅极以及硅化源极和漏极区的先进栅极结构，其中全硅化金属栅极具有大于硅化源/漏极区厚度的厚度。本发明也提供形成该先进栅极结构的方法。
全硅化金属栅极

[发明专利]高密度和高编程效率的MRAM设计-CN200480003686.4无效
发明人： D·曾 -专利权人：磁旋科技公司
申请日： 2004-02-02 - 公布日： 2006-03-15 - 主分类号： H01L31/062 文献下载
摘要：公开了用于提供磁存储器的方法和系统。磁存储器包括磁性元件。磁性元件位于第一和第二写线的交叉点，并通过使用第一写线和第二写线被写入。定向第二写线使其与第一写线成一角度。第二写线具有顶部和至少一个侧面。第二写线的至少一部分由绝缘层覆盖。磁性层覆盖了绝缘层的一部分。绝缘层的该部分位于磁性层与第二写线之间。磁性层包含软磁材料。
高密度编程效率 mram 设计

[发明专利]象素式图像传感器-CN03823440.8有效
发明人：赵立新 -专利权人：赵立新
申请日： 2003-08-02 - 公布日： 2005-10-19 - 主分类号： H01L31/062 文献下载
摘要：象素式图像传感器包括横向光电二极管和纵向溢出系统。根据本发明的至少一个实施例，一个图像传感器的象素包括一个横向光电二极管和一个纵向溢出系统。这个纵向溢出系统将横向光电二极管的电荷收集区积累的多余电荷排出，而且对横向光电二极管的电荷收集区进行复位。
象素图像传感器

[发明专利]一种光感受器-CN88102717.0无效
发明人：埃米尔·卡米恩尼克基;威廉·C·戈德法布 -专利权人：光学诊断系统有限公司
申请日： 1988-05-03 - 公布日： 1991-04-17 - 主分类号： H01L31/062 文献下载
摘要：在绝缘材料薄片或薄层上形成的静电潜象的无损读出方法和设备。半导体材料薄片或薄层设置于相对靠近该绝缘材料的附近。在该绝缘材料上形成的静电潜象在该半导体材料表面上感生表面耗尽层。当用适当波长的低光强调制后的光束对该半导体材料扫描时，就将在该半导体材料上所储存的各电荷位置和分布状况作为相当于在该半导体材料上所感生的交流表面光电压的模拟电信号而读出，模拟信号的幅值取决于本身的电荷密度。该模拟电信号转换成数字信号，经处理后储存和/或显示出来。
一种光感受器

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