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[发明专利]一种耐压双极晶体管及其制作方法-CN201810413790.4有效
发明人：樊庆扬;张文柱;卫铭斐 -专利权人：西安建筑科技大学
申请日： 2018-05-03 - 公布日： 2021-01-01 - 主分类号： H01L29/735 文献下载
摘要：本发明公开了一种耐压双极晶体管及其制作方法，主要解决现有双极晶体管在EMP环境中抵抗能力弱、耐压值低的问题。其包括衬底(1)、重掺杂集电区(2)、外延层(3)、基区(4)、发射区(5)、SiO2层(6)、SiO2沟槽和通孔。重掺杂集电区为圆筒状，位于外延层中，且将外延层分为圆筒内外延层和圆筒外外延层两部分；圆筒内外延层包含圆柱形基区以及与发射区结深相同的SiO2沟槽；基区中包含圆环状的发射区。本发明方法有效降低了发射结之上的电流集边效应，从而提高了集电结的耐压特性；解决了现有技术中只针对特定输入输出端进行防护不能改善晶体管整体耐压特性的问题，实现了从整体上提升晶体管可靠性的目。
一种耐压双极晶体管及其制作方法

[发明专利]一种BJT器件结构及其制作方法-CN202010729800.2在审
发明人：郭新;周晓君;王海涛 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2020-07-27 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： H01L29/735 文献下载
摘要：本发明提供一种BJT器件结构及其制作方法，P阱、将P阱隔离为发射区下方的P阱和基区的P阱；发射区下方的P阱上设有第一N+区；基区的P阱上设有P+区；第一N+区上表面设有环绕第一N+区边缘的SAB环形层，该SAB环形层向外延伸至第一STI区上表面；第一N+区上表面、SAB环形层内设有至少一个SAB块型结构；环绕基区的集电区，集电区与所述基区之间设有将基区和集电区相互隔离的第二STI区；集电区由位于衬底上的N阱和位于所述N阱上的第二N+区构成。本发明通过发射极区域增加SAB区域，电流的集边效应会使部分发射极电流聚集在SAB区域硅表面处，中和部分基区电流，降低基区复合电流，达到增加双极型晶体管电流增益的效果。
一种 bjt 器件结构及其制作方法

[发明专利]具有高电流驱动能力的横向双极结型晶体管-CN201510289441.2有效
发明人：宋贤旻 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2015-05-29 - 公布日： 2020-09-22 - 主分类号： H01L29/735 文献下载
摘要：一种双极结型晶体管包括共用基极区；多个发射极区，其被设置在所述共用基极区中并且在第一对角线方向上被排列成彼此间隔开的；以及多个集电极区，其被设置在所述共用基极区中并且在所述第一对角线方向上被排列成彼此间隔开的。所述多个发射极区以及多个集电极区在第二对角线方向上交替地排列。
具有电流驱动能力横向双极结型晶体管

[发明专利]双极晶体管的制作方法-CN201711366256.4有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：南京溧水高新创业投资管理有限公司
申请日： 2017-12-18 - 公布日： 2020-08-28 - 主分类号： H01L29/735 文献下载
摘要：一种双极晶体管的制作方法包括：提供P型衬底，形成N型埋层、N型外延层、隔离沟槽、N阱、氧化层、第一开口；在氧化层及第一开口处的N型外延层上形成第一多晶硅，对第一多晶硅进行P型注入；对第一多晶硅进行表面氧化形成氧化硅层；对氧化硅层进行光刻及腐蚀，去除氧化层上的部分第一多晶硅上的氧化硅层；在第一多晶硅及氧化硅层上形成第二多晶硅；对第二多晶硅及第一多晶硅进行光刻与刻蚀，去除氧化层上的部分第一多晶硅及第二多晶硅；去除N型外延层上的部分第二多晶硅及部分氧化硅层，从而形成贯穿第二多晶硅及氧化硅层的第二开口；对第二开口处的第一多晶硅进行热氧化形成氧化物；去除氧化物。
双极晶体管制作方法

[发明专利]一种双极结型晶体管器件及其制造方法、电子产品-CN202010487354.9在审
发明人：李昆翔 -专利权人：吉林华微电子股份有限公司
申请日： 2020-06-02 - 公布日： 2020-08-25 - 主分类号： H01L29/735 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种双极结型晶体管器件及其制造方法、电子产品。本申请实施例中，所述双极结型晶体管器件包括基于基底制作形成的第一电极区、第二电极区、以及结终端扩展区。所述结终端扩展区位于所述第一电极区和所述第二电极区之间并与所述第一电极区邻接。其中，所述结终端扩展区包括间隔分布的多个扩散区域，且该多个扩散区域各自的宽度从所述第一电极区往所述第二电极区的方向依次减小。经试验验证，本申请实施例提供的双极结型晶体管器件相比较传统JTE结构的双极结型晶体管器件，HTRB稳定性更好、制造工艺流程更容易控制、同时电场尖峰强度更低、电压稳定性更好。
一种双极结型晶体管器件及其制造方法电子产品

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202010357586.2在审
发明人：冯荣杰 -专利权人：杭州士兰微电子股份有限公司
申请日： 2020-04-29 - 公布日： 2020-08-18 - 主分类号： H01L29/735 文献下载
摘要：本申请公开了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：衬底；外延层，位于衬底上；绝缘层，位于外延层上；轻掺杂区，位于外延层中；以及导电层，位于绝缘层中，通过引线与轻掺杂区连接。该半导体器件通过设置轻掺杂区和导电层，减小了耗尽线的弯曲程度，进一步减小了耗尽线终端的弯曲程度，延长了耗尽线的长度，从而减小了场强，进而达到了提高半导体器件耐压程度的目的。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202010357589.6在审
发明人：冯荣杰 -专利权人：杭州士兰微电子股份有限公司
申请日： 2020-04-29 - 公布日： 2020-08-18 - 主分类号： H01L29/735 文献下载
摘要：本申请公开了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：衬底；外延层，位于衬底上；绝缘层，位于外延层上，具有多个接触孔；隔离区，位于外延层中，从外延层的上表面延伸至衬底的上表面；第一轻掺杂区，位于外延层中并且从隔离区内部横向延伸至外延层中，第一轻掺杂区超出隔离区第一预定长度；以及第一导电层，位于绝缘层上，并且位于第一轻掺杂区上方，横向超出第一轻掺杂区第三预定长度，其中，第一引线经由接触孔与第一轻掺杂区相连。该半导体器件通过设置第一轻掺杂区和第一导电层，减小了耗尽线的弯曲程度，进一步减小了耗尽线终端的弯曲程度，延长了耗尽线的长度，从而减小了场强，进而达到了提高半导体器件耐压程度的目的。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种基区环掺杂抗辐射横向PNP晶体管及制备方法-CN201911114870.0在审
发明人：赵杰;薛东风;薛智民;孙有民;王清波;卓青青;杜欣荣 -专利权人：西安微电子技术研究所
申请日： 2019-11-14 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： H01L29/735 文献下载
摘要：本发明公开了一种基区环掺杂抗辐射横向PNP晶体管及制备方法，在通过传统形成横向PNP晶体管结构之后，通过光刻胶掩蔽注入的方法在横向PNP晶体管N型基区表面进行一次N型杂质注入，在N型基区表面形成一个环形的N+掺杂区，将横向PNP晶体管的基区宽度Wb所在位置由N型外延层表面推向N型外延层体内。当基区环结构的横向PNP晶体管处于总剂量辐照环境中时，虽然氧化层中正电荷积累会导致P型集电区的耗尽和反型以及P型发射区表面的耗尽和反型，但由于基区宽度Wb位置已下移至P型集电区的耗尽和反型和P型发射区表面的耗尽和反型下方，所以并不会影响横向PNP晶体管的基区宽度，故这种基区环结构横向PNP晶体管具有较强的抗总剂量辐射能力。
一种基区环掺杂辐射横向 pnp 晶体管制备方法

[发明专利]绝缘体上硅(SOI)衬底上的横向双极结型晶体管(BJT)-CN201511016820.0有效
发明人：柳青 -专利权人：意法半导体公司
申请日： 2015-12-29 - 公布日： 2019-12-24 - 主分类号： H01L29/735 文献下载
摘要：一种双极型晶体管由包括叠置于绝缘层上的半导体层的衬底支撑。晶体管基极由在该半导体层中的以第一掺杂浓度掺杂有第一导电类型掺杂物的基区形成。晶体管发射极和集电极由掺杂有第二导电类型掺杂物并且位于邻近于该基区的相对两侧的区形成。非本征基极包括与该基区的顶表面相接触的外延半导体层。该外延半导体层以大于该第一掺杂浓度的第二掺杂浓度掺杂有该第一导电类型掺杂物。在该非本征基极的每一侧上的侧壁间隔物包括在该外延半导体层的一侧和该基区的顶表面上的氧化物层。
绝缘体 soi 衬底横向双极结型晶体管 bjt

[实用新型]一种改善结终端延伸结构三极管可靠性的器件结构-CN201920574167.7有效
发明人：许柏松;吴丹;沈晓东;王金富;徐永斌;叶新民 -专利权人：江阴新顺微电子有限公司
申请日： 2019-04-25 - 公布日： 2019-11-19 - 主分类号： H01L29/735 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种改善结终端延伸结构三极管可靠性的器件结构及其制造方法，属于集成电路或分立器件制造技术领域。包括N+重掺杂衬底，N+重掺杂衬底上设有高阻层；高阻层上设有P‑型终端结构，P‑型终端结构内设有基区有源区，基区有源区内部设有N+型发射极，高阻层上还设有N+型，N+型、基区有源区和P‑型终端结构上分别设有第一屏蔽层，第一屏蔽层上开设N+型引线孔、基区有源区引线孔和P‑型终端结构引线孔，基区有源区引线孔和P‑型终端结构引线孔上分别设有连接层，N+型引线孔上设有第二屏蔽层，连接层与第二屏蔽层上设有保护层，保护层上设有PAD区。本申请保证在超结温下结终端三极管的击穿不发生退化，提高了芯片的可靠性和合封器件的安全性。
引线孔终端结构基区源区高阻层第二屏蔽层第一屏蔽层保护层连接层三极管重掺杂衬底结终端延伸结构本实用新型分立器件器件结构发射极结终端超结击穿集成电路制造退化芯片申请保证

[发明专利]一种改善结终端延伸结构三极管可靠性的器件结构及其制造方法-CN201910337740.7在审
发明人：许柏松;吴丹;沈晓东;王金富;徐永斌;叶新民 -专利权人：江阴新顺微电子有限公司
申请日： 2019-04-25 - 公布日： 2019-07-12 - 主分类号： H01L29/735 文献下载
摘要：本发明涉及一种改善结终端延伸结构三极管可靠性的器件结构及其制造方法，属于集成电路或分立器件制造技术领域。包括N+重掺杂衬底，N+重掺杂衬底上设有高阻层；高阻层上设有P‑型终端结构，P‑型终端结构内设有基区有源区，基区有源区内部设有N+型发射极，高阻层上还设有N+型，N+型、基区有源区和P‑型终端结构上分别设有第一屏蔽层，第一屏蔽层上开设N+型引线孔、基区有源区引线孔和P‑型终端结构引线孔，基区有源区引线孔和P‑型终端结构引线孔上分别设有连接层，N+型引线孔上设有第二屏蔽层，连接层与第二屏蔽层上设有保护层，保护层上设有PAD区。本申请保证在超结温下结终端三极管的击穿不发生退化，提高了芯片的可靠性和合封器件的安全性。
引线孔终端结构基区源区高阻层三极管结终端延伸结构第二屏蔽层第一屏蔽层器件结构保护层连接层重掺杂衬底制造分立器件发射极结终端超结击穿集成电路退化芯片申请保证

[发明专利]在有源装置区中具有埋入介电区的双极结晶体管-CN201610465839.1有效
发明人： R·卡米洛卡斯蒂略;V·贾殷;M·H·哈提尔 -专利权人：格罗方德半导体公司
申请日： 2016-06-23 - 公布日： 2019-05-21 - 主分类号： H01L29/735 文献下载
摘要：本发明涉及一种在有源装置区中具有埋入介电区的双极结晶体管。一种双极结晶体管的装置结构及制造方法。形成沟槽隔离区沿侧壁环绕有源装置区。形成介电区从该有源装置区的侧壁横向延伸进入该有源装置区。该介电区位于该有源装置区的顶面之下，使得该有源装置区的一部分位于该顶面及该介电区之间。
有源装置具有埋入介电区结晶体

[发明专利]ESD晶体管-CN201410235408.7有效
发明人：黄京镇 -专利权人：美格纳半导体有限公司
申请日： 2014-05-29 - 公布日： 2019-05-14 - 主分类号： H01L29/735 文献下载
摘要：本发明提供了一种ESD晶体管。该ESD晶体管包括：在衬底上的集电极区；在衬底上的基极接触区；分离于基极接触区的发射极区；在集电极区垂直下方设置的下沉区；以及在下沉区之下水平设置的埋层。
esd 晶体管

[发明专利]一种小功率抗辐射晶体管芯片及制备方法-CN201811383553.4在审
发明人：赵志桓;张礼;安兆嵬;王传超;韩镒戎;田鑫浩;路凯歌;郭英华 -专利权人：山东农业工程学院
申请日： 2018-11-20 - 公布日： 2019-03-19 - 主分类号： H01L29/735 文献下载
摘要：本发明公开了一种小功率抗辐射晶体管芯片及制备方法，由基区、发射区、发射区键合点和基区键合点组成，基区的轮廓为葫芦形，基区一端的轮廓为大圆弧，基区另一端的轮廓为小圆弧，大圆弧的半径大于小圆弧的半径，基区位于大圆弧区域的表面由下向上依次设有发射区、发射区键合点，基区位于小圆弧区域的表面设有基区键合点，发射区、发射区键合点和基区键合点均位于基区的同一侧表面，基区的另一侧表面与基底接触，发射区、发射区键合点和基区键合点的轮廓均为圆形，基区的大圆弧半径、发射区的半径、发射区键合点的半径依次减小，基区的小圆弧半径、基区键合点的半径依次减小，发射区、基区和基底均为半导体层。本发明提供的芯片具有抗辐射能力。
基区发射区键合点大圆弧小圆弧抗辐射晶体管芯片依次减小小功率制备半导体层基底接触葫芦形基底芯片

[发明专利]横向三极管及其制作方法-CN201811286465.2在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：深圳市富裕泰贸易有限公司
申请日： 2018-10-31 - 公布日： 2019-03-08 - 主分类号： H01L29/735 文献下载
摘要：本发明公开了一种横向三极管及其制作方法，该横向三极管的形成过程包括：在衬底的上表面生长第二导电类型的第一外延层；形成贯穿第一外延层且底部连接衬底的发射极沟槽；在发射极沟槽的侧壁和底壁的表面生长第一导电类型的第二外延层；在第一外延层内形成集电极沟槽；形成位于发射极沟槽内的发射极多晶硅层和位于集电极沟槽内的集电极多晶硅层；进行高温快速热退火处理，形成位于第二外延层内的第二导电类型的发射区和位于第一外延层内的第二导电类型的集电极接触区；形成连接发射极多晶硅层的发射极和连接集电极多晶硅层的集电极；在衬底的下表面形成基极。该横向三极管的电流放大系数便于调节、且三极管的参数的一致性好、电流能力可调。
外延层集电极横向三极管发射极沟槽导电类型衬底发射极多晶硅层多晶硅层高温快速热退火第一导电类型电流放大系数集电极接触表面生长底部连接电流能力一致性好发射极发射区三极管上表面下表面侧壁底壁可调制作生长贯穿