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- [发明专利]基于无线远程控制的数据采集系统及方法-CN202310218006.5在审
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樊庆扬;高恒;卫铭斐
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西安建筑科技大学
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2023-03-08
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2023-05-30
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H04W4/38
- 本发明公开了一种基于无线远程控制的数据采集系统及方法，主要解决现有技术中采用有线连接设备进行数据采集存在较大损耗，人工成本高、效率低的问题。方案包括：通信控制和数据收集两部分；其中通信控制部分分为本端通信控制单元与远端通信控制单元，且二者均由控制设备、控制模块及通信模块组成，二者之间通过各自的通信模块，采用无线传输方式实现信息交互；数据收集部分由数据采集模块和反馈模块构成，反馈模块嵌入在远端通信控制单元中，对数据采集模块自身参数和所采集到的数据进行收集并上报。本发明实现了传感器数据的实时上报，且系统搭建成本低、损耗小，能够有效提升数据传输速率，可用于实际环境恶劣的工程现场开展采集工作。
- 基于无线远程控制数据采集系统方法
- [发明专利]一种NPN功率SiGe双极晶体管及其制作方法-CN202111492685.2在审
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樊庆扬;刘恒;卫铭斐;李屹爽;高恒
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西安建筑科技大学
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2021-12-08
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2022-03-15
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H01L29/06
- 本发明公开了一种NPN功率SiGe双极晶体管及其制作方法，主要解决传统双极晶体管击穿电压不高、耐压值低且制作工艺复杂的问题。方案为：双极晶体管器件自下而上包括衬底(1)、漂移区(2)、圆筒状外延层(3)，圆筒内漂移区上为重掺杂集电区(4)、孔径层(5)和电流阻挡层(6)、基极接触区(7)、基区(8)以及发射区(9)；首先在N+型SiGe衬底上外延N‑型SiGe半导体材料形成漂移层，然后在其上通过化学气相垫积形成外延层，再采用离子注入形成重掺杂集电区，外延N型SiGe半导体材料形成孔径层并利用掩膜在其左右两侧制作电流阻挡层，最后在基极接触区通过注入不同离子形成基区与发射区，在其上表面制作电极并使用等离子体增强化学气相沉淀技术形成保护层，得到SiGe双极晶体管。本发明能够有效提高集电结的耐压特性、器件的击穿电压及频率特性，且制作工艺简单、易于实现。
- 一种npn功率sige双极晶体管及其制作方法
- [发明专利]一种耐压双极晶体管及其制作方法-CN201810413790.4有效
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樊庆扬;张文柱;卫铭斐
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西安建筑科技大学
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2018-05-03
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2021-01-01
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H01L29/735
- 本发明公开了一种耐压双极晶体管及其制作方法，主要解决现有双极晶体管在EMP环境中抵抗能力弱、耐压值低的问题。其包括衬底(1)、重掺杂集电区(2)、外延层(3)、基区(4)、发射区(5)、SiO2层(6)、SiO2沟槽和通孔。重掺杂集电区为圆筒状，位于外延层中，且将外延层分为圆筒内外延层和圆筒外外延层两部分；圆筒内外延层包含圆柱形基区以及与发射区结深相同的SiO2沟槽；基区中包含圆环状的发射区。本发明方法有效降低了发射结之上的电流集边效应，从而提高了集电结的耐压特性；解决了现有技术中只针对特定输入输出端进行防护不能改善晶体管整体耐压特性的问题，实现了从整体上提升晶体管可靠性的目。
- 一种耐压双极晶体管及其制作方法
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