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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]存储器及存储器的制作方法-CN202110580689.X在审
发明人：王路广 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-05-26 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本发明提供一种存储器及存储器的制作方法，涉及存储设备技术领域，用于解决存储器良率较低的技术问题。该存储器包括：基底，基底包括核心区和设置在核心区外的外围区；设置在核心区上的第一电容结构，第一电容结构包括多个电容器和覆盖多个电容器的第一导电层；设置在外围区上的外围电路；覆盖第一导电层的第一介质层；覆盖第一介质层的第二导电层，且第二导电层与外围电路电连接。通过在存储器中形成与电容器电连接的稳压电容结构，稳压电容结构为电容器提供持续稳定的电压，无需形成相关技术中的第一接触窗和第二接触窗，即无需开窗，从而避免了第一接触窗或第二接触窗出现未开窗或者过刻蚀现象，提高了存储器的良率。
存储器制作方法

[发明专利]一种半导体结构及其制作方法-CN202110583024.4在审
发明人：宛强;夏军;占康澍;徐朋辉;李森;刘涛 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-05-27 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本公开是关于一种半导体结构及其制作方法，其中，半导体结构包括：衬底；电容接触结构，位于衬底内，电容接触结构具有容置部，容置部包括容置体和至少一个容置口；电容结构，包括下电极，下电极包括至少一个插入部，插入部与容置口对应设置，插入部位于容置口中，容置体与插入部连接。本公开中，电容结构与电容接触结构形成插入式连接，增加了电容结构与电容接触结构的接触面积，提升了电容结构与电容接触结构之间的连接可靠性，同时，提高了电容结构的稳定性。
一种半导体结构及其制作方法

[发明专利]半导体存储器件-CN202210591218.3在审
发明人：金恩靓;金孝燮;崔宰福;安容奭;安濬爀;李基硕;李明东;崔允荣 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-05-26 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：一种半导体存储器件，包括：器件隔离图案，在衬底上并限定第一有源部分；在第一有源部分上的第一存储节点焊盘；在衬底中并延伸跨过第一有源部分的字线；在第一存储节点焊盘上并跨越字线的位线；在位线的一侧上并与第一存储节点焊盘相邻的存储节点接触；以及在存储节点接触和第一存储节点焊盘之间的欧姆接触层。欧姆接触层的底表面被圆化。
半导体存储器件

[发明专利]半导体器件与其的制造方法-CN201610951558.7有效
发明人：陈英儒;苏安治;吴集锡;余振华;叶德强;陈宪伟 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-10-27 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L27/105 文献下载
摘要：一种半导体器件结构的制造方法包括在第一器件与第二器件之间形成结合体或接点。第一器件包括集成无源器件及设置在其上的第一接触垫。第二器件包括第二接触垫。第一接触垫具有带有第一横向范围的第一表面。第二接触垫具有带有第二横向范围的第二表面。第二横向范围的宽度小于第一横向范围的宽度。接点结构包括第一接触垫、第二接触垫以及夹置于第一接触垫与第二接触垫之间的焊料层。焊料层具有锥形侧壁，且锥形侧壁在从第一接触垫的第一表面远离而朝向第二接触垫的第二表面的方向上延伸。第一表面或第二表面中的至少一者实质上是平坦的。
半导体器件与其制造方法

[实用新型]半导体存储器-CN202221918981.4有效
发明人：张钦福;颜逸飞;冯立伟 -专利权人：福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2022-07-22 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本申请公开一种半导体存储器，能够提高所述半导体存储器的出厂良率，延长所述半导体存储器的使用寿命。所述半导体存储器包括：衬底；多根位线，平行设置于衬底上；多个虚拟位线，平行于所述位线长度方向，设置于衬底上，位于所述位线的外围，且所述虚拟位线在第一方向上的宽度大于所述位线在第一方向上的宽度，所述第一方向垂直于所述位线长度方向，并平行于所述衬底表面；多个接触窗，交错的设置于所述位线以及所述虚拟位线在长度方向上的两端，每一位线和虚拟位线均通过一所述接触窗获取外界电位，或将自身电位引出至外界，且任意两个在所述第一方向上相邻的所述接触窗的距离相等。
半导体存储器

[发明专利]集成器件、电子设备及集成器件的制作方法-CN202211013139.0在审
发明人：丁凯文;朱恩成;周汪洋;胡洪;陈磊;张强;王栋杰 -专利权人：歌尔微电子股份有限公司
申请日： 2022-08-23 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H01L27/10 文献下载
摘要：本发明提供一种集成器件、电子设备及集成器件的制作方法，集成器件包括衬底，衬底包括相互连接的第一衬底和第二衬底，第一衬底上设置有压力传感器，压力传感器包括第一电极、第一P型重掺杂层和第一P型轻掺杂层，第一P型重掺杂层与第一电极连接，第二衬底上设置有温度传感器，温度传感器包括P型二极管。该集成器件采用P型二极管可以使得温度传感器的制作工艺与压力传感器的制作工艺相兼容，能够在压力传感器的制作工艺台制备温度传感器，制作P型二极管时实现工艺兼容，具有制作工艺简单、制造成本低的优点；并且相较于普通的半导体电阻，具有更高的灵敏度。
集成器件电子设备制作方法

[发明专利]半导体器件及其制作方法-CN202210893653.1在审
发明人：叶长福;吕佐文;上官明沁;王喜勤 -专利权人：福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2022-07-27 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件，其包括衬底、绝缘层、多条位线、以及位线触点。绝缘层设置在衬底上，位线设置在绝缘层上，位线触点则设置在衬底与位线之间并电连接位线，其中，位线触点还包括第一导电层与第一氧化界面层，第一氧化界面层的最底表面低于绝缘层的底面。由此，本发明的半导体器件可具有复合半导体层的位线触点，进而可改善位线及位线触点的结构可靠度，使半导体器件能达到更为优化的组件效能。
半导体器件及其制作方法

[发明专利]集成电路装置-CN202210539620.7在审
发明人：金善铁;李荣相;申伦澈;韩东勋 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-05-18 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：一种集成电路装置包括：衬底，其包括由器件隔离层限定的有源区，衬底限定跨过有源区延伸的栅极沟槽；栅极电介质层，其保形地覆盖栅极沟槽的内表面；以及栅电极，其填充栅极电介质层上的栅极沟槽。栅电极由单金属的晶粒构成，并且晶粒中的至少一个的对角线长度大于与栅电极接触的有源区的高度。
集成电路装置

[发明专利]半导体结构与其形成方法-CN202110702607.4在审
发明人：赖振益 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2021-06-24 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：一种半导体结构包括具有隔离区域和主动区域的基材，以及字元线结构。字元线结构包括第一部分和第二部分。第一部分形成于基材的隔离区域内，其中隔离区域包围第一部分。第二部分形成于基材的主动区域内，其中第二部分的宽度大于第一部分的宽度。每一字元线结构中的各个部分依据其所在的位置而具有不同的宽度。位于隔离区域的部分字元线结构具有较小宽度，从而增加字元线结构与相邻元件的距离，使得隔离区域能提供较好的电性阻隔而减少半导体结构产生漏电的现象。同时，位于主动区域的部分字元线结构保有较大宽度，以提供足够的通道面积而保持半导体结构的效能。
半导体结构与其形成方法

[发明专利]半导体存储器装置-CN202210132015.8在审
发明人：李基硕;金熙中;赵珉熙 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-02-14 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：提供了一种半导体存储器装置，所述半导体存储器装置包括：堆叠结构，包括竖直堆叠在基底上的多个层，所述多个层中的每个包括字线、沟道层和电连接到沟道层的数据存储元件；以及位线，在堆叠结构的一侧上竖直延伸，其中，字线包括在第一方向上延伸的第一导线以及在第二方向上从第一导线突出的栅电极，第二方向与第一方向交叉，其中，沟道层在栅电极上，其中，位线包括电连接到沟道层的连接部。
半导体存储器装置

[发明专利]半导体存储器件及其制造方法-CN202210486704.9在审
发明人：金承焕 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-05-06 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本申请公开了一种半导体存储器件，其包括：包括互连件的外围电路部分；第一字线堆叠物和第二字线堆叠物，在外围电路部分上彼此间隔开，并且第一字线堆叠物和第二字线堆叠物分别包括多条字线；多个介电层的交替堆叠物，多个介电层位于外围电路部分上并设置在第一字线堆叠物和第二字线堆叠物之间；第一接触插塞，穿过交替堆叠物以耦接到互连件；第二接触插塞，耦接到第一字线堆叠物和第二字线堆叠物的字线；第一线形支撑件，位于第一字线堆叠物与交替堆叠物之间，并从外围电路部分垂直地延伸；以及第二线形支撑件，位于第二字线堆叠物与交替堆叠物之间，并从外围电路部分垂直地延伸。
半导体存储器件及其制造方法

[发明专利]包含存储器单元结构的微电子装置以及相关方法和电子系统-CN202210537887.2在审
发明人： S·D·斯奈德;T·A·菲古拉;S·N·S·查拉马拉塞蒂;江秉洁;S·L·莱特;Y·辛格;李岩;郭松 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-05-17 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本申请涉及包含存储器单元结构的微电子装置以及相关方法和电子系统。一种微电子装置包括从基底材料延伸的存储器单元结构。所述存储器单元结构的至少一个存储器单元结构包括：中心部分，其与数字线接触，从所述基底材料延伸并且包括相对弓形表面；末端部分，其与所述中心部分的侧面上的存储节点接触件接触；以及额外末端部分，其与所述中心部分的相对侧面上的额外存储节点接触件接触。还描述相关的微电子装置、电子系统和方法。
包含存储器单元结构微电子装置以及相关方法电子系统

[发明专利]半导体存储器及制备方法-CN202210871901.2在审
发明人：张钦福;颜逸飞;冯立伟 -专利权人：福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2022-07-22 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本申请公开一种半导体存储器及制备方法，能够提高所述半导体存储器的出厂良率，延长所述半导体存储器的使用寿命。所述半导体存储器包括：衬底；多根位线，平行设置于衬底上；多个虚拟位线，平行于所述位线长度方向，设置于衬底上，位于所述位线的外围，且所述虚拟位线在第一方向上的宽度大于所述位线在第一方向上的宽度，所述第一方向垂直于所述位线长度方向，并平行于所述衬底表面；多个接触窗，交错的设置于所述位线以及所述虚拟位线在长度方向上的两端，每一位线和虚拟位线均通过一所述接触窗获取外界电位，或将自身电位引出至外界，且任意两个在所述第一方向上相邻的所述接触窗的距离相等。
半导体存储器制备方法

[发明专利]动态随机存取存储器及其形成方法-CN202211033525.6在审
发明人：华文宇;刘藩东 -专利权人：芯盟科技有限公司
申请日： 2022-08-26 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：一种动态随机存取存储器及其形成方法，其中方法包括：提供衬底，衬底具有相对的第一面和第二面，衬底包括若干有源区，每个有源区均包括若干字线区和若干沟道区；在每个字线区内形成字线栅沟槽；在每个字线栅沟槽内形成字线栅结构；自第一面向第二面的方向刻蚀部分沟道区，在衬底内形成第一开口；在第一开口的侧壁和底部表面形成内衬层；在内衬层上形成牺牲层；在牺牲层上形成第一封闭层，第一封闭层内具有释放口；去除牺牲层，在第一开口内形成空腔；在释放口内形成第二封闭层。通过牺牲层能够有效定义空腔的形成位置和形成尺寸，以提升空腔的均一性。而且通过调节内衬层的厚度、以及牺牲层的高度，能够使得空腔的形成位置和形成尺寸可控。
动态随机存取存储器及其形成方法

[发明专利]存储器组件及其形成方法-CN202110548434.5在审
发明人：杨峻昇;陈兴豪 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2021-05-19 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本发明提供一种存储器组件，包括：衬底、多个位线结构、多个位线接触窗以及多个保护结构。衬底具有多个有源区。多个位线结构沿着X方向平行配置于衬底上。多个位线接触窗分别配置在多个位线结构与多个有源区的重叠处且电性连接多个位线结构与多个有源区。多个保护结构至少配置在多个位线接触窗的第一侧壁与第二侧壁上。另提供一种存储器组件的形成方法。
存储器组件及其形成方法

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