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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体结构及其制作方法以及存储器系统-CN202211281693.7在审
发明人：张浩;丁潇;左磊;杨敏;华文宇;朱宏斌 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2022-10-19 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本公开实施例公开了一种半导体结构及其制作方法以及存储器系统，所述制作方法包括：提供半导体层，形成覆盖所述半导体层的牺牲层；蚀刻所述牺牲层和所述半导体层以形成柱状结构；其中，所述柱状结构包括半导体柱和牺牲部，所述牺牲部覆盖所述半导体柱的一端；形成围绕所述柱状结构的第一绝缘层；去除所述牺牲部以形成第一凹槽，所述第一凹槽的底部显露所述半导体柱；在所述第一凹槽中形成接触部。
半导体结构及其制作方法以及存储器系统

[发明专利]一种半导体器件及其制造方法-CN202211314186.9在审
发明人：颜丙杰 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2022-10-25 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本公开实施例提供一种半导体器件及其制造方法，所述方法包括：提供半导体结构，所述半导体结构包括衬底和在所述衬底上的多个呈阵列排布的晶体管柱；对每个所述晶体管柱的顶端进行刻蚀以形成第一凹槽；在所述第一凹槽中依次形成金属硅化物层和第一金属层；所述金属硅化物层覆盖所述第一凹槽底部和侧壁；所述第一金属层填满所述第一凹槽。
一种半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体存储器结构及其形成方法-CN202110696550.1在审
发明人：卢建鸣;吴柏翰 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2021-06-23 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种半导体存储器结构，其包含半导体基板、设置于半导体基板上的位线、设置于位线一侧的介电衬层、设置于半导体基板上的电容接触件、以及设置于半导体基板上的填充件。位线沿着第一方向延伸。介电衬层包含设置于位线的侧壁上的第一氮化物衬层、设置于第一氮化物衬层的侧壁上的氧化物衬层、以及设置于氧化物衬层的侧壁上的第二氮化物衬层。在垂直第一方向的第二方向上，电容接触件借由第一氮化物衬层、氧化物衬层以及第二氮化物衬层与位线间隔。在第二方向上，填充件的宽度大于电容接触件的宽度。本发明实施例亦提供形成一种上述半导体存储器结构的方法。
半导体存储器结构及其形成方法

[发明专利]在电容器、包括电容器的集成组合件的制造期间利用蚀刻停止材料的方法-CN202180033033.4在审
发明人： S·D·唐;K-H·陈;C·W·佩茨;P·夏尔马;Y·M·杨 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-03-19 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：一些实施例包含一种具有电容器接触区的集成组合件。含金属互连件与所述电容器接触区耦合。第一绝缘材料介于所述含金属互连件之间。第二绝缘材料在所述第一绝缘材料上方。第三绝缘材料在所述第二绝缘材料上方。第一电容器电极延伸通过所述第二及第三绝缘材料，并且与所述含金属互连件耦合。第四绝缘材料邻近所述第一电容器电极。电容器极板电极邻近所述第四绝缘材料，并且通过所述第四绝缘材料与所述第一电容器电极间隔。一些实施例包含形成集成组合件的方法。
电容器包括集成组合制造期间利用蚀刻停止材料方法

[发明专利]半导体存储器件-CN202210649266.3在审
发明人：金恩靓;金铉用;李相昊;安容奭;崔宰福 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-06-09 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：提供了一种半导体存储器件，该半导体存储器件包括：器件隔离图案，在基板中并限定彼此间隔开的第一有源部分和第二有源部分，其中第一有源部分的中心邻近第二有源部分的端部；跨越第一有源部分的中心的位线；在位线和第一有源部分之间的位线接触；以及在第二有源部分的该端部上的第一存储节点焊盘。第一存储节点焊盘包括第一焊盘侧壁和第二焊盘侧壁。第一焊盘侧壁邻近位线接触。第二焊盘侧壁与第一焊盘侧壁相反。当在平面图中观看时，第二焊盘侧壁在远离位线接触的方向上是凸起的。
半导体存储器件

[发明专利]半导体装置及用于形成避免其短路的布线结构的方法-CN202210691418.6在审
发明人：山口秀范;香下勝美;铃木淳也;市川博 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-06-17 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本申请涉及半导体装置及用于形成避免其短路的布线结构的方法。半导体装置包含：衬底；在所述衬底上方的存储器单元区；在所述衬底上方的外围区，所述外围区与所述存储器单元区相邻；及多个第一及第二字线，其跨越所述存储器单元区及所述外围区延伸；其中所述多个第一字线及所述多个第二字线彼此交替地布置；并且其中所述外围区中的所述第一字线的长度长于所述外围区中的所述第二字线的长度。
半导体装置用于形成避免短路布线结构方法

[发明专利]半导体器件以及制造该半导体器件的方法-CN202210637254.9在审
发明人：全振桓;金大原;金泰均;朴靖雨;安星焕;郑璲钰;崔东求 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-06-07 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有改进的可靠性的半导体器件及其制造方法。根据本发明实施例的制造半导体器件的方法可以包括：在衬底之上形成多个位线结构；在位线结构之间形成线形状开口；在线形状开口的边缘上形成止挡件结构；在每个线形状开口中填充线图案；通过刻蚀线图案来形成多个接触插塞和多个隔离凹槽；以及在隔离凹槽中填充插塞隔离层。
半导体器件以及制造方法

[发明专利]集成组合件和形成集成组合件的方法-CN202210197474.4在审
发明人：中村吉孝;D·D·史莱伦;李宜芳;S·E·西里斯;J·A·伊莫尼吉;K·什里马利 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-03-02 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及集成组合件和形成集成组合件的方法。一些实施例包含一种集成组合件，所述集成组合件含有包含一或多种过渡金属的第一结构且含有在所述第一结构上方的第二结构。所述第二结构具有直接抵靠所述第一结构的第一区域且具有通过间隙区域与所述第一结构间隔开的第二区域。所述第二结构包含具有选自周期表的第13族的至少一个元素以及选自所述周期表的第15族和第16族的至少一个元素的半导体材料。离子化合物在所述间隙区域内。一些实施例包含一种形成集成组合件的方法。
集成组合形成方法

[发明专利]具有虚设栅极结构的半导体器件-CN202210287147.8在审
发明人：姜钟仁 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-03-22 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：一种半导体器件包括：衬底，所述衬底包括单元区域和围绕所述单元区域的界面区域，所述衬底包括在所述单元区域中限定有源区的器件隔离层并且在所述界面区域中包括区域隔离层；栅极结构，所述栅极结构在所述单元区域中在第一水平方向上延伸，所述栅极结构被掩埋在所述衬底中并且与所述有源区相交；位线结构，所述位线结构与所述栅极结构相交并且在与所述第一水平方向相交的第二水平方向上延伸；以及多个虚设栅极结构，所述多个虚设栅极结构在所述界面区域中在所述第一水平方向上延伸并且在所述第二水平方向上彼此间隔开。所述多个虚设栅极结构被掩埋在所述区域隔离层中并且在所述第二水平方向上与所述栅极结构间隔开。
具有虚设栅极结构半导体器件

[发明专利]半导体装置-CN202210485599.7在审
发明人：崔峻荣;金荣祐;金台勳;韩相然 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-05-06 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：基底，包括单元区域和外围电路区域；导电结构，在单元区域和外围电路区域上，导电结构在与基底的上表面平行的第一方向上延伸；栅极结构，在外围电路区域上，栅极结构在第一方向上与导电结构间隔开；间隔件，接触栅极结构的侧壁；以及第一覆盖图案，接触导电结构的在第一方向上的端部的侧壁以及间隔件的侧壁，其中，间隔件和第一覆盖图案包括不同的绝缘材料。
半导体装置

[发明专利]半导体器件及制造其的方法-CN201711180587.9有效
发明人：朴志雄;李垣哲 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-11-23 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件及制造其的方法。提供一种半导体器件。该半导体器件包括：衬底，其包括包含第一区域和第二区域的单元区域以及比邻近第一区域更邻近第二区域的周边区域；分别设置在第一区域和第二区域中的第一下电极和第二下电极；分别设置在第一下电极和第二下电极的外壁上的第一下支撑图案和第二下支撑图案；上支撑图案，其设置在第一下电极和第二下电极的外壁上，并且在第一下支撑图案和第二下支撑图案上且与第一下支撑图案和第二下支撑图案间隔开；电介质层，其设置在第一下电极和第二下电极、第一下支撑图案和第二下支撑图案以及上支撑图案的表面上；以及上电极，其设置在电介质层的表面上，其中第一下支撑图案的厚度小于第二下支撑图案的厚度。
半导体器件制造方法

[发明专利]具有与存取装置耦合的主体连接线的设备-CN201880015646.3有效
发明人： D·C·潘迪;刘海涛;C·穆利;S·D·唐 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2018-02-13 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：一些实施例包含一种具有与竖直延伸半导体柱相关联的晶体管的设备。所述晶体管包含位于所述竖直延伸半导体柱内的上部源极/漏极区域、位于所述竖直延伸半导体柱内的下部源极/漏极区域及位于所述竖直延伸半导体柱内且介于所述上部与下部源极/漏极区域之间的沟道区域。所述晶体管还包含沿着所述沟道区域的栅极。字线与所述晶体管的所述栅极耦合。数字线与所述晶体管的所述下部源极/漏极区域耦合。可编程装置与所述晶体管的所述上部源极/漏极区域耦合。主体连接线位于所述字线上方且与所述字线平行地延伸。所述主体连接线具有穿透到所述竖直延伸半导体材料柱中的横向边缘。所述主体连接线具有不同于所述半导体材料柱的组成。
具有存取装置耦合主体连接线设备

[发明专利]半导体存储器件-CN201710673839.5有效
发明人：金恩靓;金熙中;金根楠;金大益;金奉秀;黄有商 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-08-07 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本公开提供了半导体存储器件。一种半导体存储器件包括：字线，在半导体基板中在第一方向上延伸；位线结构，在字线之上跨过并在交叉第一方向的第二方向上延伸；以及接触焊盘结构，在平面图中在字线之间且在位线结构之间。间隔物结构在位线结构与接触焊盘结构之间延伸。间隔物结构包括沿着位线结构的侧壁在第二方向上延伸的第一空气间隙以及围绕每个接触焊盘结构并且联接到第一空气间隙的第二空气间隙。
半导体存储器件

[发明专利]具有接触插塞的半导体器件-CN202210386239.1在审
发明人：崔祐荣;吴周城;黄有商 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-04-13 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括：衬底，包括具有第一有源区的单元区域和具有第二有源区的外围电路区域；直接接触，接触单元区域中的第一有源区；位线结构，设置在直接接触上；电容器结构，电连接到第一有源区；栅极结构，设置在外围电路区域中的第二有源区上；下布线层，与栅极结构相邻地设置并电连接到第二有源区；上布线层，设置在下布线层上；布线绝缘层，设置在下布线层和上布线层之间；以及上接触插塞，连接到下布线层和上布线层中的至少一个并且延伸穿过布线绝缘层。
具有接触半导体器件

[发明专利]半导体结构-CN202211215897.0在审
发明人：邵光速 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本公开实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构，包括：衬底及位于衬底上的阵列结构；阵列结构包括第一晶体管阵列和第二晶体管阵列，第一晶体管阵列包括多个第一半导体柱，第二晶体管阵列包括多个第二半导体柱；存储结构，位于第一晶体管阵列与第二晶体管阵列之间；存储结构包括多个第一电容和多个第二电容，第一电容包括与第一半导体柱顶面电接触的第一电极，第二电容包括与第二半导体柱底面电接触的第二电极，第一电容和第二电容之间设有共用电极；引线结构，引线结构包括至少一个电极引线，电极引线与共用电极电接触，且电极引线在衬底表面的正投影与阵列结构在衬底表面的正投影不重合，以提高半导体结构的集成密度，降低电容引线的难度。
半导体结构

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