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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种桥梁格构墩施工钢管支撑结构-CN202321212757.8有效
  • 谭建;何森林;陈新铜;刘金定;何乃强;王路广 - 中交一公局集团有限公司
  • 2023-05-19 - 2023-10-20 - E01D21/00
  • 本实用新型公开了一种桥梁格构墩施工钢管支撑结构，包括底座，所述底座的上方均设置有连接座，所述连接座的一侧均贯穿有螺栓；该一种桥梁格构墩施工钢管支撑结构，通过钢筋管、交叉管、连接板、第一螺杆和螺帽的设置，通常桥梁在支撑的都是使用到立柱的形式进行支撑，但利用格构式的方式支撑不仅自重轻，风的通过性好，而且具有一定的抗弯能力，利用钢筋管以交叉管之间进行串联，不仅提高了抗弯能力，而格构式截面的惯性距和回转半径，提高钢筋管的刚度和稳定性，而连接板与第一螺杆配合，能够满足不同高度的桥梁，对钢筋管进行拼接，这样的设置不仅提高了支撑的稳定性，同时可以根据不同高度的桥梁进行拼接。
  • 一种桥梁格构墩施工钢管支撑结构
  • [发明专利]半导体结构及其制作方法-CN202210197733.3在审
  • 王路广 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2022-03-02 - 2023-09-15 - H01L23/538
  • 本公开涉及一种半导体结构及其制作方法，其中，半导体结构包括：衬底，包括多个有源区；多个位线接触孔，位于所述衬底上，每一所述位线接触孔暴露出每一所述有源区；多个位线接触垫，每一所述位线接触垫位于每一所述位线接触孔内，且与所述有源区接触；多个位线结构，每一所述位线结构位于每一所述位线接触孔内，所述位线结构的底部位于所述位线接触垫内。该半导体结构能够有效减少位线接触垫与位线结构之间的接触电阻，以及能够有效减少位线结构与位线结构之间的寄生电容。
  • 半导体结构及其制作方法
  • [发明专利]半导体结构及其制作方法-CN202210197762.X在审
  • 王路广 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2022-03-02 - 2023-09-15 - H01L23/538
  • 本公开涉及一种半导体结构及其制作方法，其中，半导体结构包括：衬底，包括多个有源区；多个位线接触孔，位于所述衬底上，每一所述位线接触孔暴露出每一所述有源区；多个位线接触垫，每一所述位线接触垫位于每一所述位线接触孔内，所述位线接触垫与所述有源区接触，所述位线接触垫的高度低于所述位线接触孔的高度；多个位线结构，每一所述位线结构位于每一所述位线接触孔内，且所述位线结构的底部接触所述位线接触垫；多个电容接触垫，位于所述位线结构的两侧，且与所述有源区接触。该半导体结构能够有效减少位线结构与位线结构之间的寄生电容，还能够减少位线接触垫与电容接触垫之间漏电的可能性。
  • 半导体结构及其制作方法
  • [发明专利]阻抗校准电路和存储器-CN202310699296.X在审
  • 黄金荣;王路广 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2023-06-12 - 2023-09-01 - G11C29/02
  • 本公开实施例提供一种阻抗校准电路和存储器，其中，阻抗校准电路包括：上拉驱动电路，包括多个上拉驱动支路，被配置为：接收上拉开关信号和上拉校准码，并利用上拉开关信号选通指定数量的上拉驱动支路，以及利用上拉校准码调整输出端的电压；上拉驱动电路用于上拉输出端的电压；多个开关电路，每个上拉驱动支路通过对应的一个开关电路与电源连接，被配置为：接收上拉开关信号，并利用上拉开关信号将指定数量的上拉驱动支路与电源连通；第一生成电路，被配置为：接收第一目标电压和输出端的电压，且基于两者之间的差值生成上拉开关信号和上拉校准码。
  • 阻抗校准电路存储器
  • [发明专利]一种半导体结构及其制作方法-CN202210032642.4在审
  • 王路广;黄金荣 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2022-01-12 - 2023-07-21 - H01L23/482
  • 本公开实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构及其制作方法，其中，一种半导体结构包括：具有第一面的第一基底，第一基底具有凸出于第一面的电连接柱；具有第二面的第二基底，第二基底内具有导电柱，且第二面还具有第一凹槽和第二凹槽，第一凹槽与第二凹槽相连通，第一凹槽位于导电柱上方且暴露出导电柱的至少部分顶面，第二凹槽暴露出导电柱的至少部分侧面；第二面与第一面相键合，且电连接柱的凸出部分位于第二凹槽内，且电连接柱的部分侧面与导电柱的部分侧面在垂直于第一面或第二面的方向上错位交叠；焊接结构，至少部分焊接结构填充于第一凹槽，且至少部分焊接结构还位于电连接柱与第二凹槽底面之间，至少可以提高半导体结构的可靠性。
  • 一种半导体结构及其制作方法
  • [发明专利]一种半导体结构及一种半导体结构的制作方法-CN202210033870.3在审
  • 王路广 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2022-01-12 - 2023-07-21 - H01L23/482
  • 本公开实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构及一种半导体结构的制作方法，其中，一种半导体结构包括：具有第一面的第一基底，第一基底具有凸出于第一面的电连接柱，电连接柱顶部具有第一凹槽；具有第二面的第二基底，第二基底内具有导电柱，且第二基底还具有第二凹槽，第二凹槽露出导电柱的顶面以及至少部分侧面；第二面与第一面相键合，且电连接柱部分位于第二凹槽内，导电柱部分位于第一凹槽内；焊接结构，至少部分焊接结构填充于第二凹槽，且至少部分焊接结构还填充于导电柱与第一凹槽之间。至少可以提高半导体结构的可靠性。
  • 一种半导体结构制作方法
  • [发明专利]半导体结构及其制造方法-CN202210033878.X在审
  • 王路广;黄金荣 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2022-01-12 - 2023-07-21 - H01L23/482
  • 本公开实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构及其制造方法，半导体结构包括：具有第一面的第一基底，第一基底内具有导电柱，第一面具有第一凹槽，第一凹槽露出导电柱的顶面和部分侧壁；具有第二面的第二基底，第一面和第二面相键合，第二面具有第二凹槽，第二基底内具有电连接柱，且电连接柱位于第二凹槽中，电连接柱凸出于第二面；电连接结构，电连接结构和部分电连接柱嵌入第一凹槽中，电连接结构至少环绕导电柱中被第一凹槽露出的部分和电连接柱嵌入第一凹槽中的部分。本公开实施例至少有利于在提高电连接柱和导电柱之间的连接稳定性的同时，降低堆叠基底的整体厚度。
  • 半导体结构及其制造方法
  • [发明专利]一种样品制备方法-CN202111521931.2在审
  • 王路广;左文佳 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2021-12-13 - 2023-06-16 - G01N1/28
  • 本申请实施例提供一种样品制备方法，包括：提供待检测样品；确定所述待检测样品中的待检测区和位于所述待检测区周围的预处理区域，其中，所述预处理区域呈圆环型，其内环的直径为第一预设直径；刻蚀所述预处理区域至第一预设深度；在所述预处理区域内填充第一保护材料，且不低于所述待检测区的上表面；对所述预处理区域和所述待检测区进行预处理，得到第一预处理样品。
  • 一种样品制备方法
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