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[发明专利]集成式组合件和形成集成式组合件的方法-CN201910409476.3有效
发明人： D·比林斯利;E·A·麦克蒂尔;C·W·佩茨;李浩宇;J·M·梅尔德里姆;Y·J·胡 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2019-05-16 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H10B41/35 文献下载
摘要：本申请案涉及集成式组合件和形成集成式组合件的方法。一些实施例包含一种集成式组合件，其包括具有与第二区域相邻的第一区域的绝缘块体。所述第一区域与所述第二区域相比具有并入其中的较大量的一或多种惰性间隙元素。一些实施例包含一种集成式组合件，其具有竖直延伸的沟道材料柱，并且具有沿着所述沟道材料柱的存储器单元。导电结构在所述沟道材料柱下方。所述导电结构包含与所述沟道材料柱的底部区域直接接触的掺杂半导体材料。绝缘块体沿着所述沟道材料柱的所述底部区域。所述绝缘块体具有在下部区域上方的上部区域。所述下部区域与所述上部区域相比具有并入其中的较大量的一或多种惰性间隙元素。一些实施例包含一种形成集成式组合件的方法。
集成组合形成方法

[发明专利]具有垂直延伸结构的组合件及其形成方法-CN201811556564.8有效
发明人： D·R·埃科诺米;J·M·梅尔德里姆;李浩宇;Y·J·胡;C·W·佩茨;D·比林斯利;E·A·麦克蒂尔 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2018-12-19 - 公布日： 2023-05-19 - 主分类号： H10B43/20 文献下载
摘要：本申请案涉及具有垂直延伸结构的组合件及其形成方法。一些实施例包含组合件，其具有沟道材料柱且具有沿着所述沟道材料柱的存储器单元。导电结构在所述沟道材料柱下方。所述导电结构具有与所述沟道材料柱的底部区域直接接触的掺杂半导体材料。镁、钪、钇及镧系元素中的一或多者沿着所述沟道材料柱的所述底部区域。一些实施例包含形成组合件的方法。形成结构，且抵靠所述结构的上表面形成块状物。在所述块状物中的开口内形成插塞。所述插塞包括第一材料上方的第二材料。所述第一材料包含镁、钪、钇及镧系元素中的一或多者。开口经形成以终止于所述第一材料上，且接着延伸穿过所述第一材料。在所述开口内形成沟道材料柱。
具有垂直延伸结构组合及其形成方法

[发明专利]电极/电介质阻隔材料构成及结构-CN202180045025.1在审
发明人： S·S·克尔克;C·W·佩茨;金道俊;M·N·洛克莱;B·D·克劳斯 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-06-22 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H10N97/00 文献下载
摘要：本发明描述与在电极与电介质材料之间形成阻隔材料有关的方法、设备及系统。一种实例方法包含在半导体制作过程中在存储节点的底部电极材料上形成电介质材料。所述方法进一步包含在所述电介质材料上形成阻隔材料以减少所述电介质材料中的氧空位。所述方法进一步包含在所述阻隔材料上形成顶部电极。
电极电介质阻隔材料构成结构

[发明专利]在电容器、包括电容器的集成组合件的制造期间利用蚀刻停止材料的方法-CN202180033033.4在审
发明人： S·D·唐;K-H·陈;C·W·佩茨;P·夏尔马;Y·M·杨 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-03-19 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：一些实施例包含一种具有电容器接触区的集成组合件。含金属互连件与所述电容器接触区耦合。第一绝缘材料介于所述含金属互连件之间。第二绝缘材料在所述第一绝缘材料上方。第三绝缘材料在所述第二绝缘材料上方。第一电容器电极延伸通过所述第二及第三绝缘材料，并且与所述含金属互连件耦合。第四绝缘材料邻近所述第一电容器电极。电容器极板电极邻近所述第四绝缘材料，并且通过所述第四绝缘材料与所述第一电容器电极间隔。一些实施例包含形成集成组合件的方法。
电容器包括集成组合制造期间利用蚀刻停止材料方法

[发明专利]铁电电容器、铁电存储器单元、铁电存储器单元阵列及形成铁电电容器的方法-CN202080088717.X在审
发明人： C·雅各布;V·N·安东诺夫;J·戈斯瓦米;A·廖;C·W·佩茨;D·V·N·拉马斯瓦米 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-11-12 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01L49/02 文献下载
摘要：一种铁电电容器包括其间具有铁电材料的两个导电电容器电极。所述电容器电极中的至少一者包括MxSiOy，其中“M”为Ru、Ti、Ta、Co、Pt、Ir、Os、Mo、V、W、Sr、Re、Rh、Pd、La、Zn、In、Sn和Nb中的至少一者。公开其它方面，包含方法。
电容器存储器单元阵列形成方法

[发明专利]用于存储节点整形的方法-CN202010306001.4有效
发明人： D·D·史莱伦;S·S·克尔克;G·S·卢加尼;P·A·帕杜阿诺;M·N·洛克莱;S·萨帕;C·W·佩茨 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-04-17 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： H01L21/8242 文献下载
摘要：本公开描述与对存储节点材料进行整形有关的方法、设备和系统。实例方法包含形成具有材料图案的导柱。所述方法进一步包含在所述导柱的一侧沉积存储节点材料。所述方法进一步包含蚀刻所述导柱内的牺牲材料。所述方法进一步包含在从所述导柱到所述存储节点中的方向上蚀刻所述存储节点材料。
用于存储节点整形方法

[发明专利]形成具有氮化钛导电结构的设备的方法，以及相关的设备和系统-CN202110515039.7在审
发明人：金道俊;S·S·克尔克;C·W·佩茨;A·J·卡阿古;B·D·克劳斯;杉浦聡 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-05-11 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： H01L21/8242 文献下载
摘要：本申请涉及形成具有氮化钛导电结构的设备的方法，以及相关的设备和系统。形成微电子装置的方法包括在前体结构之上形成氮化钛(TiN)材料。形成所述TiN材料包含重复以下循环：使含钛气体邻近前体结构流动；使还原气体在所述前体结构之上流动；使含氮气体在所述前体结构之上流动；以及在使所述含氮气体流动之前和之后，吹扫气体。还描述了相关微电子装置和相关电子系统。
形成具有氮化导电结构设备方法以及相关系统

[发明专利]形成微电子装置的方法以及相关微电子装置、存储器装置和电子系统-CN202110268041.9在审
发明人： J·D·格林利;C·G·埃莫;L·富马加利;J·D·霍普金斯;R·J·克莱因;C·W·佩茨;E·A·麦克蒂尔 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-03-12 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本申请涉及形成微电子装置的方法，以及相关微电子装置、存储器装置和电子系统。微电子装置包括第一导电结构、阻挡结构、导电衬里结构和第二导电结构。所述第一导电结构在第一介电结构中的第一填充开口内。所述阻挡结构在所述第一介电结构中的所述第一填充开口内且竖直地上覆所述第一导电结构。所述导电衬里结构在所述阻挡结构上且在竖直地上覆所述第一介电结构的第二介电结构中的第二填充开口内。所述第二导电结构竖直地上覆所述第二介电结构中的所述第二填充开口内的所述导电衬里结构且水平地由所述第二介电结构中的所述第二填充开口内的所述导电衬里结构环绕。还描述存储器装置、电子系统和形成微电子装置的方法。
形成微电子装置方法以及相关存储器电子系统

[发明专利]材料沉积系统及相关方法、微电子装置及存储器装置-CN202011441977.9在审
发明人： C·雅各布;R·L·埃利奥特;C·W·佩茨 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-12-08 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本申请案涉及材料沉积系统、形成微电子装置的方法、微电子装置及存储器装置。一种材料沉积系统包括：掺杂剂源，其含有至少一种掺杂剂前驱体材料；惰性气体源，其含有至少一种惰性气体；及物理气相沉积设备，其与所述掺杂剂源及所述惰性气体源选择性流体连通。所述物理气相沉积设备包括外壳结构、目标电极及衬底固持器。所述外壳结构经配置及定位以接收包括所述至少一种掺杂剂前驱体材料及所述至少一种惰性气体的至少一个供给流体流。所述目标电极在所述外壳结构内且与信号发生器电连通。所述衬底固持器在所述外壳结构内且与所述目标电极间隔开。还描述一种形成微电子装置的方法、一种微电子装置、一种存储器装置及一种电子系统。
材料沉积系统相关方法微电子装置存储器

[发明专利]用于相变存储器元件的阻挡膜技术与构造-CN201580060284.6有效
发明人： C·W·佩茨;Y·J·胡;D·W·柯林斯;A·麦克蒂尔 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2015-11-05 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本公开的实施例描述了用于相变存储器元件的阻挡膜技术和构造。在实施例中，装置包括多个相变存储器(PCM)元件，其中所述多个PCM元件中的单独的PCM元件包括：底部电极层、设置在所述底部电极层上的选择器件层、设置在所述选择器件层上的中间电极层、设置在所述中间电极层上的相变材料层、设置在所述相变材料上的顶部电极层、以及阻挡膜，所述阻挡膜包括IV族过渡金属、VI族过渡金属、碳(C)和氮(N)，所述阻挡膜设置在所述底部电极层与所述顶部电极层之间。可以描述和/或要求保护其它实施例。
用于相变存储器元件阻挡膜技术构造

[发明专利]电极形成-CN202010459561.3在审
发明人： A-J·B·程;B·D·克劳斯;S·S·克尔克;M·N·洛克莱;C·W·佩茨;R·比勒;金道俊 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-05-27 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本发明描述与电极形成相关的设备、方法和系统。在存储节点的电介质材料上方形成顶部电极的第一部分。在所述电极的所述第一部分上方形成金属氧化物。在所述金属氧化物上方形成所述电极的第二部分。
电极形成

[发明专利]在存取线结构内包含阻隔材料的设备，以及相关方法和电子系统-CN202010473245.1在审
发明人：金道俊;C·W·佩茨;S·S·克尔克;信藤秀和 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-05-29 - 公布日： 2021-01-08 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本申请案涉及一种在存取线结构内包含阻隔材料的设备，以及相关方法和电子系统。所述设备包括具有存取线的存储器阵列。所述存取线中的每一个包括与基底材料的底表面和侧壁相邻的绝缘材料、与所述绝缘材料相邻的第一导电材料、与所述第一导电材料相邻的第二导电材料，以及介于所述第一导电材料和所述第二导电材料之间的阻隔材料。所述阻隔材料被构造成抑止反应性物种从所述第二导电材料迁移。
存取结构包含阻隔材料设备以及相关方法电子系统

[发明专利]存储器单元-CN201680046417.9有效
发明人： D·V·N·拉马斯瓦米;D·W·柯林斯;C·W·佩茨;B·R·曲克 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2016-07-19 - 公布日： 2021-01-08 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：一些实施例包含一种存储器单元，其具有一对电极及所述电极之间的多个切换层级。每一切换层级具有离子缓冲区及电介质区。至少一个切换层级在所述离子缓冲区及/或所述电介质区的厚度及组合物中的一者或两者上与另一切换层级不同。
存储器单元

[发明专利]与在电极上形成屏障材料相关的方法和设备-CN202010186810.6在审
发明人： S·S·凯尔科;A-J·B·程;金道俊;C·W·佩茨;M·N·洛克莱;B·D·克劳斯 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-03-17 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本申请涉及与在电极上形成屏障材料有关的方法和设备。描述了与在电极上形成屏障材料有关的方法、设备和系统。一种示例方法包含：以半导体制作序列在介电材料上形成存储节点的顶部电极；以及在半导体制作设备中在所述顶部电极上原位形成屏障材料，以减少在处于所述半导体制作设备的异位位置时产生的对所述介电材料的损坏。
电极形成屏障材料相关方法设备

[发明专利]用于DRAM电容器的掺杂氮化钛材料以及相关半导体装置、系统及方法-CN201980014813.7在审
发明人： M·N·洛克莱;P·A·帕杜阿诺;S·S·克尔克;C·W·佩茨;Z·宋;V·安东诺夫;陶谦 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2019-02-01 - 公布日： 2020-10-13 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本发明揭示一种DRAM电容器，其包括：第一电容器电极，其经配置为容器且包括掺杂氮化钛材料；电容器电介质，其位于所述第一电容器电极上；及第二电容器电极，其位于所述电容器电介质上。本发明还揭示形成所述DRAM电容器的方法以及包括此类DRAM电容器的半导体装置及系统。
用于 dram 电容器掺杂氮化材料以及相关半导体装置系统方法

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