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专利名称

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申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]包含金属-绝缘体-金属电容器的设备和用于形成所述设备的方法-CN202310252717.4在审
发明人：杉冈繁;山口秀范;川北惠三 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2023-03-07 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本公开涉及包含金属‑绝缘体‑金属电容器的设备和用于形成所述设备的方法。一种半导体结构包含开口和下部金属层，所述开口形成于绝缘层的表面中，所述下部金属层位于所述绝缘层的所述表面以及位于所述绝缘层的所述表面中的所述开口的侧壁和底表面上。所述侧壁以介于10度与45度之间的锥角从所述绝缘层的所述表面向所述开口的所述底表面向内锥化。
包含金属绝缘体电容器设备用于形成方法

[发明专利]半导体装置及其形成方法-CN202180069841.6在审
发明人： 山口秀范;阿佐直俊介;香下胜美;西村茂治 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-10-15 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：一种半导体装置包含第一层和第二层，所述第一层包含以线和间隔布局布置的多个布线且所述第二层包含电连接到所述布线中的至少一者的衬垫，其中所述布线和所述衬垫通过不同的光刻工艺图案化。
半导体装置及其形成方法

[发明专利]半导体装置及用于形成避免其短路的布线结构的方法-CN202210691418.6在审
发明人： 山口秀范;香下勝美;铃木淳也;市川博 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-06-17 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本申请涉及半导体装置及用于形成避免其短路的布线结构的方法。半导体装置包含：衬底；在所述衬底上方的存储器单元区；在所述衬底上方的外围区，所述外围区与所述存储器单元区相邻；及多个第一及第二字线，其跨越所述存储器单元区及所述外围区延伸；其中所述多个第一字线及所述多个第二字线彼此交替地布置；并且其中所述外围区中的所述第一字线的长度长于所述外围区中的所述第二字线的长度。
半导体装置用于形成避免短路布线结构方法

[发明专利]用于存储器装置的划线结构-CN202210123766.3在审
发明人： 山口秀范;星野航;川北惠三 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-02-10 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本申请案涉及一种用于存储器装置的划线结构。描述用于制造芯片的设备及方法。一种实例方法包含：移除芯片之间的切割区中覆盖层的第一部分及所述覆盖层的所述第一部分下方的至少一个电介质层以形成凹槽，且在所述切割区中形成包含所述覆盖层的第二部分及所述覆盖层的所述第二部分下方的所述至少一个电介质层的支撑结构；移除所述芯片中的一者中的所述覆盖层的第三部分及所述覆盖层的所述第三部分下方的所述至少一个电介质层的一部分以在第一芯片上形成孔；沉积导电层以覆盖所述覆盖层及所述孔；在所述孔中的所述导电层上形成导电柱；及移除所述覆盖层及所述孔的边缘表面上的所述导电层。
用于存储器装置划线结构

[发明专利]用于存储器装置的划片结构-CN202210078827.9在审
发明人： 山口秀范;松田与;野村由田 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-01-24 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：本公开涉及一种用于存储器装置的划片结构。描述了用于制造芯片的设备和方法。实例方法包含：在衬底上方形成至少一个第一介电层；在所述第一介电层上方形成至少一个第二介电层；在所述至少一个第二介电层上方形成覆盖层；通过蚀刻在所述衬底上方形成沟槽；利用内衬覆盖所述沟槽中的所述至少一个第一介电层的至少一边缘表面；形成穿过所述覆盖层和所述至少一个第二介电层的一部分的孔；在所述孔中、在所述覆盖层和所述内衬上沉积导电层；以及通过电镀在所述孔中的所述导电层上形成导电柱。
用于存储器装置划片结构

[发明专利]用于存储器装置的划片结构-CN202210120297.X在审
发明人： 山口秀范;川北惠三;星野航;野村由田 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-02-07 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：本申请涉及一种用于存储器装置的划片结构。描述用于制造芯片的设备和方法。示例方法包含：在衬底上方形成至少一个第一介电层；在所述第一介电层上方形成至少一个第二介电层；在所述至少一个第二介电层上方形成覆盖层；通过蚀刻在所述衬底上方形成沟槽；用包含聚合物的内衬覆盖所述至少一个第一介电层在所述沟槽中的至少一边缘表面；形成穿过所述覆盖层和所述至少一个第二介电层的一部分的孔；在所述孔中、在所述覆盖层和所述内衬上沉积导电层；以及通过电镀在所述孔中的所述导电层上形成导电柱。
用于存储器装置划片结构

[发明专利]形成半导体装置的方法和其中使用的光掩模-CN202110966165.4在审
发明人： 山口秀范;川北惠三;星野航;杉冈繁;前之园敏行 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-08-23 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本申请涉及一种形成半导体装置的方法和其中使用的光掩模。一种方法包含：在半导体衬底的第一、第二、第三和第四区上方形成绝缘膜；在所述绝缘膜上形成聚酰亚胺膜；以及使用至少包含第一透射率的第一区、第二透射率的第二区、具有遮蔽材料的第三区和第四区的光掩模利用光刻方法使所述聚酰亚胺膜图案化，其中所述光掩模的所述第一、第二、第三和第四区分别对应于所述半导体衬底的所述第一、第二、第三和第四区。
形成半导体装置方法其中使用光掩模

[发明专利]半导体装置和其形成方法-CN202110457365.7在审
发明人：杉冈繁;山口秀范;川北惠三;徐邦宁 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-04-27 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本公开涉及半导体装置和其形成方法。一种半导体装置包含半导体衬底；和多层级布线结构，其处于所述半导体衬底上，所述多层级布线结构至少包含处于所述半导体衬底上方的中间金属层和处于所述中间金属层上方的最上部金属层，且所述多层级布线结构划分成主电路部分和环绕所述主电路部分的切划部分；其中所述多层级布线层的所述切划部分至少包含所述中间金属层中暴露的金属衬垫。
半导体装置形成方法

[发明专利]半导体装置及其形成方法-CN202110564717.9在审
发明人：杉冈繁;山口秀范;藤木谦昌;川北惠三 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-05-24 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本申请涉及一种半导体装置及其形成方法。一种半导体装置包含：半导体衬底；第一绝缘膜和第二绝缘膜，其设置于所述半导体衬底上方；低k膜，其设置于所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜之间；元件形成区，在其中在所述半导体衬底中形成电路中包含的元件；划线区，其设置于所述元件形成区周围；切割部分，其设置于所述划线区的外周边上；以及凹槽，其形成于所述切割部分和所述元件形成区之间，其中所述凹槽穿透所述低k膜。
半导体装置及其形成方法

[发明专利]半导体装置及其形成方法-CN202110528448.0在审
发明人： 山口秀范;川北惠三;杉冈繁 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-05-14 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本申请涉及半导体装置及其形成方法。一种半导体装置包含半导体衬底，所述半导体衬底具有包含第一部分的主表面；再分布层，其设置在所述半导体衬底的所述主表面的所述第一部分上方；绝缘层，其覆盖所述半导体衬底的所述主表面的所述第一部分和所述再分布层；以及第一聚酰亚胺膜，其覆盖所述绝缘层；其中所述聚酰亚胺膜具有基本平坦的上表面。
半导体装置及其形成方法

[发明专利]半导体装置及其形成方法-CN202110469337.7在审
发明人：杉冈繁;山口秀范;藤木謙昌;川北惠三;R·K·邦萨 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-04-28 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本申请案涉及一种半导体装置和其形成方法。半导体装置包含：主电路区；和包围所述主电路区的划线区；其中所述主电路区及所述划线区包括第一绝缘膜及第二绝缘膜以及形成于其间的低k膜；且其中所述划线区的所述低k膜包含沿着所述主电路区与所述划线区之间的边界加衬的多个空腔。
半导体装置及其形成方法

[发明专利]光掩模、曝光方法与仪器、图形制造、形成方法及半导体器件-CN200610156795.0无效
发明人： 山口秀范 -专利权人：尔必达存储器株式会社
申请日： 2006-12-27 - 公布日： 2008-02-13 - 主分类号： G03F1/00 文献下载
摘要：所述光掩模10包含：衬底11，位于所述衬底11上的曝光区域12，在所述曝光区域12内形成的掩模图形13，以及在所述曝光区域12的外部曝光区域14(右侧区域)内形成的掩模放大倍率信息14X。包括所述掩模图形13的所述整个曝光区域12在沿着如箭头所示的扫描方向(Y方向)上延伸。例如，所述掩模图形13的掩模放大倍率在所述X方向设定为幅值4，在Y方向上设定为幅值8。当利用在所述X和Y方向具有不同的掩模放大倍率的光掩模进行步进扫描曝光技术时，能够转印具有相等的纵向和横向比率的高清晰度晶片。
光掩模曝光方法仪器图形制造形成半导体器件

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