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[发明专利]一种反熔丝结构-CN201310471001.X有效
发明人：冯军宏;甘正浩 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-10-10 - 公布日： 2018-10-23 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：本发明涉及一种反熔丝结构，包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底上的栅极介电层；位于所述栅极介电层上的金属栅极阵列，所述金属栅极阵列包括若干金属栅极条。本发明为了解决现有技术中存在的各种问题，提供了一种反熔丝结构，其中，所述金属栅极阵列可以为若干平行的金属栅极条并列排列设置或者横向纵向的金属栅极条相互交错形成网格状结构，所述若干平行的金属栅极条设置于同一平面上，编程时，在所述金属栅极阵列上施加电压，所述金属栅极阵列中的高K介电层被击穿即实现所述反熔丝结构的编程，所述结构可以降低反熔丝结构的编程电压，提高器件的稳定性和良率。
金属栅极反熔丝栅极介电层衬底编程半导体平行网格状结构高K介电层编程电压并列排列横向纵向交错形成施加电压击穿良率

[发明专利]电熔丝结构及其形成方法和半导体器件-CN201310655162.4有效
发明人：廖淼 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-12-05 - 公布日： 2018-10-16 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：一种电熔丝结构及其形成方法和半导体器件，其中电熔丝结构包括：基底，在基底中形成有浅沟槽隔离结构；电熔丝，电熔丝包括熔丝、第一阳极和第一阴极，第一阳极和第一阴极分别位于熔丝两端且分别与熔丝两端连接，熔丝具有熔断区，熔断区两侧的电熔丝部分位于浅沟槽隔离结构上；位于所述熔丝下的第一加热单元，所述第一加热单元包括：第二阳极、第二阴极、第二阳极和第二阴极之间的加热区，所述加热区和所述熔断区相对且在所述加热区和所述熔断区之间具有绝缘层。本技术方案的第一加热单元的加热区对熔丝的熔断区进行补充加热，降低了熔断电流。
电熔丝结构及其形成方法半导体器件

[发明专利]半导体装置-CN201410033375.8有效
发明人：长谷川尚 -专利权人：艾普凌科有限公司
申请日： 2014-01-24 - 公布日： 2018-10-12 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：本发明提供防止多层布线工艺中因熔丝开口部引起的水分浸入带来的长期可靠性的变差的半导体装置。为了防止水分从熔丝开口部侵入，蚀刻由氧化膜构成的层间绝缘膜使得留下等离子体TEOS氧化膜层的一部分，其后淀积钝化氮化膜并构图后，通过部分地除去钝化氮化膜，形成以钝化氮化膜覆盖熔丝开口部的层间绝缘膜的侧壁及侧底面的构造。由此，可抑制水分从层叠的层间绝缘膜的界面或SOG层浸入，可防止因水分导致的IC特性的变差。
半导体装置

[发明专利]电熔丝电路及熔丝单元结构-CN201810446098.1在审
发明人：王昌锋 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2018-05-11 - 公布日： 2018-10-02 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：本发明涉及一种电熔丝电路，涉及半导体器件，包括：一编程器件，包括一第一端、一第二端和一控制端，所述第二端接地，所述控制端用于接收控制信号；以及一熔丝单元，所述熔丝单元包括一第一熔丝支路和一第二熔丝支路，所述第一熔丝支路与所述第二熔丝支路并联连接形成一第一连接端点和一第二连接端点，所述第一连接端点连接所述编程器件的所述第一端，所述第二连接端点连接一电压源，且每一所述熔丝支路包括至少一熔丝部分，所述熔丝部分包括一第一电极、一第二电极及一熔丝线，所述第一电极与第二电极通过所述熔丝线连接；以减小熔丝单元阻值的波动。
熔丝支路连接端点熔丝单元电熔丝电路编程器件第二电极第一电极第一端控制端熔丝线接收控制信号半导体器件支路并联电压源端接地减小

[发明专利]一种可编程熔丝结构的制造方法-CN201611096967.X有效
发明人：王浩 -专利权人：乐清市风杰电子科技有限公司
申请日： 2016-12-02 - 公布日： 2018-10-02 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：本发明提供了一种可编程熔丝结构的制造方法，包括：提供一衬底，并在该衬底上表面形成浅沟槽隔离沟槽；在所述浅沟槽隔离沟槽中形成浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构的顶面高于所述衬底的上表面；在所述浅沟槽隔离结构中形成一凹槽，所述凹槽的深度、宽度和长度钧小于所述浅沟槽隔离结构；在所述浅沟槽隔离结构的上表面以及凹槽中形成一可编程熔丝，所述可编程熔丝包括两第一电极、分别连接两第一电极的两个第一垂直部分以及连接两个第一垂直部分的第一水平部分；在所述凹槽中沉积所述隔离材料形成一隔离材料层，所述隔离材料层至少覆盖所述第一水平部分。
一种可编程结构制造方法

[发明专利]半导体元件熔丝结构及其制造方法-CN201810364822.6在审
发明人：郭振强 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2018-04-23 - 公布日： 2018-09-25 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体元件熔丝结构，包括：硅衬底上依次设置有第一介质层、第一金属层、第二介质层、第二金属层和钝化层，熔丝孔穿过钝化层达到第二介质层，熔丝孔下方具有半导体元件设计容忍厚度的第二介质层，衬垫结构穿过钝化层连接第二金属层；还包括：第三介质层，第三介质层设置在第二介质层中,第三介质层下方具有半导体元件设计容忍厚度的第二介质层。本发明还公开了一种半导体元件熔丝结构制造方法。本发明的半导体元件熔丝结构能改善熔丝结构中金属层上介质层的均匀性，能提供熔丝结构中金属上介质层更好的均匀性，能满足熔丝结构对金属上介质层的均匀性要求。
介质层熔丝结构半导体元件上介质层钝化层第二金属层均匀性熔丝第一金属层均匀性要求穿过金属衬垫结构依次设置中金属层硅衬底制造

[发明专利]半导体装置及半导体装置的电熔丝结构-CN201510035708.5有效
发明人：崔贤民 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2015-01-23 - 公布日： 2018-09-18 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：提供了一种半导体装置和一种具有改善的熔丝性能以在低电压下能够进行编程操作的半导体装置的电熔丝结构。所述电熔丝结构包括：第一金属图案，形成在第一纵向上的水平面，第一金属图案包括沿第一方向延伸的第一部件、沿第一方向延伸并且布置成邻近于第一部件的第二部件以及邻近于第二部件的第三部件，第二部件位于第一部件和第三部件之间，第一部件和第二部件彼此电连接，第三部件与第二部件电断开连接；以及第二金属图案，电连接到第一金属图案，并形成在不同于第一纵向上的水平面的第二纵向上的水平面。
半导体装置电熔丝结构

[发明专利]具有电熔丝的集成电路及其形成方法-CN201810558516.6在审
发明人：陈建宏;薛福隆;许国原 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2012-11-02 - 公布日： 2018-09-14 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：一种形成具有电熔丝的集成电路的方法包括在衬底的上方形成至少一个晶体管。形成至少一个晶体管包括在衬底的上方形成栅极电介质结构。功函金属层形成在栅极电介质结构的上方。导电层形成在功函金属层的上方。源极/漏极(S/D)区域被形成为与栅极电介质结构的每个侧壁相邻。至少一个电熔丝形成在衬底的上方。形成至少一个电熔丝包括在衬底的上方形成第一半导体层。第一硅化物层形成在第一半导体层上。
电熔丝衬底栅极电介质结构半导体层金属层晶体管功函集成电路导电层形成源极/漏极硅化物层侧壁

[发明专利]电极的制造方法、熔丝装置及其制造方法-CN201210483777.9有效
发明人：李莹;吴关平 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-11-23 - 公布日： 2018-09-14 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：本公开涉及电极的制造方法、熔丝装置及其制造方法。所述熔丝装置包括：熔丝元件，所述熔丝元件包含相变材料；以及第一电极，所述第一电极与所述熔丝元件接触，并且所述第一电极在与所述熔丝元件接触的部分处具有亚光刻尺寸。根据本公开，熔丝装置的断开电流相比于相关技术能够被减小。
电极制造方法装置及其

[实用新型]半导体器件反熔丝结构-CN201721659200.3有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：睿力集成电路有限公司
申请日： 2017-12-04 - 公布日： 2018-09-11 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：本实用新型提供一种半导体器件反熔丝结构，该结构包括形成于有源区的反熔丝单元，该反熔丝单元包括由第一熔丝隔离层、第一绝缘层、第一导电层及第三导电层构成的第一反熔丝，由第二熔丝隔离层、第二绝缘层、第二导电层及第三导电层构成的第二反熔丝。两个反熔丝共用同一个第三导电层，由此可有效降低反熔丝单元的面积，另外反熔丝单元的绝缘层形成于沟槽内，等效增大了绝缘层的面积，所以可进一步将反熔丝的面积做的更小同时还可减小反熔丝的空间体积，最后可将芯片上的反熔丝单元配置为反熔丝矩阵结构，以进一步减小芯片中反熔丝占据的面积，从而提高半导体器件的高度集成化。
反熔丝反熔丝单元绝缘层半导体器件导电层隔离层减小熔丝芯片本实用新型第二导电层第一导电层绝缘层形成高度集成矩阵结构源区占据配置

[发明专利]半导体装置和半导体装置的制造方法-CN201711373091.3在审
发明人：佐久间哲也 -专利权人：艾普凌科有限公司
申请日： 2017-12-19 - 公布日： 2018-09-07 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：本发明提供半导体装置和该半导体装置的制造方法，即使在被激光微调的熔断器元件上的保护绝缘膜的膜厚较厚的情况下，也能够在基底绝缘膜上不产生裂纹的情况下稳定地进行熔断器元件的熔断。采用如下的结构：在包括激光照射部的熔断器元件中具备对激光照射部的侧面与底面之间的角部进行倒角而成的斜面。
半导体装置熔断器元件激光照射部熔断保护绝缘膜基底绝缘膜激光微调倒角底面角部膜厚制造侧面

[发明专利]反熔丝器件的制备方法-CN201810078552.2在审
发明人：谢小东;李平 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2018-01-26 - 公布日： 2018-08-24 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：反熔丝器件的制备方法，涉及半导体技术，本发明包括下述步骤：A、多晶硅淀积；B、对场区上的poly进行N+注入，形成反熔丝下极板；C、在poly上淀积氮化硅层，作为反熔丝介质；D、对多晶硅和氮化硅进行同步刻蚀；E、去除多晶硅上的多余氮化硅；F、形成接触钨塞；G、淀积金属层并刻蚀。本发明的有益效果是，与标准CMOS工艺高度兼容，又具有优良性能，具有良好的经济性。
反熔丝器件氮化硅多晶硅反熔丝刻蚀制备标准CMOS工艺半导体技术多晶硅淀积氮化硅层淀积金属优良性能下极板场区淀积钨塞去除兼容

[发明专利]熔丝结构及其形成方法-CN201810442638.9在审
发明人：郭振强 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2018-05-10 - 公布日： 2018-08-17 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：本发明公开了一种熔丝结构形成方法，包括如下步骤：硅衬底上依次形成第一介质层、第一金属层、第二介质层、第二金属层和钝化层；硅片表面涂光刻胶，刻蚀熔丝区的钝化层和焊盘区的钝化层，再对熔丝区的第二介质层进行刻蚀并停止在第一金属层的上表面；硅片表面淀积第三介质层；硅片表面涂光刻胶并使光刻胶完全填充熔丝通孔和pad通孔；刻蚀光刻胶直至pad通孔里面的光刻胶被完全刻蚀为止；刻蚀硅片表面的第三介质层直至pad通孔上的第三介质层被完全刻蚀；去除硅片表面的所有光刻胶，在熔丝通孔内形成U形的第三介质层。本发明中熔丝结构上的介质层厚度的均匀性由第三介质层淀积的均匀性唯一决定，可以满足熔丝结构中对金属层上的介质层有高要求的需求。
介质层光刻胶刻蚀通孔硅片表面熔丝结构熔丝钝化层第一金属层均匀性淀积第二金属层刻蚀硅片硅衬底焊盘区金属层上表面去除填充

[发明专利]具有上覆栅极结构的基板电阻器-CN201510998958.9有效
发明人： J·辛格 -专利权人：格罗方德半导体公司
申请日： 2015-12-28 - 公布日： 2018-08-10 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有上覆栅极结构的基板电阻器。一种电阻器装置，包括：电阻器本体，设置于基板中且以第一类型掺杂物掺杂；绝缘层，设置于该电阻器本体之上；以及至少一个栅极结构，设置于该绝缘层之上及该电阻器本体之上。一种方法，包括：施加偏压电压于至少一第一栅极结构，该第一栅极结构设置在绝缘层之上，其中，该绝缘层设置于电阻器本体之上，而该电阻器本体设置于基板中，且该第一栅极结构以第一类型掺杂物掺杂以影响该电阻器本体的电阻。
具有上覆柵极结构电阻器

[发明专利]反熔丝及其形成方法-CN201510005594.X有效
发明人：甘正浩 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2015-01-06 - 公布日： 2018-08-10 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：本发明提供一种反熔丝及其形成方法，反熔丝的形成方法包括：提供衬底；在衬底上形成第一金属层；在第一金属层上形成牺牲层；在第一金属层以及牺牲层的侧壁形成侧墙；在侧墙以及牺牲层的部分表面形成第二金属层；去除牺牲层，以使第二金属层悬空地设于第一金属层上方。反熔丝包括：衬底；设于衬底上的第一金属层；第二金属层，第二金属层悬空地设于第一金属层上方；侧墙，部分第二金属层设于侧墙上，并通过侧墙悬空地设于第一金属层上方。本发明的有益效果在于，相较于现有技术不需要形成介质层，简化了制造难度；本发明的反熔丝比较容易实现高阻值向低阻值的转变，这在一定程度上降低了反熔丝的使用功耗。此外，本发明的反熔丝比较耐高温。
反熔丝及其形成方法