|
|
钻瓜专利网为您找到相关结果 70个，建议您 升级VIP下载更多相关专利
- [实用新型]充电座-CN202320538192.6有效
-
王金桥;王昌锋
-
杭州海康威视数字技术股份有限公司
-
2023-03-14
-
2023-10-27
-
H02J7/00
- 本申请提供一种充电座，涉及充电技术领域，该充电座能够适用于不同场景，提高充电座使用过程中的便利性；且电路结构简单、成本较低。充电座包括输入接口、第一传输接口、第二传输接口、控制子电路、第一级子电路和第二级子电路。在输入接口和/或第一传输接口输出有效信号的情况下，控制子电路导通并输出第二电压信号。在控制子电路输出第二电压信号的情况下，第一级子电路用于在控制子电路和第一传输接口的共同控制下，将第一传输接口传输的电压输出至第二传输接口。在输入接口输出第一电压信号的情况下，第二级子电路用于在第一电压信号的控制下，将第一电压信号携带的电压传输至第二传输接口。上述充电座用于充电。
- 充电
- [发明专利]提升PMOS器件AC性能的方法-CN202310166357.6在审
-
马雁飞;万霖;王昌锋
-
上海华力集成电路制造有限公司
-
2023-02-24
-
2023-05-16
-
H01L21/8238
- 本发明提供一种提升PMOS器件AC性能的方法，提供衬底，衬底上形成有STI以定义出有源区，有源区上形成有PMOS结构以及NMOS结构，衬底上PMOS结构之外的区域上形成有保护层，PMOS结构由栅极结构以及位于栅极结构两侧的外延层组成，栅极结构由叠层以及依次位于叠层侧壁上的第一、二侧墙组成；刻蚀第二侧墙，使得外延层与栅极结构间隙之外的第二侧墙去除，刻蚀去除间隙中的第二侧墙；在衬底上形成覆盖剩余的叠层、第一侧墙、外延层的低K介质层；刻蚀低K介质层，使得外延层与栅极结构间隙中的低K介质层保留。本发明将低K介质层保存在源漏端与栅极间的间隙里面，由于低K介质层材料的介电常数较高，降低了源漏端与栅极间的寄生电容，提高了PMOS器件的AC性能。
- 提升pmos器件ac性能方法
- [发明专利]一种改善工艺中台阶高度均匀性的方法-CN202111226639.8在审
-
李博文;王昌锋;马雁飞
-
上海华力集成电路制造有限公司
-
2021-10-21
-
2022-02-08
-
H01L21/762
- 本发明提供一种改善工艺中台阶高度均匀性的方法，有源区之间设有STI沟槽；有源区上形成有第一SiN层；在STI沟槽填充氧化物，氧化物覆盖在有源区上的第一SiN层上方；对填充了氧化物的STI沟槽退火；第一次化学机械研磨使STI沟槽上的氧化物平坦化；在平坦化后的氧化物上形成第二SiN层；对第二SiN层进行第二次化学机械研磨，使其表面平坦化；刻蚀第二SiN层和氧化物至露出第一SiN层上表面为止；保持氧化物与第一SiN层上表面高度一致；选择氧化物与第一SiN层刻蚀比大于1的刻蚀条件，刻蚀氧化物使多个有源区上的第一SiN层高度一致。本发明通过STI两次CMP工艺来改善不同图形结构之间台阶高度的不一致，以便提高后期工艺的窗口，提高器件的性能。
- 一种改善工艺台阶高度均匀方法
- [发明专利]一种提升LDMOS性能的方法-CN202110205208.7在审
-
马雁飞;王同辉;王昌锋
-
上海华力集成电路制造有限公司
-
2021-02-24
-
2021-06-22
-
H01L29/06
- 本发明提供一种提升LDMOS性能的方法，提供设有埋氧层的衬底，定义LDMOS漂移区，并将部分漂移区刻蚀至埋氧层下表面以下10～50μm形成被刻蚀区域；将被刻蚀区域形成纯体硅区域；进行离子注入形成P型阱区和N型阱区；在N型阱区形成STI区域；在衬底上表面形成叠层；定义栅极形貌，通过刻蚀叠层形成栅极叠层，在栅极叠层的侧壁形成侧墙；在栅极叠层两侧的衬底上形成源漏端；形成依附于侧墙的氧化硅硬掩膜层；在源漏端进行离子注入；去除栅极叠层中的栅极薄膜层，形成凹槽；在所述凹槽中沉积金属。本发明在超薄体FDSOI上进行LDMOS器件设计，以提高LDMOS的击穿电压，同时降低导通电阻，改善器件的漏电流，提高LDMOS的开关特性与耐击穿性，从而提高LDMOS的器件性能。
- 一种提升ldmos性能方法
|
