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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]集成电路及其制造方法-CN202110244060.8在审
发明人：张盟昇;杨耀仁 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-03-05 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：揭露一种集成电路及其制造方法。集成电路包含晶体管、第一熔丝元件及第二熔丝元件。晶体管形成于第一导电层中。第一熔丝元件形成于设置于第一导电层上方的第二导电层中。第二熔丝元件形成于第二导电层中且耦接至第一熔丝元件。晶体管经由第一熔丝元件耦接至用于接收第一数据信号的第一数据线，且晶体管经由第二熔丝元件耦接至用于接收第二数据信号的第二数据线。
集成电路及其制造方法

[发明专利]反熔丝单元结构及反熔丝阵列-CN202010264022.4在审
发明人：李雄;李庚泽;冯鹏 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2020-04-07 - 公布日： 2021-10-12 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：本发明涉及一种反熔丝单元结构及反熔丝阵列。所述反熔丝单元结构包括基底、反熔丝器件和选择晶体管。其中所述反熔丝器件形成于所述基底中，包括第一栅极结构、第一源极掺杂区和第一漏极掺杂区，其中所述第一栅极结构与所述第一漏极掺杂区电连接。所述选择晶体管形成于所述基底中，与所述反熔丝器件匹配设置，包括第二栅极结构、第二源极掺杂区和第二漏极掺杂区，其中所述第二漏极掺杂区与所述第一源极掺杂区电连接。
反熔丝单元结构阵列

[发明专利]反熔丝器件及反熔丝单元-CN202010268401.0在审
发明人：刘志拯 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2020-04-08 - 公布日： 2021-10-12 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：本发明涉及一种反熔丝器件，反熔丝器件包括：衬底；反熔丝栅极，反熔丝栅极部分嵌入衬底内，反熔丝栅极嵌入衬底内的部分具有尖角；反熔丝栅氧化层，反熔丝栅氧化层位于反熔丝栅极与衬底之间。令反熔丝栅极和反熔丝栅氧化层在衬底内部均具有尖角，使得反熔丝器件有了多个尖端放电点，更加容易被击穿，有了多个击穿点使得同一批次生产的反熔丝器件的均匀性更好，提高了一批次产品性能的一致性，弯折的反熔丝栅氧化层有效面积更大，因此使得反熔丝器件能够以更小的尺寸获得更大的反熔丝栅氧化层面积，有利于反熔丝器件的小型化。
反熔丝器件单元

[发明专利]反熔丝单元及反熔丝阵列-CN202010268402.5在审
发明人：刘志拯 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2020-04-08 - 公布日： 2021-10-12 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：本发明涉及一种反熔丝单元，包括：反熔丝器件；第一选择晶体管，与反熔丝器件电连接；第二选择晶体管，第二选择晶体管与第一选择晶体管电连接；反熔丝器件、第一选择晶体管、第二选择晶体管具有相同厚度的栅极氧化层和栅极导电层。在进行反熔丝测试时第一选择晶体管和第二选择晶体管可以分压，因此第一选择晶体管和第二选择晶体管内部的栅极氧化层能够做的薄一些，与反熔丝器件内的栅极氧化层厚度一致，因此三者的栅极氧化层可以在同一步骤中同步生成，同理三者的栅极导电层也能够在同一步工艺中生成，避免了因为栅极氧化层厚度不一样导致的工艺复杂化，在满足反熔丝单元承受较高击穿电压的同时简化了工艺步骤提高了生产效率。
反熔丝单元阵列

[发明专利]反熔丝单元及反熔丝阵列-CN202010271766.9在审
发明人：刘志拯 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2020-04-08 - 公布日： 2021-10-12 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：本发明涉及一种反熔丝单元及反熔丝阵列，反熔丝单元包括反熔丝器件和二极管；反熔丝器件的正极与位线电连接，反熔丝器件的负极与二极管的正极电连接，二极管的负极与字线电连接。通过上述技术方案，去除了反熔丝单元中晶体管的部分，使得在考虑编程效率时不需要再考虑选择晶体管宽度与尺寸小型化之间的矛盾，二极管的使用使得反熔丝单元的结构变得简单，且尺寸能够达到更小的程度，反熔丝阵列紧凑的排布也能够令反熔丝阵列进一步的小型化。
反熔丝单元阵列

[发明专利]电熔丝结构及其形成方法-CN202010211812.6在审
发明人：李晓华 -专利权人：中芯国际集成电路制造（深圳）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2020-03-24 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：一种电熔丝结构及其形成方法，所述电熔丝结构包括一种电熔丝结构，所述电熔丝结构包括：熔丝链，包括熔断区和沿熔断区延伸方向位于熔断区两侧的电极区；分别与所述电极区连接的多个分立的插塞，各插塞在熔断区的宽度方向上的尺寸大于所述电极区在熔断区的宽度方向上的尺寸。上述的方案，可以提升电熔丝结构的性能。
电熔丝结构及其形成方法

[发明专利]熔丝阵列布局图案以及相关设备、系统和方法-CN202110116920.X在审
发明人：褚炜路;王婧;梁智玮;R·斯里拉曼尼 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-01-28 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：本申请案涉及熔丝阵列布局图案以及相关设备、系统和方法。揭示了与互锁晶体管活性区相关的系统、方法和设备。设备包括包含导电材料的栅极和包含掺杂半导体材料的活性材料。所述活性材料由所述栅极重叠的一部分具有至少大体上三角形形状。设备包含多个活性材料。每一活性材料包含锥形末端和多个栅极。所述多个活性材料布置成互锁模式，其中所述活性材料的至少一些锥形末端与所述锥形末端中的至少一些其它锥形末端互锁。所述多个栅极与所述多个活性材料的所述互锁的锥形末端重叠。
阵列布局图案以及相关设备系统方法

[发明专利]用于高级封装应用的精密再分配互连形成的方法-CN201980089669.3在审
发明人：陈翰文;S·文哈弗贝克;曹圭一;P·利安托;徐源辉;V·迪卡普里奥 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2019-12-03 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：公开了一种用于使用钼粘附层将聚酰亚胺基板连接至铜晶种层和镀铜附件来制造电气部件的方法。
用于高级封装应用精密再分互连形成方法

[发明专利]反熔丝结构-CN201811296137.0有效
发明人：黄庆玲;施江林;陈姿吟 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2018-11-01 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：一种反熔丝结构，包括一主动区及该主动区上的一栅极电极。该主动区包括一第一本体部分及在一第一方向延伸的一第一延伸部分。该栅极电极包括一第二本体部分及在垂直于该第一方向的一第二方向上延伸的一第二延伸部分。该第一本体部分包括面向该第二本体部分的一部分的一第一表面，该第二本体部分包括面向该第一延伸部分的一部分的一第二表面。该第一延伸部分及该第二延伸部分在垂直于该第一方向及该第二方向的一第三方向上部分重叠，且一介电层夹在该第一延伸部分及该第二延伸部分之间，形成一交叉区域。
反熔丝结构

[发明专利]半导体装置及熔丝的切断方法-CN201710103120.8有效
发明人：北岛裕一郎 -专利权人：艾普凌科有限公司
申请日： 2017-02-24 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：提供在能够利用激光切断的熔丝元件中能够稳定地切断的半导体装置。熔丝元件由上部熔丝元件和下部熔丝布线及熔丝连接触点构成。在基于激光切断熔丝元件时下部熔丝布线被层间膜保护，只有上部熔丝元件被有效率地熔融气化。进而连接上部熔丝元件和下部熔丝布线的触点配置在激光照射区域的中心，因此成为连接部分最有效率地接受激光的能量的结构。
半导体装置切断方法

[发明专利]电熔丝结构及其制作方法-CN201610554741.3有效
发明人：永井享浩 -专利权人：联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2016-07-14 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：本发明公开一种电熔丝结构及其制作方法。一种制作半导体元件的方法，包括：首先提供一基底，然后形成多个第一熔丝分支与多个第二熔丝分支于基底上，其中该多个第一熔丝分支及该多个第二熔丝分支是通过一浅沟隔离隔开，且该多个第二熔丝分支包含不同尺寸。之后再形成多个熔丝本体连接该多个第一熔丝分支及该多个第二熔丝分支。
电熔丝结构及其制作方法

[发明专利]efuse熔丝的版图结构-CN202110468485.7在审
发明人：张黎;晏颖 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2021-04-28 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：本发明提供了一种efuse熔丝的版图结构，包括：包括分别位于两层上下叠放的金属层中的：两个焊盘，在第一方向上的投影部分重叠；两个通孔，分别位于两层所述金属层中，且一个所述通孔与另一个所述通孔在第一方向上的位置相同；两个熔丝本体，沿第二方向设置，且一个所述熔丝本体的两端分别与一个所述焊盘及一个所述通孔对应连接；一个导电连接件，沿所述第一方向设置并将两个所述通孔连接；其中，两个所述熔丝本体与所述导电连接件构成串联结构，所述串联结构在平行于第二方向上的平面上的投影呈U型。本发明缩小了efuse熔丝的版图面积。
efuse 版图结构

[发明专利]反熔丝编程电压的受控修改-CN201580080336.6有效
发明人： X·童;W·M·哈菲兹;Z·马;P·白;C-H·简;陈占平 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2015-06-25 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：描述了反熔丝编程电压的受控修改。在一个示例中，反熔丝电路形成在衬底上，包括反熔丝电路的栅极区。将分子注入到栅极区中以损坏栅极区的结构。电极形成在栅极区之上以将反熔丝电路连接到其它部件。
反熔丝编程电压受控修改

[发明专利]半导体装置的电熔丝结构-CN201810309622.0有效
发明人：崔贤民;前田茂伸 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2014-10-09 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：提供了一种半导体装置的电熔丝结构。所述电熔丝结构可以包括：第一金属材料的熔断体，连接阴极与阳极；覆盖电介质，覆盖熔断体的顶表面；以及虚设金属塞，贯穿覆盖电介质并接触熔断体，虚设金属塞包括位于金属层和熔断体之间的阻挡金属层，其中，阻挡金属层包括与第一金属材料不同的第二金属材料，其中，熔断体的宽度基本等于或小于阳极的宽度和阴极的宽度。
半导体装置电熔丝结构

[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法-CN201610920917.2有效
发明人：草野健一郎 -专利权人：拉碧斯半导体株式会社
申请日： 2016-10-21 - 公布日： 2021-06-11 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：本发明提供即使将熔断元件切断也能够抑制短路的半导体装置以及半导体装置的制造方法。半导体装置(10)具备：熔断元件(14C)；以及熔断窗(20)，其在包括熔断元件(14C)的区域上形成，且具有沿着熔断元件(14C)中流动的电流(I)的方向的第一方向的一对第一侧壁亦即侧壁(20A)，以及沿着与第一方向交叉的第二方向延伸的一对第二侧壁亦即侧壁(20B)，在侧壁(20A)以及侧壁(20B)的至少一方的内壁形成有从侧壁侧向内侧突出，并且使侧壁侧的宽度L1比突出侧的宽度(L2)窄的突起(22)。
半导体装置以及制造方法

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