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- [发明专利]半导体器件及其制造方法-CN03137177.9有效
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大村光广;佐藤文夫
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株式会社东芝
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2003-06-12
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2004-01-21
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H01L23/525
- 公开一种半导体器件，包括：半导体基板；在所述的半导体基板上形成在同一平面的第一金属布线和熔丝；在所述第一金属布线和所述熔丝上形成的第一绝缘膜，所述的第一绝缘膜具有到达所述第一金属布线的第一焊盘开口；至少在所述的第一焊盘开口内形成的第二金属布线，所述的第二金属布线不在所述的熔丝上延伸；在所述的第一绝缘膜和所述的第二金属布线上形成的停止层膜；以及在所述的停止层膜上形成的第二绝缘膜，其中通过除去所述的第二绝缘膜和所述的停止层膜形成第二焊盘开口，以露出所述的第二金属布线。通过除去所述的第二绝缘膜和所述的停止层膜以及通过不完全地除去所述的第一绝缘膜至少在所述的熔丝上形成熔丝开口。
- 半导体器件及其制造方法
- [发明专利]半导体集成电路-CN03138134.0无效
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河野和史;岩本猛
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三菱电机株式会社
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2003-05-28
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2004-01-14
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H01L23/525
- 本发明的课题为用红外线区域的激光可靠地对在芯片上层形成的熔断器进行激光熔断。本发明中的半导体集成电路具备：在半导体衬底的主表面一侧形成的布线构件；与布线构件连接且具有规定的厚度的熔断性构件；覆盖熔断性构件的底面和侧面的阻挡构件；覆盖阻挡构件的至少侧面部分的光吸收构件；以及埋置布线构件、熔断性构件、阻挡构件和光吸收构件的绝缘构件，光吸收构件的复介电常数与熔断性构件的复介电常数相比，具有实数项的绝对值小而虚数项大的值。希望光吸收构件的厚度为熔断性构件的熔断中使用的光显示出最大吸收效率的厚度的50％以上至300％以下。光吸收构件由氮化钽、氮化钨或氮化钛等构成。
- 半导体集成电路
- [发明专利]半导体装置-CN03103665.1无效
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羽多野正亮;池上浩;臼井孝公;松尾美惠
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株式会社东芝
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2003-02-19
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2003-09-03
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H01L23/525
- 本发明提供了一种容易进行使熔丝配线断线的熔丝熔断，并且熔丝配线和其周边部的品质难以劣化的熔丝配线结构的半导体装置。Cu熔丝配线1，由熔丝用引出线5，以及设置在该引出线5更上方并与引出电气连接的熔丝主体部2构成，并被设置在Si基板3上。在如覆盖Cu熔丝配线1那样，层积设置作为绝缘膜的层间绝缘膜4以及Cu扩散防止膜7的同时，在熔丝主体部2的上方，形成为了容易进行熔丝熔断的凹部9。熔丝主体部2，被形成为比凹部的底部10的宽度以及长度还短，且长度在熔丝熔断用激光束的直径以上，并且被设置位于和底部10相对的区域的内侧。
- 半导体装置
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