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[发明专利]反熔丝结构及其形成方法、半导体器件-CN201710686035.9有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2017-08-11 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：本发明提供了一种反熔丝结构及其形成方法、半导体器件。将栅极介质层及栅极层以内嵌的方式形成在衬底中的掺杂层和反熔丝注入层中，因此，作为反熔丝的熔丝氧化层具有弯曲或弯折结构，相比现有技术中的平面式结构，所述熔丝氧化层更容易被击穿，从而更适合目前低能耗的需求。并且，本发明还可以降低周边电路布局复杂度，从而简化周边电路结构，提高存储器容量。
反熔丝结构及其形成方法半导体器件

[发明专利]一种efuse熔丝的版图结构-CN202010054792.6在审
发明人：晏颖;金建明 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2020-01-17 - 公布日： 2020-06-02 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：本发明提供一种efuse熔丝的版图结构，至少包括：自下而上叠放的多个金属层，其中每两层金属层之间设有单个通孔；所述通孔在垂直方向上彼此投影完全重叠，并且与多个金属层构成串联结构，串联结构构成熔丝本体；位于最上层的金属层上设有与最上层通孔连接的焊盘；位于最下层的金属层上设有与最下层通孔连接的焊盘。本发明的efuse熔丝的版图结构将多层金属层之间的单个通孔串联起来构成一根熔丝本体，并在熔丝本体两端设置焊盘以形成有效散热面积，这种结构可以既减少efuse在平面上的版图面积，又可以获得较好的散热效果，保证熔断发生熔丝本体上，采用本发明的版图，每个efuse单元的熔丝结构可以减少约30％的面积。
一种 efuse 版图结构

[发明专利]反熔丝单次可编程存储器及实现方法-CN201510965826.6有效
发明人：陈晓亮;俞大立;黄泽 -专利权人：格科微电子(上海)有限公司
申请日： 2015-12-22 - 公布日： 2020-06-02 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：本发明提供一种反熔丝单次可编程存储器，包括：选择单元、至少两个反熔丝单元，均位于半导体衬底内及表面；所述半导体衬底包括有源区，所述选择单元的栅极垂直覆盖于部分有源区；所述至少两个反熔丝单元的栅极分别覆盖于另一部分有源区上；选择单元与至少两个反熔丝单元共用同一有源区。
反熔丝单次可编程存储器实现方法

[发明专利]芯片、半导体结构及其制备方法-CN201811361244.7在审
发明人：吴秉桓;汪美里 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2018-11-15 - 公布日： 2020-05-22 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，提出一种半导体结构。该半导体结构可以包括有源块、第一电接触端、栅极氧化层以及栅极块；第一电接触端设于所述有源块之上；栅极氧化层覆盖于所述有源块的多个表面；栅极块上设有第一凹槽，覆盖有所述栅极氧化层的所述有源块插入所述第一凹槽内，从而减少了该半导体结构占用面积。
芯片半导体结构及其制备方法

[实用新型]反熔丝结构及可编程存储器-CN201922075776.0有效
发明人：吴秉桓 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2019-11-25 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：本申请涉及一种反熔丝结构以及包括该反熔丝结构的可编辑存储器。该反熔丝结构包括：第一掺杂区和至少部分形成于第一掺杂区内的第二掺杂区；隔离层，形成于第一掺杂区和部分第二掺杂区上，隔离层具有暴露第二掺杂区的窗口；栅极结构，包括叠设的熔丝介质层和栅导电层，熔丝介质层通过窗口与第二掺杂区接触；第一电极，与栅导电层接触；第二电极，依次穿透栅极结构和隔离层并与第二掺杂区接触，第二电极和栅极结构之间通过隔离垫片电隔离。通过将第二掺杂区设于栅极结构下方并使第二电极贯穿栅极结构以与第二掺杂区接触，可以减小反熔丝结构的占据面积，提高器件的集成度。
反熔丝结构可编程存储器

[发明专利]连接晶圆内常规芯片与测试专用芯片的金属线-CN201810437755.6有效
发明人：纪莲和;王文赫;张贺丰 -专利权人：北京智芯微电子科技有限公司;国网信息通信产业集团有限公司
申请日： 2018-05-09 - 公布日： 2020-05-15 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：本发明公开了一种连接晶圆内常规芯片与测试专用芯片的金属线。该金属线中位于常规芯片内的金属线存在一段金属线，该段金属线能够在通过一定电流的情况下熔断。在芯片测试完之后将该金属线熔断，即便晶圆切割造成切割处金属线连接在一起，也不会造成芯片短路，从而提高了晶圆切割工艺中芯片的良率。
连接晶圆内常规芯片测试专用金属线

[发明专利]一种微细线路修复材料及其修复方法-CN202010092913.6在审
发明人：崔成强;杨斌;叶怀宇;张国旗 -专利权人：深圳第三代半导体研究院
申请日： 2020-02-14 - 公布日： 2020-05-12 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：本发明公开一种微细线路修复材料及其修复方法，该线路修复材料包括金属内芯、包裹部分所述金属内芯的焊料部；所述金属内芯端部设有夹载部，所述焊料部为纳米金属膏体焊料；所述纳米金属膏体焊料包括纳米金属颗粒、抗氧化剂、助焊剂、稳定剂、活性剂；所述纳米金属颗粒含量为50.0wt‑95.0wt.％、抗氧化剂含量为5.0wt–40wt.％，助焊剂、稳定剂和活性剂总量≤5.0wt.％。该方法可实现局部修复缺损线路，避免元器件因局部断路而报废，提高产品存活率，降低企业生产成本。在不影响半导体封装互连模块电气性能前提下，实现低温条件下互连。所述基板可在电力电子应用、IGBT封装、光电子封装、MEMS封装、微电子、大功率LED封装等领域的微细线路修复使用。
一种微细线路修复材料及其方法

[发明专利]反熔丝结构电路及其形成方法-CN201710243649.X有效
发明人：冯军宏;甘正浩 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2017-04-14 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：一种反熔丝结构电路及其形成方法，结构包括：基底，基底包括控制区；位于基底控制区上的控制栅极结构组，所述控制栅极结构组包括第一栅极结构；反熔丝，所述反熔丝包括：位于基底上且覆盖第一栅极结构的层间介质层，所述层间介质层包括第一介质层，第一介质层的顶部表面与第一栅极结构的顶部表面齐平；贯穿第一栅极结构上层间介质层的第一导电插塞，第一导电插塞覆盖第一栅极结构的顶部表面和第一栅极结构两侧的部分第一介质层；贯穿第一栅极结构两侧层间介质层的第二导电插塞，第二导电插塞到第一导电插塞具有第一距离，第二导电插塞到第一栅极结构具有第二距离，第一距离小于第二距离。所述反熔丝结构电路的性能得到提高。
反熔丝结构电路及其形成方法

[实用新型]半导体结构及存储器-CN201921022424.2有效
发明人：刘志拯 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2019-07-02 - 公布日： 2020-04-03 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种半导体结构及存储器，半导体结构包括：衬底；下电极层，所述下电极层位于部分所述衬底上；绝缘介质层，所述绝缘介质层位于所述下电极层上，且所述绝缘介质层暴露出部分下电极层表面；上电极层，所述上电极层位于所述绝缘介质层上，所述上电极层、所述绝缘介质层以及所述下电极层构成反熔丝电容。本实用新型有利于改善半导体结构的电学性能。
半导体结构存储器

[发明专利]集成电路芯片及熔断器的检测方法-CN201811043568.6在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2018-09-07 - 公布日： 2020-03-17 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：本公开是关于一种集成电路芯片及熔断器的检测方法，包括衬底、多层导电层、熔断器、介电层和闩锁电路；其中，相邻的导电层之间设置有介电层，所述衬底和与其相邻的导电层之间设置有介电层，所述介电层上设置有接触孔；熔断器位于第一介电层上的接触孔中，所述第一介电层为多层所述介电层中的任一层介电层；闩锁电路设置在所述衬底上，和所述熔断器连接。在集成电路芯片测试时，触发闩锁效应，使得闩锁电路中的电流不断增大，直至烧断熔断器，实现了对熔断器测试时的熔断。并且在测试多个熔断器时，只需顺序触发每个熔断器的闩锁电路即可，提升了测试效率，节约了测试时间。
集成电路芯片熔断器检测方法

[发明专利]反熔丝结构的制造方法及反熔丝结构-CN201811053033.7在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2018-09-10 - 公布日： 2020-03-17 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：本发明提供了一种反熔丝结构的制造方法及反熔丝结构，执行第一离子注入工艺，在隔离结构圈起的衬底中形成功能阱及第一底部隔离阱，功能阱自衬底上表面延伸至衬底中，第一底部隔离阱同图形位于功能阱的下方，执行第二离子注入工艺，在与第一离子注入工艺图案互补的衬底中形成侧部隔离阱及第二底部隔离阱，侧部隔离阱自衬底上表面延伸至衬底中并包覆隔离结构，第二底部隔离阱同图形位于侧部隔离阱的下方，第一底部隔离阱、侧部隔离阱和第二底部隔离阱属于相同离子注入类型，和功能阱分属不同离子注入类型，第一底部隔离阱和第二底部隔离阱相连成底部隔离阱组合层，由此能够通过较少的掩膜工艺形成反熔丝结构，从而能够降低反熔丝结构的制造成本。
反熔丝结构制造方法

[发明专利]一种实现集成电路后段连线修改的集成电路结构及方法-CN201810130684.5有效
发明人：王帆 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2018-02-08 - 公布日： 2020-03-06 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：本发明提供一种实现集成电路后段连线修改的集成电路结构及方法，属于集成电路技术领域，包括：提供一所述集成电路结构；提供一测试电路，所述测试电路连接所述第一待测试金属层；基于所述测试电路对所述第一待测试金属层进行金属间介质完整性测试，以使所述第一待测试金属层中的预设原子在预设位置堆积形成金属凸起并击穿所述待击穿绝缘层，以使所述第一待测试金属层和所述第二待测试金属层由开路状态转为短路状态，且所述第二待测试金属层的所述第二梳妆结构之间由开路状态转为短路状态。本发明的有益效果：可以方便的对集成电路连线进行物理修改，具有非破坏性，快速，经济，样品量大，利于对测试结果进行统计分析等优点。
一种实现集成电路后段连线修改结构方法

[实用新型]存储单元及反熔丝结构-CN201921375981.2有效
发明人：刘志拯 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2019-08-22 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：本公开提供一种存储单元及反熔丝结构。该反熔丝结构可以包括第一导电层、反熔丝层以及第二导电层。该反熔丝层设于第一导电层上，且反熔丝层包括磁性隧道结。该第二导电层设于反熔丝层远离第一导电层的一侧。本公开能够使存储单元具有多次可编程的功能。
存储单元反熔丝结构

[发明专利]一种电熔丝器件及其制造方法-CN201710087199.X有效
发明人：王楠 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2017-02-17 - 公布日： 2020-02-11 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：本发明提供一种电熔丝器件及其制造方法，所述器件包括：半导体衬底，所述半导体衬底中形成有阱区，所述阱区中形成有隔离结构；和在所述半导体衬底上形成的导电层，所述导电层包括覆盖所述隔离结构的所述电熔丝器件的熔断部，以及分别与所述隔离结构两侧的阱区电连接的所述电熔丝器件的阴极和阳极，所述熔断部位于所述阴极和阳极之间。根据本发明的电熔丝器件具有至少两个电流通道，从而所述电熔丝器件的电阻在编程熔断过程中，熔断后具有固定电阻值，且其熔断后的电阻值可控。
电熔丝器件熔断隔离结构衬底阱区半导体阴极阳极导电层电阻电流通道固定电阻电连接可控编程制造覆盖

[发明专利]一次可编程单元及集成有一次可编程单元的半导体器件-CN201810805365.X在审
发明人：金兴成;高淑荣 -专利权人：无锡华润微电子有限公司
申请日： 2018-07-20 - 公布日： 2020-01-31 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：本发明涉及一种一次可编程单元及集成有一次可编程单元的半导体器件，所述一次可编程单元包括：第一电极，包括相对的第一表面和第二表面；第二电极，包括相对的第一表面和第二表面，所述第一电极的第二表面与所述第二电极的第一表面相对；可编程介质层，设于所述第一电极的第二表面与所述第二电极的第一表面之间，且与所述第二电极的第一表面相接触；绝缘介质层，设于所述可编程介质层与所述第一电极之间，且形成有开口，所述可编程介质层穿过所述开口与所述第一电极的第二表面相接触。本发明减小了一次可编程单元在辐照环境下的“辐照接受面”，防止一次可编程单元在辐照环境下形成漏电通道，甚至造成误编程。
一次可编程单元第二表面第一表面第一电极第二电极介质层可编程辐照环境开口半导体器件绝缘介质层漏电通道辐照接受面减小编程穿过