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[发明专利]打线接合装置-CN201980009403.3有效
发明人：内田洋平 -专利权人：株式会社新川
申请日： 2019-01-30 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明提供一种可实现将新的焊针安装于打线接合装置的作业的自动化的打线接合装置。打线接合装置(1)包括：超音波焊头(7)，具有可装卸地保持焊针(8)的孔(7h)；焊针保持部(11)，可装卸地保持供插入至孔(7h)的焊针(8)；致动器(13)，以将经焊针保持部(11)保持的焊针(8)插入至孔(7h)的方式，使焊针保持部(11)移动；及焊针引导部(12)，伴随致动器(13)所致的焊针保持部(11)的移动而将焊针(8)引导至孔(7h)。
接合装置

[发明专利]一种小芯片焊料厚度平整性的控制方法-CN202310323657.0有效
发明人：闵卫涛;陈宏明;孙文强;梁国强;刘旭昌 -专利权人：华羿微电子股份有限公司
申请日： 2023-03-30 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明公开了一种小芯片焊料厚度平整性的控制方法，目的是解决现有粘片技术中存在的焊料厚度不平整的问题，该方法包括：提供框架载体，框架载体表面覆盖有粘片材料，粘片材料为软焊料；目标芯片，目标芯片单边小于4000um；软焊料固晶机，包括焊头，焊头通过电磁阀进行真空、弱吹风、强吹风、无空气之间的转换，焊头连接有吸嘴；通过焊头在一定高度将目标芯片从吸嘴吹离，目标芯片吹落至框架载体上，进行粘片。该方法使用高抛工艺，利用较高的焊接高度与一定的弱吹风来进行粘片，粘片后焊料能够回流完全，芯片四脚焊料厚度能够达到基本一致，确保粘片后的平整性，能够极大降低因焊料厚度不平整而影响后道工序加工的难度。
一种芯片焊料厚度平整控制方法

[发明专利]全自动粘片键合设备及粘片键合方法-CN201710259766.5有效
发明人：杜守明 -专利权人：湖南奥赛瑞智能科技有限公司
申请日： 2017-04-19 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L21/607 文献下载
摘要：本发明涉及半导体封装行业，公开了一种全自动粘片键合设备，包括：上料部、搬运部、供锡整形部、识别定位部、芯片平台部、芯片拾取部、键合搬送部、键合相机定位部、键合头、下料部，所述还包括连接上料部和下料部的轨道，显示所述相机中采集到照片数据的第一显示屏和键合相机定位部通信连接的第二显示屏，及操作识别定位部和键合相机定位部的第一操作台和第二操作台。本发明的有益效果是：能实现高精度控制粘片键合的目的。
全自动粘片键合设备方法

[实用新型]一种CCGA焊柱自动植柱装置-CN202320615227.1有效
发明人：闫焉服;顾天亮;李自强;闫博恒 -专利权人：海普半导体（洛阳）有限公司
申请日： 2023-03-27 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L21/607 文献下载
摘要：本实用新型介绍了一种CCGA焊柱自动植柱装置，包括支撑架、载台、振动盘、光纤传感器、转盘、导料管、电机A和送丝装置；载台安装在支撑架上；振动盘设置在载台上；光纤传感器对应振动盘出料口设置；转盘转动设置在振动盘出料口一侧的载台上；若干导料管均穿设在转盘上；电机A驱动转盘带动各导料管上端口依次交替与振动盘出料口对应；送丝装置通过支架设置在转盘上方的载台上。本实用新型的送料盘，实现焊柱自动排列送料，转盘将焊柱储料的导料管自动切换，与送丝装置配合，实现下料自动化，提高植柱效率，避免因植柱过程中的强烈振动导致的焊柱损伤和氧化问题，保证植柱质量。
一种 ccga 自动装置

[发明专利]半导体制造装置及其制造方法-CN202210998156.8在审
发明人：森爱;芦立浩明 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2022-08-19 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：实施方式提供能够将基板彼此适宜地贴合的半导体制造装置及其制造方法。实施方式的半导体制造装置具备取得第1基板与第2基板的倍率差的值的倍率差取得部。所述装置还具备基于所述倍率差的值来决定保持所述第1基板或所述第2基板的吸盘的变形量的值的变形量决定部。所述装置还具备基于所述变形量的值来决定所述第1基板与所述第2基板之间的间隙的值的间隙决定部。所述装置还具备在将所述第1基板和所述第2基板贴合前将所述变形量控制成决定的所述值且将所述间隙控制成决定的所述值的贴合控制部。
半导体制造装置及其方法

[发明专利]一种晶圆键合结构及其形成方法-CN202111541406.7在审
发明人：刘清召 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2021-12-16 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本申请提供一种晶圆键合结构及其形成方法，所述结构包括：底部晶圆，所述底部晶圆表面形成有第二介质层，所述第二介质层中形成有第二金属层和第二金属键合标记；第三介质层，位于所述第二介质层表面，所述第三介质层中形成有贯穿所述第三介质层且延伸至所述第二介质层并电连接所述第二金属层的第一再分布层；功能晶圆，所述功能晶圆的第二面形成有第一介质层，所述第一介质层中形成有第二再分布层和第一金属键合标记；所述功能晶圆的第一介质层和所述底部晶圆的第三介质层通过所述第一金属键合标记和所述第二金属键合标记对准并键合。本申请提供一种晶圆键合结构及其形成方法，可以在不影响工艺复杂度的情况下提高晶圆对准精度。
一种晶圆键合结构及其形成方法

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN201880086522.4有效
发明人：中川政雄;桑野亮司;篠竹洋平;西村英树 -专利权人：新电元工业株式会社
申请日： 2018-02-26 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明的半导体装置的制造方法包括：组装体形成工序，在电极24与电极连接片32之间配置焊锡材料44，焊锡材料44具有被配置于电极24的表面且含有助焊剂的第一焊锡材料层41、被配置于电极连接片32的表面且含有助焊剂的第二焊锡材料层42、以及被配置于第一焊锡材料层41与第二焊锡材料层42之间的且不含有助焊剂的第三焊锡材料层43相叠层后的构造，并且，组装体形成工序形成配置有基板10、半导体芯片20以及引线30的组装体50，使得电极24与电极连接片32成为夹着焊锡材料44的相向状态；以及接合工序，将电极24与电极连接片32经由焊锡40进行接合。根据本发明的半导体装置的制造方法，能够制造可靠性不易下降的半导体装置，并且能够防止接合工序变得繁杂。
半导体装置制造方法

[发明专利]残渣层去除方法、残渣层去除装置以及显示模块-CN201880035144.7有效
发明人：平野高昭 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2018-05-24 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明涉及一种残渣层去除方法、残渣层去除装置以及显示模块。通过去除方法去除附着于用于液晶模块1的液晶面板(11)的阵列基板(30)的ACF(50)的残渣层(50L)，所述去除方法包含：配置工序，在残渣层(50L)的表面配置金属网(60)；加热工序，对残渣层(50L)进行加热而使其软化；压接工序，将通过配置工序而配置于残渣层(50L)的表面的金属网(60)压接于通过加热工序而软化的残渣层(50L)，将构成残渣层(50L)的ACF(50)中的至少一部分压入金属网(60)的开孔(60A)内；以及剥离工序，将ACF(50)被压入开孔(60A)内的金属网(60)从阵列基板(30)上剥离。
残渣去除方法装置以及显示模块

[发明专利]一种晶圆级RDL应力敏感区域的加固结构与加固方法-CN202211527977.X在审
发明人：刘洋;黄麦瑞;张有鑫;吴晨成 -专利权人：苏州科阳半导体有限公司
申请日： 2022-12-01 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶圆级RDL应力敏感区域的加固结构与加固方法，属于半导体加工技术领域。本发明通过在RDL布线之前或之后，在RDL拐角处电镀金属加固层，从而在RDL布线层的拐角处增设一层位于RDL布线层的上部或下部的金属加固层。通过局部加固的方法，有效缓解RDL拐角处这一敏感区域应力的硬度，降低RDL拐角处的最大应力值，提升可靠寿命。
一种晶圆级 rdl 应力敏感区域加固结构方法

[发明专利]键合丝键合方法和Shunt-L结构封装-CN202310159016.6在审
发明人：郭跃伟;孔令旭;段磊;卢啸;黎荣林;崔健 -专利权人：河北博威集成电路有限公司
申请日： 2023-02-23 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本申请适用于键合丝键合技术领域，提供键合丝键合方法和Shunt‑L结构封装，该方法包括：获取键合丝，并将键合丝划分为第一键合丝组和第二键合丝组，第一键合丝组中的每条键合丝的长度相同，第二键合丝组中的每条键合丝的长度相同；通过第一键合丝组将裸晶体管输出端和输出引脚进行键合，且第一键合丝组中的键合丝的形状为M型曲线；通过第二键合丝组将裸晶体管输出端和射频隔直电容进行键合，第二键合丝组与射频隔直电容的键合点的位置为M型曲线的凹点的位置相同。本申请可以保证键合丝的键合效果，避免键合密度抑制点的出现。
键合丝键合方法 shunt 结构封装

[发明专利]中空封装器件及其制造方法-CN201780088937.0有效
发明人：西泽弘一郎 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2017-03-29 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：通过金属膏的图案化在第1基板(1)的主面同时形成凸块(4)和环状的封装框(3)。在第2基板(5)的主面形成具有比封装框(3)的宽度窄的宽度的环状的凸部(8)。使基板(1)的主面和第2基板(5)的主面相对而进行对准，将封装框(3)和凸部(8)接合，并且将凸块(4)与第2基板(5)电接合。凸部(8)的高度是接合后的基板(1)和第2基板(5)的间隔的0.4～0.7倍。
中空封装器件及其制造方法

[发明专利]一种芯片表面贴装焊接结构及其工艺-CN202310286610.1在审
发明人：张光耀 -专利权人：合肥矽迈微电子科技有限公司
申请日： 2023-03-23 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明申请公开了一种芯片表面贴装焊接工艺，包括以下步骤：焊盘层形成步骤：在载板上设置焊盘层，用以将连接点高度增加；芯片贴装步骤：将芯片电性连接位置对准焊盘层的连接点，并连接固定；整体包封步骤：整体包封，形成一封装体，芯片电性通过焊盘层传至载板，所述焊盘层形成步骤中，焊盘层的材质为铜，其通过电镀的方式形成在载板一表面，所述焊盘层形成步骤中，焊盘层的高度≥50μm，本申请由于焊盘层的增高，可有效降低焊接时连锡而短路的风险，而且可以使用颗粒度较高的锡膏，成本降低，避免爆锡和锡珠问题，对于需要器件表面包封的产品，底部灌胶充足，能有效避免包封气孔，电性稳定。
一种芯片表面焊接结构及其工艺

[发明专利]打线形成方法以及半导体装置的制造方法-CN202080103633.9在审
发明人：吉野浩章;手井森介 -专利权人：株式会社新川
申请日： 2020-11-25 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明包含：接合工序，将打线接合于电极(35a)；绕环线形成工序，将打线从电极(35a)绕环至虚设电极(34)为止而形成绕环线(50a)；按压工序，按压打线的一部分；移动工序，使打线的被按压的一部分移动至电极的正上方；以及打线分离工序，在一部分使打线从打线供给源予以分离，作为从电极(35a)朝垂直上方延伸的接脚线(55a)，绕环线形成工序是调整打线的绕环高度以将绕环线的长度调整为规定的长度。
线形成方以及半导体装置制造方法

[发明专利]一种取代铝膏置换成铜金属的封装方法及系统-CN202211089041.3在审
发明人：杨子庆 -专利权人：苏州浪潮智能科技有限公司
申请日： 2022-09-07 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明提供一种取代铝膏置换成铜金属的封装方法及系统，预处理铝粉，去除铝粉表面的氧化物与杂质；调配铝膏；使用钢板印刷铝膏；印刷后使用显微镜观察印刷的尺寸大小以及印刷后的状态；配置硫酸铜水溶液；将铝膏印刷于铜脚架上方，在铝膏上放晶圆切割后的晶粒，在预设的置换温度进行置换，并经过预设置换时长以后，得到铝膏换成铜金属。本发明可以让铝膏达到全置换，在硫酸铜水溶液添加界面活性剂与盐酸，促使置换量增加。使用添加剂ETU可以让晶粒下的铝膏也完全置换，让硫酸铜溶液也强力的穿透性，让置换可以从左右两侧的缝隙进行反应。本发明可以减省空间、降低置换整体成本，提高置换的良率。
一种取代置换金属封装方法系统

[发明专利]一种硅基光电子器件的硅和铌酸锂异质键合方法-CN202210324288.2有效
发明人：吴传贵;李云飞;罗文博;孟雪飞 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-03-29 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明属于集成光子学领域，具体涉及一种硅基光电子器件的硅和铌酸锂异质键合方法。本发明通过对BCB进行稀释，搭配相应的旋涂工艺实现BCB键合层的厚度控制，以满足硅基光电子器件对引入的键合层厚度要求，在保证硅和铌酸锂键合强度的基础上，得到了厚度在200nm以下的BCB键合层。并针对键合过程中，出现稀释后BCB旋涂和预键合效果差的问题，采用两次等离子体活化技术对欲键合界面进行处理，以改善了旋涂和预键合效果。对于250℃退火固化温度下，由于热失配导致的铌酸锂裂片现象，通过将退火最高温度控制在200℃，同时延长保温时间，使裂片问题得以解决。本发明的键合技术为制备低成本、高质量的电光调制器等光学器件提供了工艺支撑。
一种光电子器件铌酸锂异质键合方法