“H01L21/60”专利分类搜索_专利查询_文献下载_出售_求购_买卖_交易

钻瓜专利网为您找到相关结果4896个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种芯片键合装置及芯片键合系统-CN202310642269.9在审
发明人：王念 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2023-05-29 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L21/603 文献下载
摘要：本申请公开了一种芯片键合装置及芯片键合系统，包括拾取机构和键合机构；拾取机构非接触的吸取芯片，并翻转芯片，使拾取机构与芯片的第一表面接触，再将芯片转移至交换区域；键合机构设置在交换区域，吸取芯片并与芯片的第一表面接触，以使芯片与拾取机构分离，并将芯片移动至键合区域进行键合；本申请的装置在芯片转移过程中，只与芯片第一表面接触，避免了芯片键合面粒子污染，提升芯片性能。
一种芯片装置系统

[发明专利]用于细间距和薄BLT互连的基于焊料的混合接合-CN202310193088.2在审
发明人：周卫 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2023-02-23 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本公开涉及用于细间距和薄BLT互连的基于焊料的混合接合。一种半导体装置组件，其包括第一半导体装置，第一半导体装置包含具有前侧表面的第一衬底、位于第一衬底的前侧表面上的多个焊料凸块以及在前侧表面上的第一聚合物层。半导体装置组件还包括第二半导体装置，第二半导体装置包含具有背侧表面的第二衬底、从第二衬底的背侧表面突出的多个TSV以及在第一衬底的背侧表面上的第二聚合物层，第二聚合物层具有对应于多个TSV的多个开口。第一和第二半导体装置接合以使得第一聚合物层接触第二聚合物层，并且多个焊料凸块中的每一者延伸到多个开口中的对应一者中并接触多个TSV中的对应一者。
用于间距 blt 互连基于焊料混合接合

[发明专利]一种采用细粒银箔进行低压固态键合的方法及键合结构-CN202310255475.4有效
发明人：方瀚楷;方瀚宽;侯丽丽 -专利权人：广东中实金属有限公司
申请日： 2023-03-16 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明提供的一种采用细粒银箔进行低压固态键合的方法及键合结构，解决现有技术中芯片连接条件存在机械性能差、孔隙率大、影响芯片连接质量的技术问题。包括如下步骤：(1)制备细粒银箔：采用冷轧和多次退火的方法生产银箔，消除了残余应力和织构，获得良好的显微组织，具体为：在真空下，将银锭熔化成银丸，进行冷轧和退火处理，在每次轧制运行中，降低70％银箔的厚度，退火温度为250℃‑350℃，制得厚度为50μm‑100μm的细粒银箔；(2)固态原子键合连接；在真空中，以步骤(1)制备的细粒银箔为粘结介质，键合结构从上至下依次为：金属化硅片、所述细粒银箔和铜基片，进行固态键合连接。可广泛应用于微电子封装技术领域。
一种采用细粒银箔进行低压固态方法结构

[发明专利]一种芯片多工位焊接机焊线工作台及其使用方法-CN202310656494.8在审
发明人：倪瑞玲;郭刘军;向于松;钟世豪 -专利权人：东莞添迪电子五金实业有限公司
申请日： 2023-06-05 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明公开了一种芯片多工位焊接机焊线工作台及其使用方法，所述工作台包括调节机构和连接机构，调节机构包括支撑部件、限位部件和底座，底座一侧外表面转动连接有第一转杆，第一转杆外表面套设有旋转锥形齿轮，第一转杆外表面套设有第一连接齿轮，底座顶部固定连接有连接架，连接架一侧内表壁转动连接有调节栓，调节栓外表面螺纹连接有推片。本发明在使用时，通过调节锥形齿轮可有效带动调节螺纹杆进行旋转，使旋转的调节螺纹杆能够通过连接片有效调节套框的使用高度，从而能够有效调节载物板的使用高度，进而能够根据实际使用情况便捷将不同质量的待焊接物件搬运至载物板顶部，再通过旋转旋转栓将载有待焊接物件的载物板调节至合适使用高度。
一种芯片多工位焊接机焊线工作台及其使用方法

[发明专利]一种BGA器件与裸芯片双面集成微电路结构及制作方法-CN202310699829.4在审
发明人：李梦琳;赵国良;郑东飞;郭清军;张现顺 -专利权人：西安微电子技术研究所
申请日： 2023-06-13 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明公开了一种BGA器件与裸芯片双面集成微电路结构及制作方法，结构包括PCB基板，所述PCB基板的上表面设置BGA器件和无源器件，PCB基板的下表面开设有腔体，PCB基板的内部设置有导带线，连接上表面、下表面和内部腔体中的元器件，腔体内设置有若干裸芯片，裸芯片通过键合丝与导带线连接，腔体与腔体盖板配合密封连接。通过将BGA器件与裸芯片分别安置在封装承载板的两个面上进行混合集成，利用BGA器件所占用的安装面，将多个裸芯片安置在其下方，可大大降低整体模块所占的安装面积，有效的解决了大规模、高功耗器件与裸芯片的高密度集成及热设计问题，提高了电路结构在工作过程中的可靠性和稳定性。
一种 bga 器件芯片双面集成电路结构制作方法

[发明专利]一种晶圆重构方法-CN202310139412.2在审
发明人：胡小波;张晓军;杨登亮;朱文献 -专利权人：深圳市矩阵多元科技有限公司
申请日： 2023-02-10 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L21/603 文献下载
摘要：本发明属于半导体封装技术领域，提供了一种晶圆重构方法，先将为半导体器件层、第一晶圆、蓝膜从上到下依次设置制得第一结构；第二晶圆粘接粘接体A制得第二结构；第三晶圆粘接粘接体B制得第三结构；粘接体B与晶片之间的附着力粘接体A与晶片之间的附着力晶片与蓝膜之间的附着力；第二结构与第一结构重合，施加压力后分离，晶片被转移至第二结构的粘接体A上，再将第二结构与第三结构重合，施加压力后分离，晶片被转移至第三结构的粘接体B上，完成晶圆重构，对位偏差小，偏移X轴＜1μm，偏移Y轴＜1μm。
一种晶圆重构方法

[发明专利]半导体装置的制造装置以及制造方法-CN202180090045.0在审
发明人：笠间広幸 -专利权人：株式会社新川
申请日： 2021-06-18 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明的半导体装置的制造装置包括：焊针(30)；线夹(34)；移动机构(18)，包括一台以上的驱动马达(22)；位置传感器(28)，检测所述焊针(30)的位置；及控制器(50)，对所述焊针(30)、所述线夹(34)、及所述移动机构(18)的驱动进行控制，且所述控制器(50)构成为执行如下的处理：尾部切割处理，在闭合所述线夹(34)的状态下，使所述焊针(30)向与对象面分离的方向移动，由此切断尾部；及指标测定处理，测定刚切断所述打线W后的所述焊针(30)的位置偏差的峰值、或测定切断所述打线W时的所述驱动马达(22)的电流值即断裂指标Sb。
半导体装置制造以及方法

[发明专利]一种晶圆级芯片的扇入型封装结构的制作方法-CN202310886011.3在审
发明人：张黎 -专利权人：浙江禾芯集成电路有限公司
申请日： 2023-07-19 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆级芯片的扇入型封装结构的制作方法，属于半导体封装技术领域。本发明的制作方法如下：提供晶圆；多次利用微影光刻及电镀工艺在晶圆的芯片电极上形成下大上小的金属阶梯微凸台；在晶圆上方用塑封料包覆所有的金属阶梯微凸台形成塑封层；利用减薄工艺，减薄塑封层，露出金属阶梯微凸台；利用金属再布线工艺形成再布线金属层与金属阶梯微凸台电信连接；设置金属凸块与金属阶梯微凸台电信连接；金属凸块上形成焊料连接件；切割形成复数颗独立的晶圆级芯片封装结构单体。本发明采用微影光刻及电镀工艺形成具有下大上小结构的金属阶梯微凸台，降低了因为介电材料与金属阶梯微凸台分层的影响，提高了产品的可靠性。
一种晶圆级芯片扇入型封装结构制作方法

[发明专利]接合体的制造方法及接合材料-CN201880070553.0有效
发明人：中子伟夫;江尻芳则;石川大;须镰千绘;川名祐贵;根岸征央;谷中勇一 -专利权人：株式会社力森诺科
申请日： 2018-11-08 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明提供一种接合体的制造方法，其具备以下工序：第一工序，其中准备具备第一构件、第二构件和接合材料的层叠体，所述第一构件在表面设有金属柱状物，所述第二构件在表面设有电极垫，且按照金属柱状物与电极垫相互间相向的方式配置，所述接合材料设置在金属柱状物与电极垫之间，且含有金属粒子及有机化合物；第二工序，其中加热层叠体，在规定的烧结温度下使接合材料烧结，其中，接合材料满足下述式(I)的条件，(M1‑M2)/M1×100≥1.0 (I)式(I)中，M1表示在第二工序中、接合材料的温度到达烧结温度时的接合材料的质量，M2表示接合材料中的不挥发成分量。
接合制造方法材料

[发明专利]芯片封装结构、其制备方法及终端设备-CN202180088663.1在审
发明人：汤佳杰;王旭;沈晓菊;徐天翔 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2021-04-29 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本申请公开了一种芯片封装结构、其制备方法及终端设备，其中芯片封装结构包括：芯片；芯片的表面具有裸露的多个导电的衬垫；分别位于多个导电的衬垫上的多个凸块结构，多个凸块结构中的每一凸块结构包括金属层和位于金属层上的一个或多个焊帽，且多个凸块结构中至少有一个凸块结构的金属层上设置有多个焊帽。申请实施例中提供的芯片封装结构，通过在至少一个凸块结构的金属层上设置多个焊帽，可以增加芯片上凸块结构的占用面积比例，从而有利于分散在封装制造过程中凸块结构对芯片内部的压力，并且还可以进一步增加凸块结构的散热能力和通电流能力。
芯片封装结构制备方法终端设备

[发明专利]半导体智能功率模块封装方法及半导体智能功率模块-CN202310683548.X在审
发明人：李恊松;严大生;陈斐彰;付小雷;曹起辉;卢家辉;王忠伟;王玉定;杜明;林元文 -专利权人：海南航芯高科技产业集团有限责任公司
申请日： 2023-06-07 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体智能功率模块封装方法，包括：提供DBC板，所述DBC板的第一面设置有第一线路，所述第一线路在所述DBC板中间具有芯片焊盘，所述第一线路在所述DBC板的边沿具有引脚焊盘；提供IGBT芯片和控制芯片，将IGBT芯片和控制芯片的电极贴焊在第一线路的芯片焊盘上；提供平板式的引线框架，所述引线框架包括框体和形成于所述框体中间的中空槽，所述中空槽与所述引脚焊盘所在边沿对应的槽壁向内凸设有与所述引脚焊盘对应的外引脚，将焊接有所述IGBT芯片和控制芯片的DBC板安装在所述引线框架上，并使得所述引脚焊盘与对应外引脚的末端贴焊。本发明还公开了对应的半导体智能功率模块。本发明的封装方法封装效果好，成本低。
半导体智能功率模块封装方法

[发明专利]一种芯片封装方法及其制品-CN202310580283.0在审
发明人：鲁大鹏 -专利权人：重庆中舜微电子有限公司
申请日： 2023-05-22 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明涉及半导体封装技术领域，公开了一种芯片封装方法及其制品，其封装方法包括：以封装基板上引脚分布的对称线为基准，将封装基板分为两部分，并选取其中一部分作为封装部进行封装；所述对称线两侧的引脚设置相同；所述封装基板上装配有晶粒，且所述晶粒的第一逻辑电路和第二逻辑电路所在的区域分别与封装基板的两部分对齐。本发明能够优化芯片设置成本，并进一步减小芯片占用体积。
一种芯片封装方法及其制品

[发明专利]一种半导体芯片贴片工艺及设备-CN202211153255.2有效
发明人：朱文锋 -专利权人：深圳市三联盛科技股份有限公司
申请日： 2022-09-21 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本申请涉及半导体封装的技术领域，尤其是涉及一种半导体芯片贴片工艺及设备。该一种半导体芯片贴片工艺，先将导电胶涂覆或点滴在基板的基岛上，再将背面镀有金属层的晶片吸取并放置到基岛上，使得金属层与导电胶接触，最后将晶片和基板一起加热至预设的固化温度，使得导电胶固化将晶片和基岛粘结，固化温度小于200℃。本申请提供的一种半导体芯片贴片工艺，相比于传统贴片工艺，大大降低了贴片所需温度，改善了芯片产品因材料热膨胀系数的差异产生的易分层问题，减少了高温对芯片的热损伤，有利于获得性能更加优异的产品并提高生产效率。
一种半导体芯片工艺设备

[发明专利]柔性印刷电路板和制造柔性印刷电路板的方法-CN201880075688.6有效
发明人：冈上润一;冈田久夫 -专利权人：住友电工印刷电路株式会社
申请日： 2018-11-23 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：根据本公开的一个实施例的柔性印刷电路板设置有：基膜，其具有绝缘性能；第一导电图案，其层叠在基膜上并且覆盖有金、镍或防锈材料；以及第二导电图案，其层叠在基膜上并且覆盖有锡或焊料。
柔性印刷电路板制造方法

[发明专利]压力烧结方法及用于该方法的压力传递装置-CN201810802933.0有效
发明人：乌尔里希·扎格鲍姆;彼得·施特克莱因;哈拉尔德·科波拉 -专利权人：赛米控电子股份有限公司
申请日： 2018-07-18 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L21/603 文献下载
摘要：本发明提出了一种压力烧结方法及用于该方法的压力传递装置，所述压力传递装置由弹性材料形成，特别是在烧结压机的压力下形成，并且设置成布置在烧结压机的压力冲头与工件和布置在工件上的第一连接配对件之间，其中烧结材料或烧结金属布置在工件和所述第一连接配对件之间，其中由工件、烧结材料或烧结金属和所述第一连接配对件组成的组件具有第一表面轮廓，其中所述压力传递装置被设计成在所有侧面上突出于第一连接配对件，并且在其面对所述组件的侧面上具有第二表面，该第二表面具有对应于所述第一表面轮廓的负像的第二表面轮廓。同样提出了使用所述压力传递装置的两种方法。
压力烧结方法用于传递装置