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[发明专利]封装方法-CN202111594481.X在审
发明人： 刘清召;阎大勇;赵娅俊;刘敏;王阳 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2021-12-23 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：一种封装方法，方法包括：提供第一晶圆；进行多次晶圆堆叠操作，晶圆堆叠操作包括：形成呈凸台状的第一待键合晶圆，包括基底部和凸出于基底部的凸起部，将凸起部面向第二待键合晶圆，并与第二待键合晶圆键合，形成堆叠晶圆；对第一待键合晶圆背面进行减薄处理，减薄处理厚度至少为第一基底部的厚度；在凸起部的表面形成第一介质层，第一介质层的拐角处呈弧形状；对凸起部的边缘区域和第二待键合晶圆的边缘区域进行第二修边处理，使第二修边处理后的剩余第二待键合晶圆呈凸台状，且第二修边处理后剩余的堆叠晶圆作为后一次晶圆堆叠处理的第一待键合晶圆。降低在第二待键合晶圆的表面留有残留物的概率，从而能够提高半导体结构的性能。
封装方法

[发明专利]一种晶圆键合结构及其形成方法-CN202111541406.7在审
发明人： 刘清召 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2021-12-16 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本申请提供一种晶圆键合结构及其形成方法，所述结构包括：底部晶圆，所述底部晶圆表面形成有第二介质层，所述第二介质层中形成有第二金属层和第二金属键合标记；第三介质层，位于所述第二介质层表面，所述第三介质层中形成有贯穿所述第三介质层且延伸至所述第二介质层并电连接所述第二金属层的第一再分布层；功能晶圆，所述功能晶圆的第二面形成有第一介质层，所述第一介质层中形成有第二再分布层和第一金属键合标记；所述功能晶圆的第一介质层和所述底部晶圆的第三介质层通过所述第一金属键合标记和所述第二金属键合标记对准并键合。本申请提供一种晶圆键合结构及其形成方法，可以在不影响工艺复杂度的情况下提高晶圆对准精度。
一种晶圆键合结构及其形成方法

[发明专利]一种晶圆结构的形成方法-CN202111533016.5在审
发明人：刘括;阎大勇;刘清召;刘敏;赵娅俊;槐宝;强力 -专利权人：中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2021-12-15 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：本申请提供一种晶圆结构的形成方法，所述方法包括：提供包括底部晶圆和载体晶圆的键合结构，其中，所述底部晶圆和所述载体晶圆中间依次包括底部介质层和载体介质层，所述底部晶圆和所述载体晶圆通过所述底部介质层和所述载体介质层键合；将所述载体晶圆减薄至特定厚度，减薄后的所述载体晶圆不同位置厚度分布不均；在所述载体晶圆中注入改性离子，使所述载体晶圆与所述载体介质层相对于第一刻蚀剂产生刻蚀速率的突变；采用所述第一刻蚀剂去除所述载体晶圆。本申请所述的一种晶圆结构的形成方法，通过注入改性离子，使想要去除的部分晶圆和不想要去除的部分晶圆对第一刻蚀剂产生刻蚀速率的突变，从而提高刻蚀后晶圆厚度的均匀性。
一种结构形成方法

[发明专利]一种硅通孔结构的形成方法-CN202111533963.4在审
发明人： 刘清召 -专利权人：中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2021-12-15 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本申请提供一种硅通孔结构的形成方法，所述方法包括：提供载体晶圆，所述载体晶圆表面依次形成有硬掩膜层和第一键合标记层；通过所述一键合标记层将所述载体晶圆和功能晶圆的第一面键合；提供底部晶圆，所述底部晶圆表面形成有第一介质层以及位于所述第一介质层中的第一金属层；将所述底部晶圆和所述功能晶圆的第二面键合；去除所述载体晶圆；以所述硬掩膜层为掩膜刻蚀所述第一键合标记层和所述功能晶圆形成贯穿所述第一键合标记层和所述功能晶圆且暴露所述第一金属层的硅通孔；在所述硅通孔中填充金属形成硅通孔结构。本申请提供一种硅通孔结构的形成方法，可以提高硅通孔结构的密度，提高功能晶圆之间的电信号互联密度。
一种硅通孔结构形成方法

[发明专利]一种晶圆处理方法-CN202111489912.6在审
发明人：王阳;阎大勇;赵娅俊;刘敏;槐宝;刘清召 -专利权人：中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2021-12-08 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本申请技术方案提供一种晶圆处理方法，包括：提供第一晶圆和第二晶圆，其中所述第一晶圆上形成有第一介质层，所述第二晶圆上形成有第二介质层；平坦化所述第一介质层至目标厚度，其中在部分所述第一晶圆和所述第一介质层的边缘形成第一修边区，且所述第一修边区包括平坦化所述第一介质层时形成的倒角缺陷；然后，采用第一修边工艺去除包括所述倒角缺陷的第一修边区；在所述第一介质层上形成第三介质层，并将所述第三介质层和所述第二介质层相贴合，键合所述第一晶圆和所述第二晶圆；减薄所述第一晶圆至目标位置，并采用第二修边工艺对所述第一晶圆和所述第二晶圆的边缘进行修边。本申请技术方案能够解决刀具损坏和晶圆崩边问题。
一种处理方法

[发明专利]晶圆处理方法及其系统-CN202111489993.X在审
发明人： 刘清召 -专利权人：中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2021-12-08 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本申请技术方案提供一种晶圆处理方法及其系统，所述方法包括：提供第一晶圆及键合在所述第一晶圆上的第二晶圆，其中所述第二晶圆的边缘包括经第一次修边后形成的棱角；对所述第一晶圆和第二晶圆的边缘进行第二次修边，其中所述第二次修边包括：采用第一刀具去除所述棱角，其中所述第一刀具的工作面为内凹的圆弧状；然后，采用第二刀具去除部分所述第一晶圆和第二晶圆的边缘，其中所述第二刀具的工作面为平面，且所述第一刀具的硬度大于所述第二刀具的硬度。本申请技术方案能够解决刀具损坏和晶圆崩边问题。
处理方法及其系统

[发明专利]晶圆键合结构及其修边方法-CN202111384621.0在审
发明人： 刘清召;阎大勇;赵娅俊;刘敏 -专利权人：中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2021-11-22 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本申请提供晶圆键合结构及其修边方法，所述方法包括：提供载体晶圆，所述载体晶圆表面键合有第一晶圆，所述第一晶圆的直径小于所述载体晶圆的直径；使用修边工具对所述第一晶圆进行第一修边，去除所述第一晶圆边缘的一部分，其中，所述修边工具的工作面被所述第一晶圆的边缘磨损；使用修复工具修复所述修边工具的工作面的磨损；使用修复后的修边工具对所述载体晶圆进行第二修边，去除所述载体晶圆边缘的一部分。本申请提供一种晶圆键合结构及其修边方法，在进行第一修边后，对修边工具进行修复，然后在进行第二修边，可以避免修边工艺在晶圆上留下痕迹，从而提高晶圆的良率。
晶圆键合结构及其方法

[发明专利]一种晶圆键合结构及其形成方法-CN202111334934.5在审
发明人： 刘清召;赵娅俊;刘敏 -专利权人：中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2021-11-11 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本申请提供一种晶圆键合结构及其形成方法，所述晶圆键合结构包括：底部晶圆，所述底部晶圆表面形成有底部介质层；第一晶圆，键合于所述底部晶圆表面，所述第一晶圆面向所述底部晶圆的一面形成有第一介质层，所述第一晶圆和所述底部晶圆通过所述底部介质层和所述第一介质层键合，所述第一晶圆的边缘具有气泡缺陷的一部分被去除。本申请提供一种晶圆键合结构及其形成方法，在晶圆键合之后及时去除键合晶圆边缘处的气泡缺陷，提高器件可靠性。
一种晶圆键合结构及其形成方法

[发明专利]一种晶圆堆叠结构及其形成方法-CN202111333468.9在审
发明人： 刘清召 -专利权人：中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2021-11-11 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本申请提供一种晶圆堆叠结构及其形成方法，所述结构包括：底部晶圆；第一晶圆，堆叠于所述底部晶圆表面，所述第一晶圆的直径小于所述底部晶圆的直径；第一填充层，位于所述第一晶圆周围覆盖所述底部晶圆；第二晶圆，堆叠于所述第一晶圆表面，所述第二晶圆的直径与所述第一晶圆的直径相同；第二填充层，位于所述第二晶圆周围覆盖所述第一填充层；以此类推直至第N晶圆，堆叠于第N‑1晶圆表面，所述第N晶圆的直径与所述第N‑1晶圆的直径相同；第N填充层，位于所述第N晶圆周围覆盖第N‑1填充层，所述N为大于等于2的整数。堆叠的多层晶圆可以保持相同的尺寸，可以提升有效芯片数量，解决晶圆边缘洗边时洗不干净的问题。
一种堆叠结构及其形成方法

[发明专利]阵列基板及其制备方法、显示装置-CN201710674709.3有效
发明人： 刘清召;王久石;路达 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2017-08-09 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： H01L21/84 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种阵列基板及其制备方法、显示装置。阵列基板的制备方法包括：在基底上依次形成有源层、栅绝缘层、栅金属层以及图形化光刻胶；采用湿法刻蚀和干法刻蚀形成栅极过渡图案；形成有源层的重掺杂区；形成栅极和有源层的轻掺杂区。本发明通过采用“湿法刻蚀+干法刻蚀”组合工艺形成栅极过渡图案，不仅克服了现有技术过刻需求大导致的关键尺寸偏差，而且克服了现有采用纯干法刻蚀因光刻胶损耗大影响后续掺杂的问题。本发明有效克服了现有制备工艺中存在较大掺杂区域偏差的问题，保证了重掺杂区和轻掺杂区的长度，提升了LTPS薄膜晶体管的电学特性，提高了产品的可靠性和良品率。
阵列及其制备方法显示装置

[发明专利]用于键合的晶圆结构及其形成方法、键合方法-CN202110073805.9在审
发明人： 刘清召 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2021-01-20 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：本申请提供一种用于键合的晶圆结构及其形成方法、键合方法，所述键合方法包括：提供第一晶圆和第二晶圆；利用所述第一标记区对准所述第一晶圆和所述第二晶圆并进行键合。本申请提供一种用于键合的晶圆结构及其形成方法、键合方法，使晶圆边缘的厚度小于晶圆中心的厚度，可以避免晶圆键合后产生气泡缺陷，提高器件可靠性。
用于结构及其形成方法

[发明专利]纳米孔薄膜、基因测序装置及纳米孔薄膜的制备方法-CN201910032354.7有效
发明人：董水浪;王利忠;刘清召;赵磊;卢鑫泓;党宁 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2019-01-14 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： C12Q1/6869 文献下载
摘要：本公开提供了一种纳米孔薄膜、基因测序装置及纳米孔薄膜的制备方法，该纳米孔薄膜包括：基板、设置在所述基板的一面上的薄膜本体以及贯穿所述薄膜本体的纳米孔道，其中，所述基板上具有与所述纳米孔道相对应的通孔，所述纳米孔道具有用于容纳单个核酸分子通过且能够改变核酸分子的移动方向以降低核酸分子移动速度的检测部。本公开的纳米孔薄膜，由于纳米孔道中具有仅能容纳单个核酸分子通过的检测部，且该检测部能够通过改变核酸分子的移动方向来降低核酸分子的移动速度，核酸分子通过检测部的速度较慢，能够提高获取到的检测信号的数据量，进而能够提高基因测序的准确度。
纳米薄膜基因装置制备方法

[发明专利]晶圆键合标识及其形成方法、晶圆键合方法-CN202011539811.0在审
发明人： 刘清召 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2020-12-23 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本申请提供一种晶圆键合标识及其形成方法、晶圆键合方法，其中所述晶圆键合标识包括主标识尺，包括若干均匀分布且具有第一间隔尺寸的主刻线；副标识尺，与所述主标识尺的起点对齐，且平行于所述主标识尺分布，包括若干均匀分布且具有第二间隔尺寸的副刻线；所述第一间隔尺寸大于所述第二间隔尺寸，且具有特定差值。本申请技术方案的晶圆键合标识在键合时可以作为键合标识，同时还能提供偏移数据，保证键合精度。
晶圆键合标识及其形成方法

[发明专利]阵列基板、显示设备和制造阵列基板的方法-CN201980001398.1有效
发明人：班圣光;曹占锋;王珂;刘清召;董水浪 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2019-08-20 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：提供了一种阵列基板。阵列基板包括：具有第一子像素阵列的显示区域；和具有第二子像素阵列的部分透明区域。部分透明区域包括被实质上透明的非发光区域彼此间隔开的多个发光区域。第二子像素阵列限于多个发光区域中。阵列基板还包括位于实质上透明的非发光区域中的多个光传感器和多个第一薄膜晶体管。多个光传感器中的对应一个包括第一极性半导体层、第二极性半导体层和将第一极性半导体层与第二极性半导体层连接的本征半导体层。
阵列显示设备制造方法

[发明专利]阵列基板及其制造方法，以及显示面板和显示装置-CN201910476259.6有效
发明人： 刘清召;李士佩;卢鑫泓;梁志伟;董水浪;王国强 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2019-06-03 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： G06K9/00 文献下载
摘要：本发明涉及显示技术领域，并且具体地，提供了阵列基板及其制造方法，以及对应的显示面板和显示装置。阵列基板包括：衬底基板，具有彼此相对的第一表面和第二表面；在所述衬底基板的第一表面上阵列排布的多个读出单元；以及在所述衬底基板的第二表面上阵列排布的多个指纹识别单元，所述指纹识别单元通过贯穿所述衬底基板的第一过孔与对应的读出单元电连接。
阵列及其制造方法以及显示面板显示装置

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