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[发明专利]半导体装置、晶圆及晶圆的制造方法-CN202210757701.4在审
发明人：岩下康纪;荒井伸也;中塚圭祐;芦立浩明 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2022-06-29 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：实施方式提供一种能够抑制贴合面及贴合面附近的不良情况的半导体装置、晶圆及晶圆的制造方法。实施方式的半导体装置具有第1积层体、及与第1积层体贴合的第2积层体。第1积层体具有设置在第1积层体与第2积层体贴合的第1贴合面的第1焊垫。第2积层体具有在第1贴合面处与第1焊垫接合的第2焊垫。将从第1积层体朝向第2积层体的方向设为第1方向，将与第1方向交叉的方向设为第2方向，将与第1方向及第2方向交叉的方向设为第3方向，将第3方向上的第1焊垫、第2焊垫各自的尺寸设为PX1、PX2，将第2方向上的第1焊垫、第2焊垫各自的尺寸设为PY1、PY2时，第1焊垫、第2焊垫各自的尺寸满足下述式(1)、(2)的至少一者。PX1＞PY1…(1)，PY2＞PX2…(2)。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202210775276.1在审
发明人：岩下康纪;荒井伸也;中塚圭祐;芦立浩明 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2022-07-01 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：实施方式提供能够使基板彼此良好地贴合的半导体装置及其制造方法。根据一个实施方式，半导体装置的制造方法包括：以在第一基板上产生翘曲的方式，在第一基板上的多个第一区域中的每一个上形成第一金属焊盘。所述方法还包括：在第二基板上的多个第二区域中的每一个上隔着规定的图案形成第二金属焊盘。所述方法还包括：在形成第一金属焊盘以及第二金属焊盘之后，将第一基板与第二基板贴合。除此之外，所述方法还包括：在第二基板上的多个第二区域中的每一个上形成规定的图案时，将多个第二区域中的每一个上的规定的图案的位置进行如下修正，即：在第一方向上向接近第二基板的中心的方向变更，在第二方向上向远离第二基板的中心的方向变更。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体制造装置及半导体装置的制造方法-CN201910126800.0有效
发明人：杉田智彦;佐藤胜广;芦立浩明 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2019-02-20 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：实施方式涉及一种半导体制造装置及半导体装置的制造方法。根据一个实施方式，半导体制造装置具备衬底保持部，该衬底保持部将多个衬底以所述衬底彼此相互平行地排列的方式保持。所述装置进而具备流体喷射部，该流体喷射部具有多个开口部，且使从所述开口部喷射的所述流体的喷射方向在与所述衬底的表面平行的面内通过自激振荡而变动，所述开口部向与所述衬底的表面相距的距离处于相互邻接的所述衬底间的中心间距离以内的区域，喷射流体。
半导体制造装置方法

[发明专利]半导体制造装置及其制造方法-CN202210998156.8在审
发明人：森爱;芦立浩明 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2022-08-19 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：实施方式提供能够将基板彼此适宜地贴合的半导体制造装置及其制造方法。实施方式的半导体制造装置具备取得第1基板与第2基板的倍率差的值的倍率差取得部。所述装置还具备基于所述倍率差的值来决定保持所述第1基板或所述第2基板的吸盘的变形量的值的变形量决定部。所述装置还具备基于所述变形量的值来决定所述第1基板与所述第2基板之间的间隙的值的间隙决定部。所述装置还具备在将所述第1基板和所述第2基板贴合前将所述变形量控制成决定的所述值且将所述间隙控制成决定的所述值的贴合控制部。
半导体制造装置及其方法

[发明专利]半导体存储装置及其制造方法-CN201910684441.0在审
发明人：坂田晃一;铃木和贵;芦立浩明;佐藤胜广;中冈聡 -专利权人：东芝存储器株式会社
申请日： 2019-07-26 - 公布日： 2020-09-22 - 主分类号： H01L27/11551 文献下载
摘要：实施方式提供一种能够抑制存储区面积增大或半导体存储装置大型化的半导体存储装置及其制造方法。一实施方式的半导体存储装置具有：第1积层体，包含在第1方向上积层，且在第2方向及第3方向上延伸的多个第1电极层；第2积层体，包含在第1积层体的第1方向上积层，且在第2方向及第3方向上延伸的多个第2电极层；半导体膜，在第1积层体内及第2积层体内在第1方向上延伸；电荷储存层，分别设置在多个第1电极层与半导体膜之间、及多个第2电极层与半导体膜之间；及分离构造，在第1方向及第2方向上延伸，且在第3方向上将第1积层体及第2积层体分离。分离构造具有：第1分离膜，在第1方向上延伸，在第3方向上将第1积层体分离；第2分离膜，第3方向上的位置与第1分离膜不同，且在第1方向上延伸，在第3方向上将第2积层体分离；及膜，设置在第1分离膜上，包含与第1方向上延伸的第1分离膜相同的材料。
半导体存储装置及其制造方法

[发明专利]基板处理装置及半导体装置的制造方法-CN201910675941.8在审
发明人：中冈聪;佐藤胜广;芦立浩明;村木信介;桥本有司 -专利权人：东芝存储器株式会社
申请日： 2019-07-25 - 公布日： 2020-09-04 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明的实施方式涉及基板处理装置及半导体装置的制造方法。实施方式的基板处理装置具备处理槽、容器、测量器和控制部。处理槽贮存对基板进行处理的药液。容器贮存将从处理槽排出的气体进行气液分离而得到的包含氨的液体。测量器经时地测量液体中包含的氨量。控制部基于氨量，控制基板的处理。
处理装置半导体制造方法

[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法-CN201510740559.2有效
发明人： 芦立浩明;谷田一真 -专利权人：东芝存储器株式会社
申请日： 2015-11-04 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明的实施方式是涉及半导体装置及半导体装置的制造方法，该半导体装置包括低黏接性膜、一对基板、及金属电极。低黏接性膜相较于半导体氧化膜而对金属的黏接性更低。一对基板隔着低黏接性膜而设置。金属电极贯通低黏接性膜而连接一对基板，且于一对基板之间具有较埋设于一对基板的部位更细的部位。埋设于一基板的金属电极的一部分在与另一基板上的低黏接性膜之间隔着空隙而设置。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN201510740864.1有效
发明人：谷田一真;芦立浩明 -专利权人：东芝存储器株式会社
申请日： 2015-11-04 - 公布日： 2019-10-18 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：实施方式的半导体装置的制造方法包含以下步骤：在设于第1基板及第2基板的各表面的绝缘层的表面形成开口；向开口埋入金属；使绝缘层的表面活化；通过碳酸水对第1基板侧的开口所埋入的金属的表面进行清洗；以及将第1基板侧的绝缘层与第2基板侧的绝缘层贴合，而将第1基板侧的埋入的金属与第2基板侧的埋入的金属连接。
半导体装置制造方法

[发明专利]固体摄像装置及固体摄像装置的制造方法-CN201410532164.9无效
发明人：江田健太郎;吉野健一;奥城慎太郎;福水裕之;南孝明;用正武;芦立浩明 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2014-10-10 - 公布日： 2015-04-29 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：提供一种能够抑制暗电流的发生的固体摄像装置及固体摄像装置的制造方法。根据本发明的一实施方式，提供一种固体摄像装置。固体摄像装置具备光电变换元件、沟槽和第1导电型的半导体区域。光电变换元件具有第1导电型的半导体层、和以矩阵状2维排列在半导体层上的第2导电型的半导体区域而形成为多个，将入射光光电变换为电荷并储存。沟槽形成在相邻的光电变换元件间，从第1导电型的半导体层的表面朝向深度方向形成。第1导电型的半导体区域以包围沟槽的外周面的方式设置，含有活性化的第1导电型的杂质。
固体摄像装置制造方法

[发明专利]固体摄像装置的制造方法以及固体摄像装置-CN201410052699.6在审
发明人： 芦立浩明 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2014-02-17 - 公布日： 2015-02-11 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明的一个实施方式的目的在于，提供一种能够降低暗电流的固体摄像装置的制造方法以及固体摄像装置。根据本发明的一个实施方式，提供一种固体摄像装置的制造方法。在固体摄像装置的制造方法中，通过在第一导电型的半导体层上矩阵状地二维排列第二导电型的半导体区域，来形成多个光电转换元件。通过以划分半导体层的方式形成俯视格子状的槽，来将光电转换元件整形为俯视矩形形状。将被整形为俯视矩形形状的光电转换元件整形为角的数量比矩形多的俯视凸多边形形状。在由绝缘膜覆盖了槽的内周面之后，在被绝缘膜覆盖的槽中设置遮光部件来形成元件分离区域。
固体摄像装置制造方法以及

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