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[发明专利]晶圆级扇出封装结构及其制备方法-CN202310459339.7在审
发明人：庞宏林;刘展文;施黄竣元;高司政;江晨浩 -专利权人：甬矽半导体（宁波）有限公司
申请日： 2023-04-24 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：一种晶圆级扇出封装结构及其制备方法，涉及半导体封装技术领域。该晶圆级扇出封装结构的制备方法包括：提供来料晶圆，来料晶圆上形成有露出其焊盘的钝化层；在钝化层上形成导电层；在导电层上涂覆光刻胶层，并刻蚀光刻胶层以形成第一窗口，第一窗口在来料晶圆上的正投影覆盖焊盘，且第一窗口的边缘与焊盘的边缘不重合；在第一窗口内填充金属材料，以形成通过导电层与焊盘连接的附加焊盘；去除光刻胶层，并去除露出的导电层，以得到第一器件；切割第一器件以得到单颗芯片。该晶圆级扇出封装结构的制备方法能够在无需额外设备的情况下，有效减少因焊盘与重布线层之间连接不良而导致的产品失效，从而提高产品良率。
晶圆级扇出封装结构及其制备方法

[发明专利]一种多芯粒晶圆级集成的混合键合方法-CN202211098655.8有效
发明人：王伟豪;李顺斌;刘冠东;张汝云 -专利权人：之江实验室
申请日： 2022-09-09 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明公开了一种多芯粒晶圆级集成的混合键合方法，包括：基于提供的待键合的半导体晶圆衬底、n个芯粒以及预键合晶圆衬底，将待键合晶圆衬底上的对准标记的图形转移到预键合晶圆衬底；利用临时键合胶将n个芯粒按照对准标记依次贴合在预键合晶圆衬底上构成预键合晶圆；经CMP处理半导体晶圆衬底和芯粒表面后，将待键合半导体晶圆衬底与预键合晶圆对准后进行键合形成晶圆组；最后将晶圆组进行退火热处理，实现半导体晶圆衬底与芯粒的稳定键合，同时去除预键合晶圆衬底，完成多芯粒的晶圆级集成。本发明实现多芯粒集成的一次性混合键合，避免D2W多次键合的铜表面氧化，提高多芯粒键合的质量和精度，提高键合良率及可靠性。
一种多芯粒晶圆级集成混合方法

[发明专利]半导体装置、半导体装置的制造方法和粘接剂-CN201780097759.8有效
发明人：本田一尊;柳田裕贵;上野惠子 -专利权人：株式会社力森诺科
申请日： 2017-12-18 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明公开一种制造半导体装置的方法，其具备如下工序：使具有连接部的第一构件与具有连接部的第二构件通过热固性粘接剂在低于第一构件的连接部的熔点和第二构件的连接部的熔点的温度下进行压接，从而得到第一构件的连接部与第二构件的连接部相对配置的临时压接体的工序；将临时压接体夹在相对配置的一对挤压构件之间，一边加热至大于或等于第一构件的连接部或第二构件的连接部中至少一方的熔点的温度一边加压，从而得到压接体的工序；以及将压接体在加压气氛下进一步加热的工序。第一构件为半导体芯片或半导体晶片，第二构件为配线电路基板、半导体芯片或半导体晶片。
半导体装置制造方法粘接剂

[实用新型]一种自动调节式晶圆解键合同心校正机构-CN202320045643.2有效
发明人：任凯;何雅彬;许为民 -专利权人：上海博纳微电子设备有限公司
申请日： 2023-01-09 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L21/603 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种自动调节式晶圆解键合同心校正机构，包括底座，所述底座的正面固定有五个定位吸盘，所述底座的内部设有用于调节尺寸的调节机构，所述底座的正面设有用于关闭定位吸盘的放开机构，所述调节机构包括固定在底座内部的四个电动推杆，所述电动推杆输出轴的外侧固定有推块，所述推块的左右两侧均固定有滑动连接在底座内部的滑块。该自动调节式晶圆解键合同心校正机构，调节机构通过滑块、橡胶垫、连接块、电动推杆、推块、压力传感器、限位柱、橡胶套筒以及气缸的配合使四个限位柱完成对不同尺寸的晶圆解键合进行固定，同时通过压力传感器使晶圆解键合在与橡胶套筒接触后停止移动，进而避免了晶圆解键合被挤压损坏。
一种自动调节式晶圆解键合同心校正机构

[发明专利]一种针对IGBT的键合组装机构-CN202310357163.4在审
发明人：张强;徐欣 -专利权人：赛晶亚太半导体科技（浙江）有限公司
申请日： 2023-04-06 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明属于键合组装技术领域，且公开了一种针对IGBT的键合组装机构，包括安装座和键合锥，所述安装座的底部焊接有连接架，所述键合锥焊接于连接架的底部，所述安装座、连接架和键合锥的内部开设有金丝穿孔，所述连接架包括有滑杆，所述滑杆的外部固定套接有滑套，所述滑套的外部固定套接有转换机构；所述转换机构包括有固定套接于滑套外部的密封套，所述密封套的内部开设有密封腔。本发明通过密封腔可以在进入的气体能够推动活动块沿着密封腔的内壁运动，进而在密封套对密封环的限制下可以使联动机构带动两个杆机构绕着键合锥公转，即可使两个功能机构位于键合锥不同方向上，以配合键合方向实现不同的功能，达到对应的效果。
一种针对 igbt 组装机构

[发明专利]封装叠层结构及其制备方法-CN202310449607.7在审
发明人：范增焰 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2023-04-23 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本公开提供了一种封装叠层结构及其制备方法。该封装叠层结构的制备方法包括如下步骤：提供第一封装件和第二封装件，第一封装件包括连接垫，第二封装件包括连接件；在第一封装件上制备露出连接垫的图案层；将第二封装主体上的连接件焊接在连接垫上；移除图案层；在第一封装件与第二封装件之间填充包覆连接件的支撑层。该封装叠层结构的制备方法通过制备能够去除的图案层以预留充足的操作空间，不仅能够有效降低后续制备支撑层的难度，还便于在制备支撑层时排出第一封装件和第二封装件之间的气体，能够有效地改善或避免再次填充导致的空洞问题。
封装结构及其制备方法

[发明专利]采用正面后段（FS-BEOL）到背面后段（BS-BEOL）堆叠以进行三维（3D）裸片堆叠的集成电路（IC）封装和相关制造方法-CN202180075664.2在审
发明人： S·S·宋;B·查瓦 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2021-10-18 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：集成电路(IC)封装件采用正面后段(FS‑BEOL)到背面后段(BS‑BEOL)堆叠，以用于三维(3D)裸片堆叠。为了便于提供用于IC封装件中的堆叠IC裸片之间的裸片到裸片互连的附加电路由路径，IC封装件的堆叠IC裸片中的第一裸片(104(1))的BS‑BEOL金属化结构(202)与堆叠IC裸片中的第二裸片(104(2))的FS‑BEOL金属化结构(216)相邻地堆叠。提供从第一裸片的BS‑BEOL金属化结构(202)到第二裸片的FS‑BEOL金属化结构(216)的、用于堆叠IC裸片之间的裸片到裸片互连的电路由路径。与FS‑BEOL金属化结构相比，在更薄的BS‑BEOL金属化结构中形成更短的电路由路径可以更可行，以实现更低电阻和/或更低电容的裸片到裸片互连，以实现IC裸片中的半导体器件性能更快和/或性能兼容。
采用正面后段 fs beol 背面 bs 堆叠进行三维集成电路 ic 封装相关制造

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202210016726.9在审
发明人：范增焰 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-01-07 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构的形成方法，提供半导体芯片和基板后；在所述基板上形成覆盖所述金属焊盘和基板表面的第一覆膜，所述第一覆膜中形成有若干上窄下宽的开口，每一个上窄下宽的开口的底部暴露出的相应的金属焊盘的表面；将所述半导体芯片倒装在所述基板上，使每一个所述金属柱上的焊料凸块位于对应的上窄下宽的开口内，并使得所述焊料凸块填充满所述上窄下宽的开口。由于第一覆膜中形成有若干上窄下宽的开口，从而在将半导体芯片倒装在基板上时能防止半导体芯片的偏移或倾斜，从而防止焊接不良的产生。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体结构及其制备方法-CN202210012128.4在审
发明人：吴小飞;吴公一;徐亚超 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-01-06 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体结构及其制备方法，半导体结构的制备方法包括：提供基底，基底内形成有焊盘；于基底上形成第一电介质层；于第一电介质层内形成开口，开口暴露出焊盘；于开口内形成重布线层，重布线层与焊盘电连接；重布线层的宽度小于开口的宽度。焊盘及第一电介质层相较于传统RDL技术保持不变，于开口内形成的重布线层的宽度小于开口的宽度，本申请重布线层不具有传统RDL技术形成的凹陷及侧壁，有利于WAT探针扎针，不会造成重布线层大量残屑污染，能够很好的保护探针卡，保证探针卡和晶圆的洁净度。
半导体结构及其制备方法

[发明专利]安装装置、安装方法及安装控制程序-CN202180061260.8在审
发明人：瀬山耕平 -专利权人：株式会社新川
申请日： 2021-11-16 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：安装装置包括：安装工具；俯视用拍摄单元，用于俯视拍摄基板且采用了沙姆光学系统；仰视用拍摄单元，用于仰视拍摄保持在安装工具的状态的安装体；校准控制部，基于拍摄校准标志所得的俯视图像与拍摄相同校准标志所得的仰视图像，来运算对基于俯视图像而算出的坐标值与基于仰视图像而算出的坐标值的差量进行校准的校准值；以及安装控制部，基于由仰视用拍摄单元拍摄保持在安装工具的安装体所得的仰视图像，辨识安装体的基准位置，并使安装工具将安装体载置并安装于基板，以使所述基准位置与基于由俯视用拍摄单元拍摄基板所得的俯视图像及校准值而确定的目标位置吻合。
安装装置方法控制程序

[发明专利]电子组件模块、其制造方法、内窥镜装置和移动相机-CN201880051710.3有效
发明人：牧修 -专利权人：索尼公司
申请日： 2018-08-07 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：该电子组件模块设有基板、电子组件和连接器件。基板具有电极阵列。电子组件具有电极阵列。连接器件具有：多个支柱部，均包括导电部；以及基部，支持多个支柱部。连接器件布置在基板与电子组件之间，并且被配置为使得导电部经由焊料将基板的电极阵列和电子组件的电极阵列电连接。
电子组件模块制造方法内窥镜装置移动相机

[发明专利]在基板表面集成BGA焊盘的阻焊制备方法及结构-CN202011554202.2有效
发明人：李仕俊;袁彪;常青松;徐达;王磊;王志会;张彦青;郭旭光;魏爱新;李红梅;王晓青;刘晓娜;吴晓楠;白立娟;高晓晔 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明适用于焊盘制备技术领域，提供了一种在基板表面集成BGA焊盘的阻焊制备方法及结构，该方法包括：在基板上溅射多层金属得到种子层，在种子层上电镀金层；在金层上电镀复合金属结构得到焊盘，并刻蚀焊盘形成焊接锡球的阻焊环，得到第一样品；对第一样品进行第一预设温度空气退火，对退火后的第一样品表面的焊盘四周、覆盖阻焊环位置制备有机阻焊环，再次进行第二预设温度烘烤；在焊盘上有机阻焊环范围内焊接焊料球。本发明在基板上溅射电镀金层做基板表面的导体层，可以提高布线密度；本发明实施例采用全加成逐层电镀的方式制备焊盘，尺寸精度高，且通过焊料球将数字电路芯片焊接到射频管壳内的焊盘上，实现高密度集成。
表面集成 bga 制备方法结构

[发明专利]相对于对象物使第一和第二移动体直线移动的装置及方法-CN201880066585.3有效
发明人：瀬山耕平;歌野哲弥;野口勇一郎 -专利权人：株式会社新川
申请日： 2018-08-28 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明提供一种相对于对象物使第一移动体和第二移动体直线移动的装置及方法，所述相对于对象物使第一移动体和第二移动体直线移动的装置包括：经导轨引导而直线移动的第一基体、第二基体；沿着移动方向以规定间距设有刻度的线性标度尺；以及装设于第一基体、第二基体的第一编码器头、第二编码器头；且一面将第一编码器头、第二编码器头的间隔保持于规定间隔而使第一基体、第二基体沿着导轨移动，一面逐次利用第一编码器头、第二编码器头来检测第一编码器头、第二编码器头所处的第一刻度编号、第二刻度编号，根据规定间隔与第一刻度编号和第二刻度编号之间的标度尺上的距离的比率，控制第一基体、第二基体的移动量。
相对于对象第一第二移动直线装置方法

[发明专利]制造半导体装置的方法-CN201711425972.5有效
发明人：柳生祐贵 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2017-12-26 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本公开涉及制造半导体装置的方法。实现了一个紧凑和高可靠性的半导体装置。在模塑步骤中位于浇口附近的接合线以及位于跨越半导体芯片的中心面对浇口的通气口附近的接合线具有向半导体芯片内下降的环形形状，具有比其它接合线弱的拉力(张力)，并且以一定的余量被松弛地拉伸。在模塑步骤中位于浇口附近的接合线例如是分别要与第一电极焊盘和第五电极焊盘连接的第一导线和第五导线。而在模塑步骤中位于通气口附近的接合线例如是分别要与第三电极焊盘和第七电极焊盘连接的第三导线和第七导线。
制造半导体装置方法

[实用新型]倒装薄膜芯片结构-CN202320110383.2有效
发明人：郝茂盛;张楠;马艳红;刘利;艾进宝;袁根如;陈朋 -专利权人：上海芯元基半导体科技有限公司
申请日： 2023-01-19 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种倒装薄膜芯片结构，包括：第一芯片模块、第二芯片模块以及键合模块；第一芯片模块包括：第一衬底、若干第一P电极以及第一N电极；所述第二芯片模块与所述第一P电极以及第一N电极键合；第二芯片模块包括：基板、绝缘层、第一连接端子以及第二连接端子；所述基板内设有若干通孔且通孔内填充第一金属材料；所述通孔的第一端与所述第一P电极以及第一N电极一一对应连接；且所述若干第一P电极连接的通孔的第二端通过第二金属材料相连通，所述绝缘层内设有贯穿所述绝缘层的第一金属通道以及第二金属通道；所述第一金属通道与所述第一金属材料连接；所述第二金属通道与连接了所述第一N电极的通孔的第二端相连接。
倒装薄膜芯片结构