“H01L21/268”专利分类搜索_专利查询_文献下载_出售_求购_买卖_交易

钻瓜专利网为您找到相关结果451个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]准分子激光退火装置和方法-CN201510383334.6有效
发明人：何超;余威 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2015-07-03 - 公布日： 2018-10-19 - 主分类号： H01L21/268 文献下载
摘要：本发明提供一种准分子激光退火装置，包括用于承载非晶硅薄膜的载台、准分子激光发生器、激光点阵发生器和扫描激光发生器，所述激光点阵发生器用于将所述准分子激光发生器发出的激光转换为照射到所述非晶硅薄膜的干涉激光点阵，扫描激光发生器用于将所述准分子激光发生器发出的激光转换为照射到所述非晶硅薄膜的扫描激光；本发明还提供了非晶硅薄膜的退火方法，在所述具有非晶硅薄膜的基板上的非晶硅薄膜层照射激光点阵，再在所述具有非晶硅薄膜的基板上的非晶硅薄膜层照射激光点阵，使得非晶硅转化为大晶粒尺寸的多晶硅。
准分子激光退火装置方法

[发明专利]半导体薄膜制造中的变频微波（VFM）工艺及应用-CN201480044915.0有效
发明人：柯昌;欧岳生;洛克·元朗·黄;阿南塔克里希纳·朱普迪;格伦·T·莫里;阿克塞尔·基托维斯基;阿尔卡吉特·罗伊·巴曼 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2014-07-02 - 公布日： 2018-10-19 - 主分类号： H01L21/268 文献下载
摘要：本文描述了用于处理基板的方法及设备。真空多腔室沉积工具可包括具有加热机构及变频微波源两者的脱气腔室。本文所述的方法使用变频微波辐射以在不损害各部件的情况下提高脱气工艺的质量及速度。
半导体薄膜制造中的变频微波 vfm 工艺应用

[发明专利]激光退火装置、半导体装置的制造方法-CN201380074352.5有效
发明人：金田和德;凑忠玄;川濑祐介 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2013-03-07 - 公布日： 2018-09-18 - 主分类号： H01L21/268 文献下载
摘要：本发明所涉及的激光退火装置的特征在于，具有：载置台，其载置被加热物；第1激光元件，其放射第1连续激光；第1光学系统，其将该第1连续激光向该被加热物引导，在该被加热物上形成第1照射区域；第2激光元件，其放射与该第1连续激光相比波长较短的第2连续激光；第2光学系统，其将该第2连续激光向该被加热物引导，在该被加热物上形成第2照射区域；以及系统控制器，其以下述方式使该第1照射区域和该第2照射区域进行扫描，即，针对该被加热物的各部分，在该第2照射区域进行扫描前，该第1照射区域的至少一部分进行扫描。
激光退火装置半导体制造方法

[实用新型]一种半导体晶圆正反定位的激光划片装置-CN201820287586.8有效
发明人：鲍家定;周嘉;黄宇星;刘清原;龙芋宏 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2018-03-01 - 公布日： 2018-09-11 - 主分类号： H01L21/268 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种半导体晶圆正反定位的激光划片装置，包括支撑座，所述支撑座顶部的左端固定连接有第七支撑板，且第七支撑板的顶端固定连接有第六支撑板，第六支撑板的底部固定连接有激光器，所述支撑座顶部的右端固定连接有滑座，且滑座的外表面滑动连接有滑动器，所述滑动器的顶端固定连接有第一支撑板，且第一支撑板左侧的上端固定连接有第一电动伸缩杆。本实用新型在第二支撑板的左侧固定安装了电机，并通过第三支撑板、第二电动伸缩杆、第四支撑板和夹座的作用，可满足人们对所夹持的晶圆进行九十度翻转的需求，解决了现有的激光划片装置只能对晶圆的一个表面进行划片处理，降低了划片效率的问题。
支撑板激光划片装置支撑座半导体晶圆本实用新型电动伸缩杆滑动器滑座晶圆滑动连接划片效率上端固定激光器九十度翻转划片夹持夹座左端电机

[实用新型]一种准分子激光退火腔室-CN201820335530.5有效
发明人：朱声建 -专利权人：昆山国显光电有限公司
申请日： 2018-03-12 - 公布日： 2018-09-04 - 主分类号： H01L21/268 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种准分子激光退火腔室，解决了现有技术中惰性气体与准分子激光器所发射的线状激光从同一缝隙中通过而导致的显示面板晶化不均匀的问题。在本实用新型提供的准分子激光退火腔室中，腔室的顶部包括透光区域和气体注入区域，透光区域和气体注入区域分开设置。
腔室准分子激光退火本实用新型透光区域注入区域准分子激光器惰性气体分开设置显示面板线状激光不均匀晶化发射

[发明专利]一种同步扫描激光退火装置-CN201410073757.3有效
发明人：兰艳平;徐建旭 -专利权人：上海微电子装备（集团）股份有限公司
申请日： 2014-03-03 - 公布日： 2018-08-14 - 主分类号： H01L21/268 文献下载
摘要：本发明属于半导体制造设备和技术领域，具体涉及一种同步扫描激光退火装置。所述装置，包括激光光源、依次设置在光路上的电光控制单元、准直扩束单元、匀光单元、聚焦单元和工件台；所述激光光源为完全线偏振光；所述激光光源与所述工件台之间通过同步板卡进行同步控制；所述电光控制单元通过电光开关组件和同步信号控制所述激光光源的光束的通过或截止。本发明提供的技术方案通过在激光器外部添加电光开关组件，在扫描过程中，利用同步电光开关组件控制光束的通过或截止，实现目标区域的退火，该方法规避了现有技术的缺陷，控制便捷，不会造成激光器自身的损失，并且可以通过电压控制退火激光的强度，能够在毫秒量级快速实现退火能量大小的调整。
一种同步扫描激光退火装置

[发明专利]基板处理方法-CN201810038835.4在审
发明人：森数洋司;服部奈绪;卡尔·海因茨·普利瓦西尔 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2018-01-16 - 公布日： 2018-07-27 - 主分类号： H01L21/268 文献下载
摘要：基板处理方法。本发明涉及一种处理基板(2)的方法，该基板具有其上形成有至少一条分割线(22)的第一表面(2a)和与第一表面(2a)相反的第二表面(2b)。该方法包括至少在沿着至少一条分割线(22)的多个位置处从第一表面(2a)一侧向基板(2)施加脉冲激光束(LB)，以在基板(2)中形成多个改性区域(23)，每个改性区域(23)至少从第一表面(2a)朝向第二表面(2b)延伸。通过利用脉冲激光束(LB)熔化基板材料并允许熔融基板材料再固化来形成每个改性区域(23)。该方法进一步包括沿着其中已经形成有多个改性区域(23)的至少一条分割线(22)去除基板材料。
第一表面改性区域基板材料分割线基板脉冲激光束第二表面基板处理熔化处理基板位置处熔融固化去除施加延伸

[发明专利]用于通过电磁辐射将结构从衬底分离的方法、堆叠和组件-CN201480043709.8有效
发明人： Y·桑坎;J-M·贝图;O·科农丘克 -专利权人： SOITEC公司
申请日： 2014-08-05 - 公布日： 2018-07-13 - 主分类号： H01L21/268 文献下载
摘要：该方法包括下列步骤：a)提供衬底(2)，b)在衬底(2)上形成吸收性的分离层(3)，c)在分离层(3)上形成待分离的结构(1)，d)通过衬底(2)使分离层(3)暴露于电磁辐射(IE)，使得分离层(3)在吸收所导致的热量的影响下分解，该方法的特征在于，其包括在分离层(3)上形成热障层(4)的步骤b1)，暴露时长和热障层(4)的厚度被调节为，使得待分离的结构(1)的温度在整个暴露期间保持在阈值之下，超过所述阈值时在所述结构(1)中容易出现缺陷。
分离层衬底电磁辐射热障层暴露衬底分离吸收性阈值时堆叠时长分解吸收

[发明专利]基于水平激光照射的晶圆减薄设备及方法-CN201611261713.9在审
发明人：三重野文健 -专利权人：上海新昇半导体科技有限公司
申请日： 2016-12-30 - 公布日： 2018-07-10 - 主分类号： H01L21/268 文献下载
摘要：本发明提供一种基于水平激光照射的晶圆减薄设备及方法，所述基于水平激光照射的晶圆减薄设备包括：静电吸盘，适于吸附待减薄晶圆；激光发射装置，位于静电吸盘一侧，且与所述静电吸盘具有间距；所述激光发射装置适于发射水平激光束；透镜，位于所述静电吸盘与所述激光发射装置之间，且与所述静电吸盘及所述激光发射装置均具有间距；所述透镜适于将所述激光发射装置发射的水平激光束水平汇聚于所述待减薄晶圆的边缘以对所述待减薄晶圆进行减薄。本发明的基于水平激光照射的晶圆减薄设备通过使用激光束对待减薄晶圆进行减薄，操作简单、减薄速度较快、耗时较短、效率更高，通过设置厚度侦测装置及控制装置可以更精确地控制减薄厚度。
减薄晶圆激光发射装置静电吸盘减薄设备水平激光照射透镜水平激光束控制装置侦测装置激光束发射吸附耗时汇聚

[发明专利]制造包括场停止区的半导体器件的方法-CN201510301809.2有效
发明人： H-J.舒尔策;H.舒尔策 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2015-06-05 - 公布日： 2018-06-12 - 主分类号： H01L21/268 文献下载
摘要：本发明涉及制造包括场停止区的半导体器件的方法。一种制造半导体器件的方法包括通过利用激光束穿过半导体本体的第一表面照射半导体本体的一部分形成场停止区。所述部分具有在5x10¹⁶cm^‑3和5x10¹⁷cm^‑3的范围内的氧浓度。然后利用质子穿过第一表面照射半导体本体，并且在300℃到550℃的温度范围内使半导体本体退火。
半导体本体半导体器件第一表面照射退火制造穿过激光束质子

[发明专利]双波长激光退火装置及其方法-CN201410723377.X有效
发明人：赵裕兴;韩伟 -专利权人：苏州德龙激光股份有限公司;江阴德力激光设备有限公司
申请日： 2014-12-03 - 公布日： 2018-04-17 - 主分类号： H01L21/268 文献下载
摘要：本发明涉及双波长激光退火装置及方法，包含绿光激光器和红外激光器，绿光激光器的输出光路上依次布置扩束模块、绿光条形光斑整形模块和绿光45度反光镜，红外激光器的输出光路上依次布置红外条形光斑整形模块和红外45度反光镜，绿光45度反光镜和红外45度反光镜的输出光路设置有合束投影聚焦镜，合束投影聚焦镜的输出光路设有可变光阑，可变光阑的输出端正对于加工平台。通过光学组件调节使两束激光合于一束，经光学元件间配合调节转换后，由高斯圆形分布转换为条形高斯分布，合束后激光为条形光斑；红外波长的引入，使光斑具有更深的退火深度，使激光作用在材料表面瞬间温度升高，提高注入离子的激活率，具有更优异的加工效果。
波长激光退火装置及其方法

[发明专利]一种大功率电力电子器件晶圆激光切割方法-CN201410838312.X有效
发明人：田亮;杨霏 -专利权人：国家电网公司;国网智能电网研究院
申请日： 2014-12-29 - 公布日： 2018-03-30 - 主分类号： H01L21/268 文献下载
摘要：本发明公开了一种大功率电力电子器件芯片的切割方法，该方法对宽禁带半导体材料做成器件的衬底背面进行激光划片后，再根据背面划痕使用裂片机进行正面裂片。背面划痕的深度约为芯片厚度的1/10至1/4。本发明是使用激光束聚焦切割的方法，采取背划进行激光束切割大功率器件，最大限度地保证芯片正面的有源区，不破坏正面区域，得到边缘整齐的器件，对大面积芯片的可靠性和产能都有一个很大提升。
一种大功率电力电子器件激光切割方法

[发明专利]一种硅片晶圆激光切割工艺-CN201711180152.4在审
发明人：徐志华;葛建秋;张彦 -专利权人：江阴苏阳电子股份有限公司
申请日： 2017-11-23 - 公布日： 2018-02-23 - 主分类号： H01L21/268 文献下载
摘要：本发明涉及芯片划片行业，具体涉及一种硅片晶圆激光切割工艺，包括以下步骤准备工作穿好工作衣`工作鞋，带好工作帽和工作手套，清扫工作场地，整理划片设备以及划片工具；对来料进行检验检验内容包括，芯片无碎裂现象；划片操作。本发明的一种硅片晶圆激光切割工艺，切割过程确保走刀位置的准确性，和切割的精度，操作简单，切割速度快，误差极小。
一种硅片激光切割工艺

[发明专利]激光处理设备以及激光处理方法-CN201710614921.0在审
发明人：李基雄;金戊一;李周薰;金泰俊 -专利权人： AP系统股份有限公司
申请日： 2017-07-25 - 公布日： 2018-02-02 - 主分类号： H01L21/268 文献下载
摘要：本发明提供一种激光处理设备及一种激光处理方法，激光处理设备包含腔室，于其中具有用于处理衬底的空间以及在其上表面上的透射窗口；载物台，用于支撑腔室中的衬底；激光部件，其安装在腔室的外部且利用激光辐照腔室的内部；第一监测部件，其定位于衬底上方且具有衬底的成像区，所述成像区在衬底的宽度方向上延伸；以及第二监测部件，其定位于衬底上方且具有衬底的成像区，所述成像区在衬底的长度方向上延伸，其中在利用激光处理衬底的同时，可实时地监测是否在衬底的表面上出现缺陷。
激光处理设备以及方法

[发明专利]激光退火方法以及装置-CN201510199238.6有效
发明人：河口纪仁;川上隆介;西田健一郎;M.正木;森田胜 -专利权人：株式会社IHI
申请日： 2008-05-30 - 公布日： 2018-01-26 - 主分类号： H01L21/268 文献下载
摘要：本发明涉及激光退火方法以及装置。在透镜阵列方式的均化器光学系统的情况下，一边使长轴用透镜阵列（20a、20b）在与线状光束的长轴方向对应的方向（X方向）往复移动，一边进行激光照射，由此，入射到在后级设置的构成长轴用聚光光学系统的大型透镜（长轴用聚光透镜22）的激光（1）的入射角以及强度按照每次发射而变化，所以，纵向条纹被大幅度降低。另外，一边使短轴用透镜阵列（26a、26b）在与线状光束的长轴方向对应的方向（Y方向）往复移动，一边进行激光照射，由此，入射到在后级设置的构成长轴用聚光光学系统的大型透镜（投影透镜30）的激光（1）的入射角以及强度按照每次发射而变化，所以，横向条纹被大幅度降低。
激光退火方法以及装置