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[发明专利]OTP存储器件及电子设备-CN202210301575.1在审
发明人：徐由;潘越;刘畅;布明恩;张宗宪;刘燕翔 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2022-03-25 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H10B20/25 文献下载
摘要：本申请提供了一种OTP存储器件及电子设备。OTP存储器件包括衬底和存储结构，衬底具有第一表面，第一表面包括有源区；存储结构包括第一金属氧化物半导体MOS晶体管，第一MOS晶体管包括：源极，源极设于有源区；漏极，漏极设于有源区；栅氧化层，栅氧化层设于有第一表面，栅氧化层上具有凹陷部，凹陷部包括沿第一方向设置的第一凹陷部以及沿第二方向设置的第二凹陷部，第一方向与第二方向之间具有夹角；栅极，栅极设于栅氧化层上，源极或漏极位于栅极的一侧。本申请能够提高OTP存储器件编程的成功率。
otp 存储器件电子设备

[发明专利]一种输入输出模块及存储器-CN202180087464.9在审
发明人：潘越;周浩阳;布明恩 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2021-05-08 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： G11C7/12 文献下载
摘要：一种输入输出模块及存储器，用以减小数据写入时间、提高存储器的数据写入效率。输入输出模块与存储阵列耦合，输入输出模块包括驱动电路和写辅助电路。其中，驱动电路用于根据写入信号和待写入数据产生驱动信号，驱动信号用于驱动存储阵列写入待写入数据；写辅助电路与驱动电路的输出端耦合，用于在存储阵列写入待写入数据时输出写辅助电流；在流过存储阵列的写入电流达到第一阈值时，停止输出写辅助电流。
一种输入输出模块存储器

[发明专利]一种电源开关电路和一次性可编程存储器-CN202210112331.9在审
发明人：林典鹏;蔡江铮;布明恩 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2022-01-29 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： G11C5/14 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种电源开关电路和一次性可编程存储器，涉及电路领域，能够缓解因一次性可编程存储器中的CORE管长时间承受较高的IO电压，影响器件的稳定性，导致误编程的问题。具体方案为：电源开关电路用于在一次性可编程存储器编程时为一次性可编程存储器中的存储单元阵列提供编程电压，电源开关电路包括第一输入接口，第一输入接口用于接收编程控制信号，编程控制信号用于控制一次性可编程存储器是否处于编程模式；其中，在一次性可编程存储器处于编程模式且写入时，电源开关电路的输出端的电平与编程控制信号的电平一致。
一种电源开关电路一次性可编程存储器

[发明专利]一种读写控制器、存储器及电子设备-CN202080107127.7在审
发明人：蔡江铮;布明恩;欧阳晟 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2020-12-18 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： G11C16/32 文献下载
摘要：一种读写控制器、存储器及电子设备，用以提高存储器的写入灵活性。其中，读写控制器包括时钟产生电路、多状态写电路、行译码电路和列译码电路，时钟产生电路为多状态写电路提供第一时钟信号，为行译码电路和列译码电路提供第二时钟信号。通过为多状态写电路配置单独的工作时钟，使得读写控制器能根据当前的工艺偏差灵活配置多状态写电路当前的工作时钟，这不仅有助于提高多状态写操作的灵活性，还能通过调节多状态写电路当前的工作时钟使写入操作更加匹配当前的工艺偏差，提高读写控制器应对不同工艺偏差的能力。且，多状态写电路还能在第一时钟信号的一个时钟周期内向存储阵列写入至少两个状态，因此还有助于提高读写控制器的写入效率。
一种读写控制器存储器电子设备

[发明专利]一种数据读取电路及数据读取电路的控制方法-CN202080104836.X在审
发明人：张子玥;潘越;布明恩 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2020-10-26 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：一种数据读取电路及数据读取电路的控制方法，涉及电路技术领域，改善了现有技术中存储器的调整电路占板面积较大造成浪费，且读取速度较慢的问题。具体方案为：数据读取电路包括灵敏放大器、第一开关、第二开关、电流调节电路、数据单元和参考单元；其中，灵敏放大器的第一输入端与第一开关的第一端以及数据单元耦合连接，灵敏放大器的第二输入端与第二开关的第一端以及参考单元耦合连接，第一开关的第二端通过电流调节电路与第二开关的第二端耦合连接；电流调节电路用于调整灵敏放大器的第一输入端的电流，或者，调整灵敏放大器的第二输入端的电流。
一种数据读取电路控制方法

[发明专利]一种存储数据读取电路及存储器-CN202080103124.6在审
发明人：蔡江铮;布明恩;欧阳晟 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2020-11-20 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：一种存储数据读取电路及存储器，涉及集成电路技术领域，可以改善存储数据读取电路读取数据不准确的问题。该存储数据读取电路(01)包括第一电流镜(301)、第一电阻(303)和电压放大器(40)；所述第一电流镜(301)的输入端(a)与存储单元的第一数据读取端(p)连接，所述第一电流镜(301)的输出端(b)通过所述第一电阻(303)连接至接地端；所述第一电流镜(301)用于将所述存储单元的第一数据读取端(p)输出的电流镜像放大为第一镜像电流(IRO)，并将所述第一镜像电流(IRO)输出至所述第一电流镜(301)的输出端(b)；所述电压放大器(40)的第一输入端(c)与所述第一电流镜(301)的输出端(b)连接，所述电压放大器(40)的第二输入端(d)用于接收参考电压(Iref)；所述电压放大器(40)的输出端(e)连接至所述存储数据读取电路(01)的输出端。
一种存储数据读取电路存储器

[发明专利]反相器、逻辑电路、字线电路、存储器及集成系统-CN202080099044.8在审
发明人：蔡江铮;布明恩;金禹铮;袭著洋 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2020-05-27 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H03K19/20 文献下载
摘要：一种反相器(500)、逻辑电路、字线电路、存储器及集成系统，其中该反相器(500)主要包括反相电路(501)和调节电路(502‑1)。上述反相电路(501)用于对输入信号进行反相，调节电路(502‑1)用于根据控制信号在等待时为反相电路(501)提供较小的上拉电压，在工作时为反相电路(501)提供较大的上拉电压。调节电路(502‑1)通过在等待时提供较小的上拉电压，从而降低反相器(500)在等待时的漏电流，还可以在反相器(500)工作时降低对反相电路(501)工作性能的影响，使反相器(500)可以正常工作。
反相器逻辑电路电路存储器集成系统

[发明专利]一种低漏电的存储阵列-CN202080095744.X在审
发明人：蔡江铮;布明恩;金禹铮;张雨晴 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2020-04-23 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： G11C11/413 文献下载
摘要：一种低漏电的存储阵列(310)，该存储阵列(310)包括读位线(RBL)，连接地(VSS)和读位线(RBL)的读位线开关(M0)，以及多个存储电路，其中每个存储电路包括用于存储数据的存储单元(420)，以及用于读取存储单元(420)中的数据的读取电路(410)。该读取电路(410)的数据输入端与存储单元(420)的数据输出端连接以读取存储电路中的数据，读取电路(410)的数据输出端与读位线(RBL)连接以将读取的数据输出至读位线(RBL)。在读取电路(410)中从电源(VDD)至读位线(RBL)的漏电路径中至少有一个PMOS管，以抑制读取电路(410)中的漏电流，改善存储阵列(310)因漏电导致数据读取错误的情况。
一种漏电存储阵列

[发明专利]存储器设计中的电源管理的系统和方法-CN202110163497.9在审
发明人：万和舟;杨秀丽;布明恩;徐梦想;曹宗良 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司;台积电（中国）有限公司
申请日： 2021-02-05 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： G11C5/14 文献下载
摘要：本公开涉及存储器设计中的电源管理的系统和方法。一种器件包括第一虚拟电源线、第二虚拟电源线、第一延迟电路和第一唤醒检测器。第一虚拟电源线和第二虚拟电源线通过第一组晶体管开关和第二组晶体管开关耦合至电源。第一延迟电路耦合在第一组晶体管开关的栅极端子和第二组晶体管开关的栅极端子之间。第一唤醒检测器被配置为在从第一延迟电路接收到信号之后生成第一触发信号。
存储器设计中的电源管理系统方法

[发明专利]电路及其操作方法-CN202011517547.0在审
发明人：杨秀丽;万和舟;吴经纬;布明恩 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司;台积电（中国）有限公司
申请日： 2020-12-21 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： H03K19/0185 文献下载
摘要：本公开总体涉及电路及其操作方法。一种电路包括功率管理电路和存储器电路。功率管理电路被配置为接收第一控制信号和第二控制信号，并提供第一供应电压、第二供应电压和第三供应电压。第一控制信号具有第一电压摆幅，并且第二控制信号具有与第一电压摆幅不同的第二电压摆幅。第一控制信号使功率管理电路进入具有第一状态和第二状态的功率管理模式。存储器电路耦合到功率管理电路，并且至少响应于由功率管理电路提供的第一供应电压而处于第一状态或第二状态。
电路及其操作方法

[发明专利]对集成电路中的半导体存储器的安全级别进行认证的方法-CN202010459779.9在审
发明人：吴经纬;布明恩;万和舟;藤原英弘;杨秀丽 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司;台积电（中国）有限公司
申请日： 2020-05-27 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： G06F21/76 文献下载
摘要：本公开涉及对集成电路中的半导体存储器的安全级别进行认证的方法。一种方法包括：用一个或多个参数指定目标存储器宏；查找所述目标存储器宏中的功能块；以及基于基本单元的集合中的晶体管数量和面积分布来确定所述功能块的故障率。该方法包括：基于所述功能块的故障率，从存储器编译器生成针对所述目标存储器宏的故障模式分析。该方法包括：基于所述目标存储器宏的所述故障模式分析，确定所述目标存储器宏的安全级别。
集成电路中的半导体存储器安全级别进行认证方法

[发明专利]时钟信号生成电路和方法、以及存储器-CN201510307020.8有效
发明人： 布明恩;杨秀丽;万和舟;黄慕真;蔡杰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-06-05 - 公布日： 2019-06-21 - 主分类号： G11C11/413 文献下载
摘要：本发明公开了一种时钟信号生成电路和方法、以及存储器，其中，该电路包括：信号输入端，用于接收输入的外部时钟信号；信号生成器，连接至所述信号输入端，用于基于输入的外部时钟信号生成内部时钟信号，其中，信号生成器中包含RC器件，RC器件用于对输入的信号进行延迟后输出。本发明借助RC器件的延迟功能，使得输出的内部时钟信号中脉冲信号间的时间间隔不仅仅取决于逻辑门，而且会受到RC器件的影响，使得时间间隔更加可控、容易跟踪。
时钟信号生成电路方法以及存储器

[发明专利]信号传输的控制方法和装置、以及信号锁存装置-CN201410745293.6有效
发明人：杨秀丽;万和舟;布明恩;黃慕真;吴经纬 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2014-12-08 - 公布日： 2019-05-21 - 主分类号： G06F13/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种信号传输的控制方法和装置、以及信号锁存装置，其中，该方法包括：将第一信号输入至第一锁存器；在第一锁存器对第一信号进行锁存期间，将第二信号输入至第一锁存器的输入端。本发明通过控制信号输入到锁存器的时间，减少锁存器在锁存多路信号的过程中等待信号输入的时间，从而改善了信号处理的速度，提高了处理效率。
信号传输控制方法装置以及

[发明专利]用于双端口SRAM的升压系统-CN201410074379.0有效
发明人：吴经纬;万和舟;布明恩;杨秀丽;李政宏;黄慕真 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2014-03-03 - 公布日： 2018-03-09 - 主分类号： G11C11/413 文献下载
摘要：一种用于双端口SRAM的升压系统包括比较器和升压电路。比较器被配置为比较第一端口的第一行地址和第二端口的第二行地址，并且输出第一使能信号。升压电路被配置为根据第一使能信号提高第一电压源和第二电压源之间的电压差。
用于端口 sram 升压系统

[发明专利]具有升压电压产生器的字线驱动单元及包含所述字线驱动单元的存储器装置-CN201710387166.7在审
发明人： 布明恩;吴经纬;万和舟;姜炜阳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-05-26 - 公布日： 2017-12-05 - 主分类号： G11C8/08 文献下载
摘要：本揭露涉及具有升压电压产生器的字线驱动单元及包含所述字线驱动单元的存储器装置。一种方法包含将输入电压信号延迟以产生输出电压；启用电容器单元以跨越字线驱动器施加比所述输出电压大的经升压电压；及启用所述字线驱动器以提供对应于所述经升压电压的驱动电压。还揭露一种执行所述方法的字线驱动单元及一种包含所述字线驱动单元的存储器装置。
具有升压电压产生器驱动单元包含述字线存储器装置

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