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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]用于检测故障单元的存储器装置及其操作方法-CN202211405909.6在审
发明人：朴周龙;郑原宅;金娜娟;徐智园;玄昇容 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-11-10 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： G11C29/12 文献下载
摘要：一种用于将存储器单元编程为多个编程状态的存储器装置的操作方法包括：向选择的存储器单元提供一系列编程脉冲；执行验证多个编程状态中的目标编程状态的第一验证操作；当第一验证操作通过时，执行检测选择的存储器单元中的故障单元的第二验证操作，以确定这些存储器单元是否已经被过编程。当检测到的故障单元的数量大于或等于参考值时，可终止针对该位置的编程操作，并且可将数据写入到另一位置。
用于检测故障单元存储器装置及其操作方法

[发明专利]非易失性存储器和包括该非易失性存储器的存储装置-CN202211073405.9在审
发明人：朴相元;郑原宅;李汉埈;全秀昶 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-09-02 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：提供了一种非易失性存储器和一种包括该非易失性存储器的存储装置。该非易失性存储器可以包括：第一存储器单元阵列，其包括连接到第一串选择线的第一选择晶体管；第二存储器单元阵列，其包括连接到通过第一切割线与第一串选择线间隔开的第二串选择线的第二选择晶体管；以及外围电路。外围电路可以将第一编程电压提供到第一选择晶体管，将与第一编程电压不同的第二编程电压提供到第二选择晶体管，响应于第一编程电压用第一阈值电压对第一选择晶体管进行编程，并且响应于第二编程电压用具有大于第一阈值电压的电平的电平的第二阈值电压对第二选择晶体管进行编程。
非易失性存储器包括存储装置

[发明专利]存储装置和对存储装置进行编程的方法-CN202211017452.1在审
发明人：金道彬;郑原宅;梁在爀;梁真宇 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-08-23 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：提供了一种存储装置以及对存储装置进行编程的方法。所述方法可以包括：将编程循环应用到所述存储装置的多个存储单元以将所述多个存储单元的阈值电压调整到期望的目标状态，每个所述编程循环包括编程阶段和验证阶段；对第一页面的存储单元进行编程；存储完成将所述第一页面的存储单元编程为第一目标状态所使用的第一编程循环的数目；将第二页面的存储单元编程为所述第一目标状态，所述第二页面与所述第一页面相邻；以及对所述第二页面执行验证操作。
存储装置进行编程方法

[发明专利]非易失性存储器设备及对其编程的方法-CN202111304972.6在审
发明人：朴志胤;尹盛远;尹铉竣;郑原宅 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-11-05 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：一种操作执行多个存储器单元的多个编程循环的存储器设备的方法包括施加多个编程循环之中的第一编程循环的第一编程脉冲和第一验证脉冲，通过使用基于第一验证脉冲的输出对第一关闭单元计数进行计数，使用第一关闭单元计数确定第一验证跳过时段，响应于第一验证跳过时段的结束施加第N编程脉冲和多个验证脉冲，通过使用基于多个验证脉冲的输出对第二关闭单元计数进行计数，以及使用第二关闭单元计数确定第二验证跳过时段。
非易失性存储器设备编程方法

[发明专利]非易失性存储器设备和存储设备-CN202111011803.3在审
发明人：朱相炫;朴泰敏;金亨洙;任载禹;郑原宅 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-08-31 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： G11C29/02 文献下载
摘要：公开了一种非易失性存储器设备和存储设备。该非易失性存储器设备包括：存储器单元阵列，包括单元串；行解码器，通过接地选择线与单元串中的每个单元串的接地选择晶体管连接，通过字线与单元串中的每个单元串的存储器单元连接，并通过串选择线与单元串中的每个单元串的串选择晶体管连接；以及页面缓冲器，通过位线与单元串连接。在检查操作的第一时段中，页面缓冲器向位线施加第一偏置电压，并且行解码器向接地选择线施加关断电压，向串选择线施加导通电压，并且向字线施加第一检查电压。在检查操作的第二时段中，页面缓冲器感测位线的电压的第一改变。
非易失性存储器设备存储

[发明专利]包括非易失性存储器装置的存储器系统及其擦除方法-CN202110534260.7在审
发明人：孙铭浩;郑原宅;南釜一 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-05-17 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：提供了包括非易失性存储器装置的存储器系统及其擦除方法。一种包括非易失性存储器装置和存储器控制器的存储器系统的故障检测方法，所述故障检测方法包括：由存储器控制器对连接到传输晶体管的字线的擦除的数量进行计数；当擦除的数量达到参考值时，由存储器控制器发出第一擦除命令；响应于第一擦除命令，由非易失性存储器装置施加第一电压，第一电压使得传输晶体管的栅极‑源极电位差具有第一值；在施加第一电压之后，由存储器控制器检测所述字线中的漏电流；以及当由漏电流引起的漏电压大于第一阈值时，由存储器控制器将所述字线确定为故障。
包括非易失性存储器装置存储器系统及其擦除方法

[发明专利]非易失性存储器件及其缺陷存储单元块的检测方法-CN202110634867.2在审
发明人：李明南;金大汉;郑原宅 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-06-07 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：一种由非易失性存储系统检测存储单元块中的缺陷存储单元块的方法包括：在执行擦除操作之后，基于与读参考电压不同的截止单元检测电压，对目标存储单元块中包括的至少一些存储单元执行读操作，该读参考电压将没有写入数据的截止单元与写入有数据的接通单元区分开；基于执行读操作的结果，对存储单元中具有比截止单元检测电压高的阈值电压的硬截止单元的数量进行计数；以及基于所计数的硬截止单元的数量，识别目标存储单元块是否是缺陷存储单元块。
非易失性存储器及其缺陷存储单元检测方法

[发明专利]存储器件、存储器控制器及包括其的存储系统-CN202110898235.7在审
发明人： 郑原宅;金甫昌;高贵汉;郑宰镛 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-08-05 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： G11C16/14 文献下载
摘要：提供了存储器件、存储器控制器及包括其的存储器系统。所述存储系统包括：第一存储器件，所述第一存储器件包括多个第一存储块，每个所述第一存储块包括在垂直于衬底的方向上堆叠的多个第一存储单元；以及存储器控制器，所述存储器控制器被配置为控制所述第一存储器件的存储操作。所述存储器控制器被配置为基于每个所述第一存储块中包括的第一未打开的(N/O)串的数目，为每个所述第一存储块选择和运行不同的控制方案中的相应控制方案。
存储器件存储器控制器包括存储系统

[发明专利]存储器件及包括其的存储器系统-CN202110838953.5在审
发明人：金甫昌;郑原宅;高贵汉;郑宰镛 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-07-23 - 公布日： 2022-01-25 - 主分类号： G11C16/12 文献下载
摘要：一种存储器件包括存储单元阵列以及控制逻辑，所述存储单元阵列包括多个存储单元，所述多个存储单元在相对于衬底的垂直方向上形成多个串，所述控制逻辑被配置为：响应于写入命令从多个串检测未打开的串(N/O串)，以及对要被编程在所述N/O串中的多个目标存储单元上的多条目标数据进行转换，使得所述多条目标数据具有限制向所述多个目标存储单元施加编程电压的次数的值。
存储器件包括存储器系统

[发明专利]非易失性存储器件和存储系统-CN202110804646.5在审
发明人：徐准浩;李祯镐;咸大植;金基白;尹翔镛;郑原宅 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-07-16 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：一种非易失性存储器件包括：包含第一串选择晶体管、第一存储单元和第一接地选择晶体管的第一串；包含第二串选择晶体管、第二存储单元和第二接地选择晶体管的第二串；和控制器，从第一时间向第一串选择线施加通过电压，在从第一时间至第二时间的第一读取时段期间向第一字线施加第一读取电压，从第一时间向第一接地选择线施加第一接地选择线电压，向第二串选择线施加接地电压，在第一控制时段期间向第二接地选择线施加第一接地选择线电压，以及在第一控制时段期间向公共源极线施加第一公共源极线电压。
非易失性存储器存储系统

[发明专利]存储器设备及其操作方法-CN202110742334.6在审
发明人：金佳林;金炯坤;李知尚;张俊锡;郑原宅 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-07-01 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：一种存储器设备，包括：存储器单元阵列，其包括多个存储器单元；电压生成器，被配置为生成用于存储器单元的编程操作和验证操作的电压；以及控制逻辑，被配置为在向存储器单元阵列写入数据的同时执行多个编程循环，使得执行包括编程操作和验证操作的第一至第N(例如，N≥1)编程循环，并且当第N编程循环中的编程操作的通过/失败确定指示通过时，执行其中跳过验证操作的至少两个编程循环。
存储器设备及其操作方法

[发明专利]非易失性存储器设备和在该设备中擦除数据的方法-CN202110766162.6在审
发明人：梁善圭;郑原宅 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-07-07 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： G11C16/14 文献下载
摘要：在包括一个或多个存储器块的非易失性存储器设备中擦除数据的方法中，在每个存储器块中多个存储器单元在垂直方向上被设置。对一个或多个存储器块中的整个第一存储器块执行一次或多次擦除循环。在擦除循环成功完成之后，对第一存储器块中的多个组中的一个或多个组执行第一局部验证操作。在第一局部验证操作成功完成之后，确定对于一个或多个组中的组是否需要第二局部验证操作。对多个组之中的需要第二局部验证操作的第一组中的多个子组中的一个或多个子组执行第二局部验证操作。
非易失性存储器设备擦除数据方法

[发明专利]非易失性存储器器件及其操作方法-CN201810705803.5在审
发明人： 郑原宅;郭昭英;南尚完 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-07-02 - 公布日： 2019-03-26 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：非易失性存储器器件的操作方法包括：将编程电压施加到所选择的字线并对连接到所选择的字线的所选择的存储器单元进行编程；读取连接到所选择的字线的相邻字线的相邻存储器单元；以及通过调整所选择的存储器单元与感测节点之间的电荷共享来验证所选择的存储器单元，其中该感测节点通过位线连接到所选择的存储器单元。
存储器单元字线非易失性存储器器件感测节点相邻存储器单元读取编程电压电荷共享位线编程施加验证

[发明专利]非易失性存储器装置和包括其的存储器系统及其编程方法-CN201810668463.3在审
发明人： 郑原宅;南尚完;朴镇宇;郑宰镛 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-06-26 - 公布日： 2019-01-01 - 主分类号： G11C16/08 文献下载
摘要：一种三维非易失性存储器装置，其包括单元串。所述单元串包括柱结构，其包括竖直地堆叠在衬底上的地选择晶体管、多个存储器单元和串选择晶体管。存储器单元包括第一单元组和堆叠在第一单元组上的第二单元组，并且柱结构的至少一部分的水平宽度朝着衬底在深度方向上减小。对存储器装置编程的方法包括：通过柱结构的地选择晶体管将单元串的第一单元组的存储器单元的沟道初始化；以及随后将编程电压施加至单元串的柱结构的存储器单元。
存储器单元单元组柱结构非易失性存储器装置地选择晶体管衬底堆叠编程串选择晶体管存储器系统存储器装置编程电压初始化沟道减小竖直三维施加

[发明专利]非易失性存储器件及其编程方法和包括其的存储器系统-CN201210389080.5有效
发明人：郭东勋;朴相元;郑原宅 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2012-10-15 - 公布日： 2018-09-25 - 主分类号： G11C16/06 文献下载
摘要：公开了一种编程方法和非易失性存储器件。所述方法包括：接收要被编程在存储器单元中的编程数据；读取存储器单元以便判断擦除状态和至少一个编程状态；执行状态读取操作，其中，所述至少一个编程状态被使用多个状态读取电压读取；和，根据状态读取操作的结果，使用具有不同电平的多个验证电压把编程数据编程在存储器单元中。还公开了使用多个验证电压的方法，基于在编程之后可能影响阈值电压偏移或者代表存储器单元的数据的其他特性的因素来选择所述验证电压。
非易失性存储器及其编程方法包括存储器系统

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