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[发明专利]3D NAND闪存的读取方法-CN201810864131.2有效
发明人：刘红涛;靳磊;黄莹;魏文喆;王启光 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2018-08-01 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种3D NAND闪存的读取方法，所述3D NAND闪存包括在三维空间内阵列排布的多个存储单元，构成多个存储串，每一个存储串的顶部的晶体管为上选择管，所述上选择管连接至位线，存储串底部的晶体管为下选择管，位于同一层内的多个存储单元组成存储行，位于同一存储行内的存储单元的栅极均连接至同一字线，待读取存储单元所在的存储串作为选中串，其特征在于，所述读取方法包括依次进行的预导通阶段和读取阶段步骤，其中，在所述预导通阶段中对位线施加持续的预充电压；同时，导通选中串的上选择管和非选中串的上选择管，关断选中串的下选择管和非选中串的下选择管。
nand 闪存读取方法

[发明专利]存储器件及其编程方法-CN202210665349.1在审
发明人：刘红涛;黄莹;魏文喆;蒋颂敏;黄德佳;陈文强 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-04-29 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：公开了一种用于存储器件的编程方法。所述编程方法包括在针对第一字线的精细编程操作之前，使处于浅能级的多个第一电荷载流子移动到衬底层中的沟道，其中，处于浅能级的多个第一电荷载流子对应于要被编程的存储单元。
存储器件及其编程方法

[发明专利]存储器、系统以及存储器的操作方法-CN202210406573.9在审
发明人： 魏文喆;刘红涛 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2022-04-18 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：本申请公开了一种存储器、系统以及存储器的操作方法，属于存储技术领域。存储器通过在存储串中第一堆栈的编程阶段之后，向存储串的一端施加第一电压，分别向存储串的第一选择管和第二选择管分别施加第二电压和第三电压，使得第一选择管和第二选择管导通，向第一堆栈的存储单元施加第四电压，使得第一堆栈的存储单元导通，向存储串中第二堆栈的存储单元施加第五电压，使得第二堆栈的存储单元不导通，以对该存储串的沟道进行放电，在放电过程中，由于存储串中的一部分存储单元处于导通状态，另一部分存储的单元处于未导通状态，能够降低放电过程中沟道内的电流，减少第二堆栈中存储单元的热载流子注入，降低了对第二堆栈的存储单元的干扰。
存储器系统以及操作方法

[发明专利]对存储器件进行编程的方法及相关存储器件-CN202011605421.9有效
发明人： 魏文喆;刘红涛;游开开;李达;黄莹;王明;宋雅丽;黄德佳 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-10-23 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：在包括形成于衬底中的多个存储单元、顶部虚设储存区、底部虚设储存区、多个字线和多个位线的存储器件中，在第一时段期间，对所述多个位线中的选择的位线、所述衬底中的沟道区和所述衬底中的源极区进行预充电，并且在所述第一时段期间，向所述底部虚设储存区施加负预脉冲电压。在所述第一时段之后的第二时段期间，对所述多个存储单元中的选择的存储单元进行编程，其中，所述选择的存储单元被耦合到所述选择的位线和所述多个字线中的选择的字线。
存储器件进行编程方法相关

[发明专利]一种对存储器件的操作方法、存储器件及存储器系统-CN202210403215.2在审
发明人： 魏文喆;游开开;刘红涛;赵向南;黄莹;王廷泽;许鹏禹;李晨辉;乔吉祥 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2022-04-18 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： G11C7/12 文献下载
摘要：本发明实施例公开一种对存储器件的操作方法、存储器件及存储器系统。其中，方法包括：在编程操作的预充电期间，向存储单元串连接的位线提供第一预充偏压，向所述存储单元串包含的所述第一选择管的栅极提供第一低偏压；和/或，向所述存储单元串连接的源极线提供第二预充偏压，向所述存储单元串包含的所述第二选择管的栅极提供第二低偏压；其中，所述第一低偏压的持续时间小于所述第一预充偏压的上升时间；所述第二低偏压的持续时间小于所述第二预充偏压的上升时间；在所述编程操作期间，按照预定编程顺序对所述存储单元串包含的存储单元进行编程。
一种存储器件操作方法存储器系统

[发明专利]非易失性存储器及其控制方法-CN202011387722.9有效
发明人： 魏文喆;陈文强;刘红涛;游开开;黄莹;黄德佳 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-12-02 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： G11C16/08 文献下载
摘要：本申请涉及非易失性存储器及其控制方法。该非易失性存储器，包括：存储单元阵列，电连接到多个字线，多个字线用于接收对存储单元阵列执行操作的信号，其中操作包括擦除操作、写入操作或读取操作中的任意一种；外围电路，电连接到多个字线；以及控制单元，配置为控制外围电路向多个字线中的未施加用于执行操作的所述信号的字线中的至少一部分施加预定电压，以保持存储单元阵列中的相应存储单元内的电荷。
非易失性存储器及其控制方法

[发明专利]沟道预充电方法、编程方法、装置及系统-CN202210316842.2在审
发明人：赵向南;刘红涛;贾建权;蒋颂敏;魏文喆;宋雅丽;王均保;闵园园;游开开;张安;靳磊 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2022-03-28 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： G11C8/08 文献下载
摘要：本申请提供了一种沟道预充电方法、编程方法、装置及系统，属于存储技术领域。本申请提供的方案在向不同字线所连接的选定存储单元写入数据之前，能够采用不同的预充电方式对去选存储串的沟道进行预充电，从而有效提高了对沟道进行预充电的灵活性。并且，由于对于编程干扰较为严重的字线，能够采用预充电效果更好的预充电方式，因此能够确保有效地抑制编程干扰。
沟道充电方法编程装置系统

[发明专利]存储器件及其编程方法-CN202080000936.8有效
发明人：刘红涛;黄莹;魏文喆;蒋颂敏;黄德佳;陈文强 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-04-29 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：公开了一种用于存储器件的编程方法。所述编程方法包括在针对第一字线的精细编程操作之前，使处于浅能级的多个第一电荷载流子移动到衬底层中的沟道，其中，处于浅能级的多个第一电荷载流子对应于要被编程的存储单元。
存储器件及其编程方法

[发明专利]3D NAND存储器及其抑制顶层存储层编程串扰的方法-CN202110544236.1有效
发明人：李达;许锋;魏文喆;贾信磊;刘红涛;王明 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-03-26 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：一种3D NAND存储器及其抑制顶层存储层编程串扰的方法，包括：提供述3D NAND存储器，3D NAND存储器包括：若干层堆叠的存储层和位于存储层上的伪存储层，若干层堆叠的存储层中最上面的一层存储层为顶层存储层，与顶层存储层相邻的为底层伪存储层，每一层存储层中具有若干存储单元，每一层伪存储层中具有若干伪存储单元，最底层的存储层与半导体衬底之间具有下选择晶体管，最顶层的伪存储层上还具有上选择晶体管；在对所述顶层存储层中某一个存储单元进行编程时，将所述顶层存储层与所述底层伪存储层分别对应的控制栅施加相同的编程电压；在进行编程时，所述上选择晶体管打开，下选择晶体管关闭。本发明的方法防止顶层存储层的编程串扰。
nand 存储器及其抑制顶层存储编程方法

[发明专利]三维存储器及其控制方法-CN202111631619.9在审
发明人：刘红涛;黄莹;靳磊;赵向南;关蕾;魏文喆 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：本申请提供了一种三维存储器及其控制方法。所述存储器包括具有多条存储串的存储单元阵列，每条所述存储串包括多个存储单元，所述方法包括：在执行读操作中，对选中的多个所述存储单元施加第一读取电压，以及对未选中的多个所述存储单元施加第一导通电压，其中，所述第一导通电压低于预设导通电压。
三维存储器及其控制方法

[发明专利]存储装置及其编程操作-CN202180003799.8在审
发明人：刘红涛;黄德佳;魏文喆;黄莹 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-10-30 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： G11C16/30 文献下载
摘要：在某些方面，一种存储装置包括存储串以及耦合到存储串的外围电路，每个存储串包括漏极选择栅极(DSG)晶体管和存储单元。外围电路被配置为在编程/验证周期中对存储串的选择的存储串中的存储单元中的目标存储单元进行编程，并且在对目标存储单元进行编程之后，使用包括初始验证电压的一个或多个验证电压来验证目标存储单元。外围电路还被配置为将初始验证电压与阈值验证电压进行比较以获得比较结果，并且在对目标存储单元的编程和验证之间，至少基于该比较结果来控制存储串的未选择的存储串中的DSG晶体管。
存储装置及其编程操作

[发明专利]3D存储器件及其数据操作方法-CN202111342761.1在审
发明人：刘红涛;黄莹;魏文喆;王明;王启光 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-03-25 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： G11C5/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种3D存储器件的数据操作方法，3D存储器件具有沿垂直于衬底的方向排列的多个存储单元串，每个存储单元串包括第一选择晶体管、第一伪存储单元、多个主存储单元、第二伪存储单元和第二选择晶体管，包括：接收擦除指令；根据擦除指令对第一伪存储单元、多个主存储单元以及第二伪存储单元执行擦除操作；在擦除操作结束后验证多个主存储单元是否擦除成功；当多个主存储单元擦除成功时，接收编程指令；根据编程指令对第一伪存储单元和第二伪存储单元执行编程操作。本申请通过对伪存储单元和存储单元同时擦除，然后再对伪存储单元进行编程，提高边缘存储单元的擦除效率，减少擦除次数，提高存储单元的可靠性。
存储器件及其数据操作方法

[发明专利]3D NAND闪存及其操作方法-CN202111121503.0在审
发明人：刘红涛;黄德佳;魏文喆;黄莹 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-04-15 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：一种用于三维(3D)NAND闪存的编程方法包括：对所述3D NAND闪存进行编程；利用至少一个验证电压执行第一验证过程；确定所述第一验证过程的第一验证电压是否高于默认电压；以及当所述第一验证电压高于所述默认电压时，对所述选择字线施加第一验证电压，同时，对未选中上选择字线进行接地。
nand 闪存及其操作方法

[发明专利]3D存储器件及其数据操作方法-CN201910229050.X有效
发明人：刘红涛;黄莹;魏文喆;王明;王启光 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-03-25 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： G11C5/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种3D存储器件的数据操作方法，3D存储器件具有沿垂直于衬底的方向排列的多个存储单元串，每个存储单元串包括第一选择晶体管、第一伪存储单元、多个主存储单元、第二伪存储单元和第二选择晶体管，包括：接收擦除指令；根据擦除指令对第一伪存储单元、多个主存储单元以及第二伪存储单元执行擦除操作；在擦除操作结束后验证多个主存储单元是否擦除成功；当多个主存储单元擦除成功时，接收编程指令；根据编程指令对第一伪存储单元和第二伪存储单元执行编程操作。本申请通过对伪存储单元和存储单元同时擦除，然后再对伪存储单元进行编程，提高边缘存储单元的擦除效率，减少擦除次数，提高存储单元的可靠性。
存储器件及其数据操作方法

[发明专利]三维存储器及其控制方法-CN202110004038.6有效
发明人：刘红涛;黄德佳;蒋颂敏;黄莹;魏文喆 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-01-04 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种三维存储器及其控制方法，该方法包括：在编程操作中，选择一个存储块中的至少一条字线作为目标字线，向目标字线对应的目标存储单元中写入预定数据；在读操作中，利用多个读取电压组分别读取目标字线以外的非目标字线对应的非目标存储单元，以确定非目标存储单元的最优读取电压组，同时记录目标存储单元的阈值电压分布的漂移量，建立最优读取电压组和漂移量的对应关系，其中，每个读取电压组中包括针对非目标存储单元的多个编程态的多个读取电压；以及利用第一读取电压读取目标存储单元中的预定数据，记录目标存储单元的阈值电压分布的漂移量，根据最优读取电压组和漂移量的对应关系确定存储单元阵列的最优读取电压组。
三维存储器及其控制方法

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