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[发明专利]一种六甲基二硅氮烷柱式连续合成方法-CN201610213931.9有效
发明人：严招春 -专利权人：衢州信步化工科技有限公司
申请日： 2016-04-06 - 公布日： 2019-03-08 - 主分类号： C07F7/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种六甲基二硅氮烷柱式连续合成方法，首先将三甲基氯硅烷装填在贮槽中，通过计量泵经液体导管往一级反应柱打入三甲基氯硅烷，然后在一级反应柱的下部通过导气管直接通入氨气进行反应，再从一级反应柱打入三甲基氯硅烷，调节氨气的通入速度，用第一砂浆泵经液体导管把物料打入到A级板框压滤机中进行过滤，滤液经液体导管流入二级反应柱，在二级反应柱内继续反应，通过第二砂浆泵经液体导管打入到B级板框压滤机中进行过滤，经B级板框压滤机过滤后的滤液通过液体导管进入产品接收槽中，对粗品进行静置分层，将尾气进行回收。本发明避免造成堵塞，使反应顺利进行到底，避免了因溶剂而对原料的浓度进行稀释，影响反应速度。
一种甲基二硅氮烷柱式连续合成方法

[发明专利]一种用于检测铝离子的荧光传感器及制备方法-CN201710006226.6有效
发明人：张利波;张耕玮;王仕兴;付立康;彭金辉 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2017-01-05 - 公布日： 2019-02-19 - 主分类号： C07F7/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于检测铝离子的荧光传感器及其制备方法，属于纳米结构的荧光化学传感器技术领域。本发明将纳米二氧化硅放入乙醇中，然后加入氨丙基三甲氧基硅烷，回流反应得到产物A；将产物A放入蒸馏水中，加入4‑羟基香豆素，回流反应得到产物B；将产物B放入乙酸中，然后加入浓硝酸，回流反应得到产物C；将产物C放入甲醇中，然后加入炭载钯催化剂与浓盐酸，反应、分离得到固体产物D；将产物D放入蒸馏水中，然后加入2‑羟基苯甲醛，回流反应、离心分离、烘干得到荧光传感器。本发明的荧光化学传感器响应速度快，检测限度低，操作简便，抗干扰能力强，pH适用范围宽，可广泛用于各种水体中铝离子的检测，利于推广应用。
一种用于检测离子荧光传感器制备方法

[发明专利]螺苯并噁嗪或螺萘并噁嗪并异喹啉吲哚啉酮衍生物及其合成方法-CN201811186335.1在审
发明人：陈雅丽;乔猛男;孔鲲迪;杨帅;肖鹏 -专利权人：上海大学
申请日： 2018-10-12 - 公布日： 2019-02-12 - 主分类号： C07F7/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种螺苯并噁嗪并异喹啉吲哚啉酮或螺萘并噁嗪并异喹啉吲哚啉酮衍生物及其合成方法，该化合物具有如下结构：（1）和（2）其中R为甲氧基，甲基，氢，氯，硝基；该方法经历了多组分反应，为构建螺苯并噁嗪并异喹啉吲哚啉酮或螺萘并噁嗪并异喹啉吲哚啉酮分子骨架提供了合成思路，丰富了有机杂环化合物的合成方法。该合成方法具有反应条件温和、操作简便、符合原子经济性要求。
异喹啉吲哚啉合成螺萘并噁嗪酮衍生物有机杂环化合物多组分反应原子经济性反应条件分子骨架甲氧基构建硝基种螺

[发明专利]一种烷基修饰的吡啶基芳基硅烷类化合物的制备方法-CN201610265704.0有效
发明人：张扬会;张瑜 -专利权人：同济大学
申请日： 2016-04-26 - 公布日： 2019-01-25 - 主分类号： C07F7/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种烷基修饰的吡啶基芳基硅烷类化合物及其制备方法，在有机溶剂中，控制反应温度为30～80℃，以有机硅烷和烷基硼酸化合物为原料，以Pd元素为催化剂，并在配体作用下，在氧化剂、添加剂条件下反应2～48h制得烷基修饰的吡啶基芳基硅烷类化合物。本发明首次完成烷基官能团化的吡啶基芳基硅烷化合物的合成方法，且与现有技术相比，本发明具有条件温和、产率良好、操作简单、底物适用范围广等优点。
一种烷基修饰吡啶基芳基硅烷化合物及其制备方法

[发明专利]二氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯-硅烷前体化合物组合物和包含所述组合物的制品-CN201380042105.7有效
发明人：托马斯·P·克伦;艾伦·K·纳赫蒂加尔;约瑟夫·C·斯帕尼奥拉;马克·A·勒里希;詹妮弗·K·施诺布利希;盖伊·D·乔利;克里斯托弗·S·莱昂斯 -专利权人： 3M创新有限公司
申请日： 2013-03-01 - 公布日： 2019-01-25 - 主分类号： C07F7/10 文献下载
摘要：本发明涉及通过以下方式制备的二氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯‑硅烷前体化合物：使伯或仲氨基硅烷与环状的碳酸酯反应以产生羟基亚烷基‑氨基甲酰亚烷基‑烷氧基硅烷(称为“羟基氨基甲酰基硅烷”)，所述羟基氨基甲酰基硅烷与纯的或溶剂中的具有异氰酸酯官能团的(甲基)丙烯酸酯化材料反应，并且任选地与催化剂诸如锡化合物反应。本公开还描述了制品，所述制品包括基底、所述基底的主表面上的基础(共)聚合物层、所述基础(共)聚合物层上的氧化物层；以及所述氧化物层上的保护性(共)聚合物层，所述保护性(共)聚合物层包含至少一种二氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯‑硅烷前体化合物的反应产物。所述基底可为(共)聚合物膜或电子器件，诸如有机发光器件、电泳发光器件、液晶显示器、薄膜晶体管、或它们的组合。本公开描述了制备所述二氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯‑硅烷的方法及其在复合膜和电子器件中的用途。
氨基甲酸酯甲基丙烯酸酯硅烷化合物组合包含制品

[发明专利]脲(多)-氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯-硅烷组合物及包含所述组合物的制品-CN201380042298.6有效
发明人：托马斯·P·克伦;艾伦·K·纳赫蒂加尔;约瑟夫·C·斯帕尼奥拉;马克·A·勒里希;詹妮弗·K·施诺布利希;盖伊·D·乔利;克里斯托弗·S·莱昂斯 -专利权人： 3M创新有限公司
申请日： 2013-03-01 - 公布日： 2019-01-22 - 主分类号： C07F7/10 文献下载
摘要：本公开涉及物质组合物，所述物质组合物被描述为具有通式R_A‑NH‑C(O)‑N(R⁴)‑R¹¹‑[O‑C(O)NH‑R_S]_n或R_S‑NH‑C(O)‑N(R⁴)‑R¹¹‑[O‑C(O)NH‑R_A]_n的脲(多)‑氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯‑硅烷。本公开还描述了制品，其包括基底、所述基底的主表面上的基础(共)聚合物层、所述基础(共)聚合物层上的氧化物层；以及所述氧化物层上的保护性(共)聚合物层，所述保护性(共)聚合物层包含至少一种脲(多)‑氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯‑硅烷前体化合物的反应产物。所述基底可为(共)聚合物膜或电子器件，诸如有机发光器件、电泳发光器件、液晶显示器、薄膜晶体管、或它们的组合。本公开还描述了制备此类脲(多)‑氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯‑硅烷前体化合物的方法及其在复合膜和电子器件中的用途。本公开还描述了将多层复合膜用作制品中的阻隔膜的方法，所述制品选自固态发光器件、显示器器件和光伏器件。
氨基甲酸酯甲基丙烯酸酯硅烷组合包含制品

[发明专利]一种新型有机碳化硅材料LZU111及其合成方法-CN201610467805.6有效
发明人：王为;马天琼 -专利权人：兰州大学;中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2016-06-24 - 公布日： 2019-01-15 - 主分类号： C07F7/10 文献下载
摘要：一种新型有机碳化硅材料LZU111及其合成方法，在溶剂热条件下，两种有机小分子单体四（4‑醛基苯基）硅烷和四（4‑胺基苯基）甲烷，在醋酸水溶液的催化下，通过可逆缩合反应形成亚胺键而连接成为有机碳化硅材料LZU111。该种新材料的主要结构特点是，具有2H‑SiC的基础拓扑结构和新型的三层穿插网络；主要性质特点是，具有优良的热稳定性和较大的BET比表面积。通过上述方式，本发明能够高效地获得新型有机碳化硅材料LZU111，且起始原料廉价易得，合成条件温和，对合成设备要求低。
一种新型有机碳化硅材料 lzu111 及其合成方法

[发明专利]酮肟型硅烷交联剂的脱色方法-CN201710215317.0有效
发明人：邵寿强;汪俊杰;罗晟;刘毅;李鲁祯;刘建青 -专利权人：江苏艾科维科技有限公司
申请日： 2017-04-03 - 公布日： 2019-01-01 - 主分类号： C07F7/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种酮肟型硅烷交联剂的脱色方法，包括以下步骤：1)、脱色凹凸棒黏土的改性：将脱色凹凸棒黏土用酮肟基硅烷浸渍后加入水进行分散处理，过滤、滤饼Ⅰ洗涤后焙烧活化，得改性脱色凹凸棒黏土；2)、脱色：将改性脱色凹凸棒黏土过筛，将筛分后的改性脱色凹凸棒黏土分散至待处理的高色度酮肟基硅烷中，常温搅拌0.5～3h，过滤，滤液为低色度酮肟基硅烷。
酮肟型硅烷交联剂脱色方法

[发明专利]氨基氯氢二硅烷-CN201780028078.6在审
发明人： N·章;B·K·黄;B·D·雷肯;X·周 -专利权人：美国陶氏有机硅公司
申请日： 2017-05-15 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： C07F7/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于沉积的硅前体化合物，该硅前体化合物包含作为二硅烷并且包含至少一个氯基团、至少一个二烷基氨基和至少一个氢基团的化合物；一种用于成膜的组合物，该组合物包含硅前体化合物和下列中的至少一者：惰性气体、分子氢、碳前体、氮前体、和氧前体；一种合成硅前体化合物的方法；一种使用该硅前体化合物在基底上形成含硅膜的方法；由此形成的含硅膜；以及形成该硅前体化合物的方法。
硅前体化合物二硅烷含硅膜氨基二烷基氨基前体化合物惰性气体氮前体分子氢合成硅氯基团氢基团碳前体氧前体沉积成膜基底氯氢

[发明专利]对称超支化型硅酮改性聚合性化合物、及其模块化制造方法-CN201480015904.X有效
发明人：服部初彦 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2014-01-31 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： C07F7/10 文献下载
摘要：本发明是一种对称超支化型硅酮改性聚合性化合物，是含有通式(1)所示的化合物。由此，本发明提供一种位置以及立体对称的超支化型硅酮改性聚合性化合物，虽然其结构是具有硅氧烷链的高度支化结构，但是与先前相比，其支化骨架本身更具有柔软性并且聚合性官能基团的反应性更良好。[(R^AR^B)₂CHOCH₂]₂CHOR^C_cR^D(1),式(1)中，R^A是1价的直链、支化或环状的硅氧烷链；R^B是－CH²CR^b1R^b2(CR^b3R^b4)_n1OCH²－所示的亚烃基亚甲基醚基，其中R^b1、R^b2、R^b3以及R^b4分别可相同或不同并且是氢原子或者可互相键结的碳数1～10的直链、支化或环状的烃基，n1是0～10的整数；R^C是2价连接基，c是0或1；R^D是不饱和聚合性官能基团。
对称超支硅酮改性聚合化合物及其模块化制造方法

[实用新型]一种高纯双二乙胺基硅烷制备装置-CN201820389065.3有效
发明人：赵毅;赵趫;王天源;计燕秋;张琳 -专利权人：大连科利德光电子材料有限公司
申请日： 2018-03-21 - 公布日： 2018-12-11 - 主分类号： C07F7/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高纯双二乙胺基硅烷制备装置，装置包括反应器，反应器顶部设有加料器和冷凝器，冷凝器底部连接过滤器顶部，过滤器底部连接精馏塔釜，精馏塔釜上部连接精馏塔，精馏塔顶部连接接收器A和接收器B。本实用新型装置可制备双(二乙基氨基)硅烷，杂质指标达到电子级要求，为氧化硅和硅系高k薄膜生长提供可靠原料。
硅烷本实用新型二乙胺基精馏塔釜制备装置冷凝器高纯底部连接过滤器过滤器二乙基氨基反应器顶部精馏塔顶部连接接收器接收器底部连接杂质指标反应器高k薄膜电子级加料器精馏塔氧化硅硅系制备生长

[发明专利]基于硅嗪单元的光电功能材料及其制备方法和应用-CN201611160211.7有效
发明人：陈润锋;徐申;李欢欢;黄维 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2016-12-15 - 公布日： 2018-11-27 - 主分类号： C07F7/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于硅嗪单元的光电功能材料及其制备方法和应用，该光电功能材料的结构式如式I或式II所示：其中R₁是苯基，R₂是甲基或苯基。其制备方法是将咔唑与邻溴碘苯或1,4‑二溴‑2,5‑二氟苯反应，再将含溴中间体与正丁基锂反应，然后加入二苯基氯硅烷或甲基苯基氯硅烷，最后将硅氢衍生物与叔丁基过氧化氢反应，得到基于硅嗪单元的光电功能材料。本发明的光电功能材料有高的三线态能级，具有较好的空穴传输性能的同时具有一定的电子传输性质，且合成原料廉价。利用本发明材料制备的有机电致磷光器件具有较低的启亮电压，较高的效率和稳定的发光性能。
光电功能材料制备方法和应用苯基制备有机电致磷光器件甲基苯基氯硅烷叔丁基过氧化氢电子传输性质二苯基氯硅烷空穴传输性能三线态能级发光性能发明材料合成原料启亮电压正丁基锂溴碘苯氟苯硅氢含溴式II 咔唑

[发明专利]一种金属配合物OLED主体材料的制备方法-CN201811103517.8在审
发明人：王琪宇;张媛媛 -专利权人：宁波高新区诠宝绶新材料科技有限公司
申请日： 2018-09-20 - 公布日： 2018-11-23 - 主分类号： C07F7/10 文献下载
摘要：本发明涉及新材料制备领域，具体关于一种金属配合物OLED主体材料的制备方法；本发明方法公开的一种金属配合物OLED主体材料的制备方法，本专利制备的一种新型金属配合物OLED主体材料具有磷光寿命短，量子产率高，随着氟原子的引入，其材料的磷光寿命也随之进一步增加。另外，采用刚性结构更强的分子，显著提高电子传输性能，表现出更加优异的电荷传输平衡性，有利于降低器件在高亮度下的效率滚降。
制备主体材料金属配合物磷光寿命电子传输性能电荷传输刚性结构降低器件新型金属氟原子配合物平衡性产率量子引入表现

[发明专利]一种新型OLED空穴传输材料的制备方法-CN201810610487.3在审
发明人：王琪宇;王金桢 -专利权人：孝感寰誉新材科技有限公司
申请日： 2018-06-14 - 公布日： 2018-10-19 - 主分类号： C07F7/10 文献下载
摘要：本发明涉及新材料制备领域，具体关于一种新型OLED空穴传输材料的制备方法；本发明方法公开的一种新型OLED空穴传输材料的制备方法，本发明合成空穴传输材料具有立体构型，能有效抑制化合物的结晶，且所合成化合物的能级与常用阳极材料ITO功函相近，有利于空穴的注入。这类化合物所形成有机薄膜为无定型结构，表面平整度良好，兼具小分子材料和聚合物材料的优点，适于旋转涂布制备功能薄膜，对有机发光材料的商业化发展有重要的意义。
空穴传输材料制备有机发光材料空穴能级表面平整度合成化合物聚合物材料无定型结构小分子材料功能薄膜类化合物立体构型旋转涂布阳极材料有机薄膜有效抑制功函合成

[发明专利]新环二硅氮烷衍生物、其制备方法以及使用其的含硅薄膜-CN201580009061.7有效
发明人：张世珍;杨炳日;金成基;金宗炫;金度延;李相道;昔壮衒;李相益;金铭云 -专利权人： DNF有限公司
申请日： 2015-01-08 - 公布日： 2018-10-19 - 主分类号： C07F7/10 文献下载
摘要：提供了新的环二硅氮烷衍生物、用于制备其的方法、以及使用其的含硅薄膜，其中具有热稳定性、高挥发性和高反应性并且在室温下和压力下呈液态(易于处理)的所述环二硅氮烷衍生物可通过多种沉积方法形成具有优良物理和电学特性的高纯度含硅薄膜。
新环二硅氮烷衍生物制备方法以及使用薄膜