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[发明专利]硫代(二)硅烷-CN201780060866.3有效
发明人： N·M·章;B·K·黄;B·D·瑞肯;V·A·莎玛米安;王湘淮;X·周 -专利权人：美国陶氏有机硅公司
申请日： 2017-10-10 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： C23C16/34 文献下载
摘要：本发明公开了包含式(A)的硫代硅烷或式(I)的硫代二硅烷的硫代(二)硅烷：(R1aR1bR1cCS)s(Si)XxHh(A)，其中下标s为2至4；(R1aR1bR1cCS)s(R22N)n(Si‑Si)XxHh(I)，其中下标s为1至6，并且其中R1a、R1b、R1c、R2、X以及下标n、x和h在本文中有所定义。本发明还公开了包含所述硫代(二)硅烷的组合物，制备和使用所述硫代(二)硅烷的方法，可用于合成所述硫代(二)硅烷的中间体，以及由所述硫代(二)硅烷制备的膜和材料。
硅烷

[发明专利]氯二硅氮烷-CN202211155402.X在审
发明人： B·K·黄;B·D·瑞肯;M·D·特拉根豪福;X·周 -专利权人：美国陶氏有机硅公司
申请日： 2017-09-21 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：本发明公开了氯二硅氮烷；由其合成的硅杂原子化合物；含有所述硅杂原子化合物的器件；制备所述氯二硅氮烷、所述硅杂原子化合物和所述器件的方法；以及所述氯二硅氮烷、所述硅杂原子化合物和所述器件的用途。
氯二硅氮烷

[发明专利]氯二硅氮烷-CN201780058710.1有效
发明人： B·K·黄;B·D·瑞肯;M·D·特拉根豪福;X·周 -专利权人：美国陶氏有机硅公司
申请日： 2017-09-21 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：本发明公开了氯二硅氮烷；由其合成的硅杂原子化合物；含有所述硅杂原子化合物的器件；制备所述氯二硅氮烷、所述硅杂原子化合物和所述器件的方法；以及所述氯二硅氮烷、所述硅杂原子化合物和所述器件的用途。
氯二硅氮烷

[发明专利]硫代(二)硅烷-CN201780061341.1有效
发明人： N·M·章;B·K·黄;B·D·瑞肯;V·A·莎玛米安;X·W·王;X·周 -专利权人：美国陶氏有机硅公司
申请日： 2017-10-10 - 公布日： 2021-06-11 - 主分类号： C23C16/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种在基底上形成膜的方法，该方法包括：在化学气相沉积(CVD)或原子层沉积(ALD)方法中，在热或等离子体条件下对根据式(I)(R1aR1bR1cCS)s(R22N)n(Si‑Si)XxHh(I)的硫代二硅烷加热，以得到沉积在基底上的含硅膜，其中：下标s、n、x、h以及R1a、R1b、R1c、R22和X如本文所定义。
硅烷

[发明专利]三(乙硅烷基)胺-CN201680070868.6有效
发明人： B·D·瑞肯;X·周;B·K·黄;B·凯托拉 -专利权人：江苏南大光电材料股份有限公司
申请日： 2016-12-16 - 公布日： 2021-01-26 - 主分类号： C07F7/02 文献下载
摘要：一种用于制备三(乙硅烷基)胺的方法。所述方法包括以下步骤：(a)使乙硅烷基(烷基)胺与氨接触以制备二(乙硅烷基)胺；以及(b)使二(乙硅烷基)胺制备三(乙硅烷基)胺和氨。
硅烷

[发明专利]老化的聚合物型倍半硅氧烷-CN201780018845.5有效
发明人：傅鹏飞;B·K·黄 -专利权人：美国陶氏有机硅公司
申请日： 2017-01-11 - 公布日： 2020-09-22 - 主分类号： C09D183/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种老化的聚合物型倍半硅氧烷，所述老化的聚合物型倍半硅氧烷包括在460℃至700℃的温度下加热式(I)的固化的聚合物型倍半硅氧烷的产物(参见说明书)；一种制剂，所述制剂包含所述老化的聚合物型倍半硅氧烷和至少一种附加组分；制备和使用所述老化的聚合物型倍半硅氧烷的方法；以及包含所述老化的聚合物型倍半硅氧烷的制品和器件。
老化聚合物型倍半硅氧烷

[发明专利]1,1,1-三(有机氨基)二硅烷化合物及其制备方法-CN201880059969.2在审
发明人： B·K·黄;周孝宾 -专利权人： DDP特种电子材料美国第9有限公司
申请日： 2018-07-30 - 公布日： 2020-05-01 - 主分类号： C01B33/04 文献下载
摘要：公开了一种1,1,1‑三(有机氨基)二硅烷化合物和一种制备所述1,1,1‑三(有机氨基)二硅烷化合物的方法。所述方法包括用包含有机胺化合物的胺化剂将1,1,1‑三卤代二硅烷胺化，得到包含所述1,1,1‑三(有机氨基)二硅烷化合物的反应产物，从而制备所述1,1,1‑三(有机氨基)二硅烷化合物。还公开了一种成膜组合物。所述成膜组合物包含所述1,1,1‑三(有机氨基)二硅烷化合物。还公开了一种用所述成膜组合物形成的膜和一种形成所述膜的方法。形成所述膜的所述方法包括在基材存在下使包含所述1,1,1‑三(有机氨基)二硅烷化合物的所述成膜组合物经受沉积条件，从而在所述基材上形成所述膜。
有机氨基硅烷化合物及其制备方法

[发明专利]三氯二硅烷-CN201780057569.3在审
发明人： B·K·黄;T·森德兰;X·周 -专利权人：美国陶氏有机硅公司
申请日： 2017-09-21 - 公布日： 2019-05-03 - 主分类号： C23C16/34 文献下载
摘要：本发明公开了用于沉积的硅前体化合物，所述硅前体化合物包含三氯二硅烷；用于成膜的组合物，所述组合物包含硅前体化合物和以下各项中的至少一者：惰性气体、分子氢、碳前体、氮前体和氧前体；使用所述硅前体化合物在基底上形成含硅膜的方法；以及由此形成的所述含硅膜。
硅前体化合物氯二硅烷含硅膜惰性气体氮前体分子氢碳前体氧前体成膜基底沉积

[发明专利]氨基氯氢二硅烷-CN201780028078.6在审
发明人： N·章;B·K·黄;B·D·雷肯;X·周 -专利权人：美国陶氏有机硅公司
申请日： 2017-05-15 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： C07F7/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于沉积的硅前体化合物，该硅前体化合物包含作为二硅烷并且包含至少一个氯基团、至少一个二烷基氨基和至少一个氢基团的化合物；一种用于成膜的组合物，该组合物包含硅前体化合物和下列中的至少一者：惰性气体、分子氢、碳前体、氮前体、和氧前体；一种合成硅前体化合物的方法；一种使用该硅前体化合物在基底上形成含硅膜的方法；由此形成的含硅膜；以及形成该硅前体化合物的方法。
硅前体化合物二硅烷含硅膜氨基二烷基氨基前体化合物惰性气体氮前体分子氢合成硅氯基团氢基团碳前体氧前体沉积成膜基底氯氢

[发明专利]含纳米颗粒的纤维和生产纳米颗粒的方法-CN200980140610.9无效
发明人： M·A·阿什拉夫;B·K·黄;B·路德维戈 -专利权人：陶氏康宁公司
申请日： 2009-08-19 - 公布日： 2011-09-14 - 主分类号： C01B33/021 文献下载
摘要：通过静电纺丝具有至少一个硅原子的硅组合物，产生纳米颗粒的方法。硅组合物的静电纺丝形成纤维。热解该纤维，产生纳米颗粒。该纳米颗粒具有优良的光致发光性能，且适合于在许多不同的应用中使用。
纳米颗粒纤维生产方法

[发明专利]固化氢倍半硅氧烷和在纳米级沟槽内致密化的方法-CN200680018547.8无效
发明人：陈伟;B·K·黄;J－K·李;E·S·梅尔;M·J·斯波尔丁;S·王 -专利权人：陶氏康宁公司
申请日： 2006-06-12 - 公布日： 2008-05-21 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：通过下述步骤填充在半导体基底内的沟槽：(i)在半导体基底上和在沟槽内分配成膜材料；(ii)在第一低温下，在氧化剂存在下固化分配的成膜材料第一预定的时间段；(iii)在第二低温下，在氧化剂存在下固化分配的成膜材料第二预定的时间段；(iv)在第三高温下，在氧化剂存在下固化分配的成膜材料第三预定的时间段；和(v)在半导体基底内形成填充的氧化物沟槽。该成膜材料是氢倍半硅氧烷。
固化氢倍半硅氧烷纳米沟槽致密方法

[发明专利]生产氢化碳氧化硅膜的方法-CN200480005345.0有效
发明人： M·J·罗伯达;B·K·黄 -专利权人：陶氏康宁公司
申请日： 2004-01-26 - 公布日： 2006-03-29 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：生产具有低介电常数的氢化碳氧化硅(H:SiOC)膜的方法。该方法包括使用等离子体辅助的聚合，使含有至少一个应变硅键的环状硅烷化合物反应以产生膜。所得膜可用于形成半导体器件。
生产氢化氧化方法

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