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- [发明专利]用于在基体上连续地气相沉积硅的方法和设备-CN201880069960.X在审
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S·瑞伯;K·席林格
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奈克斯沃夫有限公司
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2018-10-25
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2020-06-12
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H01L21/02
- 一种用于在基体上连续地气相沉积硅的方法，包括以下步骤：a)将至少一个基体送入反应室(2)；b)将工艺气体以及至少一种气态硅前体化合物通入所述反应室(2)；c)在所述反应室(2)中形成与所述气态硅前体化合物共存的至少一种硅基中间产物和所述工艺气体的气态混合物；d)通过将所述硅前体化合物和/或所述硅基中间产物在所述基体上气相沉积硅来形成硅层；e)从所述反应室(2)中导出过量的所述气态混合物；其特征在于，所述方法还包括步骤(f)，在步骤(f)中，将过量的所述气态混合物的至少一个组分返回到所述反应室(2)中，所述组分选自所述硅前体化合物、所述硅基中间产物和/或所述工艺气体，其中，将所述硅前体化合物通入所述反应室(2)中的调节方式为，在工艺气体中，所述硅基中间产物与所述硅前体化合物的摩尔比为0.2:
- 用于基体连续地气沉积方法设备
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