[发明专利]混合导通机制鳍型栅场效应晶体管器件

权利要求书

1.一种混合导通机制鳍型栅场效应晶体管器件，其特征在于，包括：

鳍型栅场效应晶体管，所述鳍型栅场效应晶体管包括衬底、鳍型沟道区、第一源区以及第一漏区；所述第一源区与所述第一漏区沿第一方向排列于所述衬底的上方；所述鳍型沟道区形成于所述第一源区与所述第一漏区之间的所述衬底上；其中，所述第一源区与所述第一漏区中掺杂有第一离子；其中，所述第一方向表征了所述鳍型栅场效应晶体管的沟道方向；

第二源区与第二漏区，所述第二源区形成于所述衬底与所述第一源区之间，所述第二漏区形成于所述衬底与所述第一漏区之间；所述第二源区与所述第二漏区的高度不低于所述第一源区与所述第一漏区之间的所述衬底的高度；

其中，所述第二漏区中掺杂有所述第一离子，所述第二源区中掺杂有第二离子，且所述第一离子的类型与所述第二离子的类型不同。

2.根据权利要求1所述的混合导通机制鳍型栅场效应晶体管器件，其特征在于，所述第二源区和/或所述第二漏区的厚度为5nm-50nm。

3.根据权利要求1所述的混合导通机制鳍型栅场效应晶体管器件，其特征在于，所述第一离子是P型离子或N型离子。

4.根据权利要求1所述的混合导通机制鳍型栅场效应晶体管器件，其特征在于，所述第二离子是P型离子或N型离子。

5.根据权利要求1所述的混合导通机制鳍型栅场效应晶体管器件，其特征在于，所述第二源区和/或所述第二漏区中掺杂的离子浓度为1E16cm^-3-1E22cm^-3。

6.根据权利要求1所述的混合导通机制鳍型栅场效应晶体管器件，其特征在于，所述第二源区的材料与所述第二漏区的材料是：II-VI、III-V或IV-IV族的二元或三元化合物。

7.根据权利要求6所述的混合导通机制鳍型栅场效应晶体管器件，其特征在于，所述第二源区的材料与所述第二漏区的材料是Si、SiGe或Ge。

8.根据权利要求1所述的混合导通机制鳍型栅场效应晶体管器件，其特征在于，所述鳍型栅场效应晶体管还包括：

栅介质层与控制栅，所述栅介质层包裹部分所述沟道层的表面，且包裹所述第一源区与所述第一漏区之间的所述衬底；所述控制栅包裹所述栅介质层的表面；

侧墙，形成于所述栅介质层与所述控制栅的沿所述第一方向的两侧；

源极金属层，栅极金属层以及漏极金属层；所述源极金属层与所述漏极金属层分别形成于所述第一源区与所述第一漏区的表面，且分别全包裹所述第一源区和所述第二源区与所述第一漏区和所述第二源区；所述栅极金属层形成于所述控制栅的顶端；

层间介质层，覆盖所述源极金属层，所述栅极金属层、所述漏极金属层以及所述侧墙的表面；

金属接触层，贯穿所述层间介质层，且分别连接述源极金属层、所述栅极金属层以及所述漏极金属层。

9.一种混合导通机制鳍型栅场效应晶体管器件的制作方法，用于制作权利要求1-8任一项所述的混合导通机制鳍型栅场效应晶体管器件，其特征在于，包括：

形成所述鳍型栅场效应晶体管、所述第二源区与所述第二漏区；其中，所述鳍型栅场效应晶体管包括所述衬底、所述鳍型沟道区、所述第一源区以及所述第一漏区；所述第一源区与所述第一漏区沿第一方向排列于所述衬底的上方；所述鳍型沟道区形成于所述第一源区与所述第一漏区之间的所述衬底上；所述第二源区形成于所述衬底与所述第一源区之间，所述第二漏区形成于所述衬底与所述第一漏区之间，

其中，所述第一源区、所述第一漏区与所述第二漏区中掺杂有所述第一离子；所述第二源区中掺杂有第二离子，且所述第一离子的类型与所述第二离子的类型不同。