“许煜民”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果5个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]混合导通机制围栅晶体管及制作方法，设备及制作方法-CN202310630971.3在审
发明人：吴春蕾;许煜民;沈伯佥;赵斐;杨子辰;张卫 -专利权人：复旦大学;上海集成电路制造创新中心有限公司
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了混合导通机制围栅晶体管，包括：围栅MOSFET器件，包括衬底、第一源区、第一漏区、第一栅介质层以及围栅沟道控制栅；其中，第一源区与第一漏区中掺杂有第一离子；第二源区，形成于衬底与第一源区之间，第二漏区，形成于衬底与第一漏区之间，且第二源区与第二漏区的高度不低于第一源区和第一漏区之间的衬底的高度；其中，第二漏区中掺杂有第一离子，第二源区中掺杂有第二离子；底部控制栅；底部控制栅覆盖衬底上的栅介质层的表面；围栅沟道控制栅覆盖底部控制栅的表面，且底部控制栅与围栅沟道控制栅之间的功函数之差大于0.5eV。该技术方案解决了底部亚阈值区的小于60mV/dec的超陡亚阈值摆幅特性无法凸显的问题。
混合机制晶体管制作方法设备

[发明专利]底部U型栅围栅晶体管器件及制作方法、设备及制作方法-CN202310630991.0在审
发明人：吴春蕾;许煜民;沈伯佥;赵斐;杨子辰;张卫 -专利权人：复旦大学;上海集成电路制造创新中心有限公司
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了一种底部U型栅围栅晶体管器件，其中，包括衬底、第一源区、第一漏区、第一控制栅以及第一沟道层；其中，第一源区与第一漏区中掺杂有第一离子；第一沟道层表征了最接近衬底的沟道层；第一控制栅表征了最接近衬底的控制栅；第二源区，形成于衬底与第一源区之间，第二漏区，形成于衬底与第一漏区之间，且第一离子的类型与第二离子的类型不同；其中，第一控制栅沟道层的沿第二方向上的厚度高于其他控制栅沿第二方向上的厚度；第二源区与第二漏区的第一面沿第二方向上的高度不高于第一沟道层的底面，且第二面不低于二者之间的衬底的表面。该技术方案在防止底部寄生沟道泄漏的同时，解决了围栅晶体管器件中存在的源漏直接隧穿的问题。
底部型栅围栅晶体管器件制作方法设备

[发明专利]一种围栅隧穿场效应晶体管以及制作方法-CN202211566349.2在审
发明人：吴春蕾;许煜民;沈伯佥;赵斐;杨子辰;张卫 -专利权人：复旦大学;上海集成电路制造创新中心有限公司
申请日： 2022-12-07 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提供了一种围栅隧穿场效应晶体管，包括：衬底；衬底上包括：第一外延区、第二外延区、第一沟道区、第二沟道区以及第三沟道区；第一外延层形成于第一外延区；第二外延层形成于第二外延区；若干第一沟道层沿远离衬底的方向上堆叠，且相邻两第一沟道层之间通过沟道空腔间隔；其中，第一沟道层包括第一沟道部、第二沟道部以及第三沟道部；内侧墙；填充于第一沟道区和第三沟道区的沟道空腔中；第二沟道层、栅介质层以及控制栅；均形成于第二沟道区中；其中，第一沟道部中掺杂有第一离子，第二沟道层中掺杂有第二离子；第一离子和第二离子的类型不同；以解决如何增大围栅隧穿场效应晶体管的开态电流的问题。
一种围栅隧穿场效应晶体管以及制作方法

[发明专利]混合导通机制围栅晶体管及其制作方法-CN202211730768.5在审
发明人：吴春蕾;许煜民;沈伯佥;赵斐;杨子辰;张卫;徐敏 -专利权人：复旦大学;上海集成电路制造创新中心有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了一种混合导通机制围栅晶体管，包括围栅MOSFET器件、第二源区与第二漏区；围栅MOSFET器件包括衬底、第一源区以及第一漏区；第一源区与第一漏区中参杂有第一离子；第二源区形成于衬底与第一源区之间，第二漏区形成于衬底与第一漏区之间，且第二源区、第二漏区的高度不低于第一源区和第一漏区之间的衬底的高度；第二漏区中掺杂有第一离子，第二源区中掺杂有第二离子。该技术方案解决了围栅MOSFET器件的底部寄生沟道电流泄漏的问题，并且通过增设第二源区和第二漏区，相当于在传统围栅MOSFET器件的底部并联了隧穿场效应晶体管TFET器件结构，可以实现围栅沟道扩散漂移电流和底部沟道带带隧穿电流混合导通，以获得更优的超陡开关特性。
混合机制晶体管及其制作方法

[发明专利]混合导通机制鳍型栅场效应晶体管器件-CN202211730772.1在审
发明人：吴春蕾;许煜民;沈伯佥;赵斐;杨子辰;张卫;徐敏 -专利权人：复旦大学;上海集成电路制造创新中心有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了一种混合导通机制鳍型栅场效应晶体管器件，包括鳍型栅场效应晶体管、第二源区与第二漏区；鳍型栅场效应晶体管包括衬底、鳍型沟道区、第一源区及第一漏区；第二源区的高度不低于第一源区与第一漏区之间的衬底的高度；第一源区与第一漏区中掺杂有第一离子；第二源区形成于衬底与第一源区之间，第二漏区形成于衬底与第一漏区之间，第二漏区与第二源区中分别掺杂有第一离子与第二离子。该方案解决了鳍型栅场效应晶体管的底部电流泄漏的问题，且通过增设第二源区和第二漏区，相当于在鳍型栅场效应晶体管的底部并联隧穿场效应晶体管器件结构，可以实现鳍型沟道扩散漂移电流和底部沟道带带隧穿电流混合导通，从而获得更优的超陡开关特性。
混合机制鳍型栅场效应晶体管器件