[发明专利]一种半导体结构以及半导体结构制备方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

基底；

浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构设置在所述基底中，所述浅沟槽隔离结构的至少部分上表面低于所述基底的上表面；

第一栅极结构，所述第一栅极结构至少部分设置于所述浅沟槽隔离结构上，所述第一栅极结构包括第一介质层、第一导电层、以及覆盖所述第一介质层和所述第一导电层二者侧壁的侧壁绝缘层，所述第一导电层的顶部具有异形凸起，所述侧壁绝缘层的顶表面高度低于所述异形凸起的顶点高度

遮蔽层，所述遮蔽层位于所述异形凸起的顶点与所述侧壁绝缘层之间。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一导电层的顶部具有异形凸起包括：所述第一导电层的顶部两端具有异形凸起。

3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述第一导电层的顶部中间平坦。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一导电层的底表面呈由边缘向中间凹陷的凹面型，所述第一介质层的上表面呈由边缘向中间凹陷的凹面型且所述第一介质层的上表面与所述第一导电层的底表面相嵌合。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：第二栅极结构，所述第二栅极结构设置于所述基底上，所述第二栅极结构包括依次沉积在所述基底上的第二介质层和第二导电层。

6.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述异形凸起的顶部低于所述第二导电层的顶部。

7.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述浅沟槽隔离结构包括至少三层绝缘层。

8.根据权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，所述浅沟槽隔离结构包括：

第一绝缘层；

第二绝缘层，所述第二绝缘层覆盖所述第一绝缘层的侧壁和底部；

第三绝缘层，所述第三绝缘层填充满所述第二绝缘层围成的凹槽。

9.根据权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，所述第一栅极结构的横向尺寸小于所述第三绝缘层的横向尺寸。

10.根据权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，所述侧壁绝缘层还覆盖所述第三绝缘层的上表面。

11.根据权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，

所述遮蔽层覆盖所述第一导电层以及至少部分所述侧壁绝缘层；

栅极间隔物，所述栅极间隔物覆盖所述侧壁绝缘层、所述遮蔽层、所述第二绝缘层和部分所述第一绝缘层的上表面。

12.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述遮蔽层完全覆盖第一导电层顶部的异形凸起部。

13.一种半导体结构制备方法，其特征在于，包括：

提供基底；

在所述基底中形成浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构的至少部分上表面低于所述基底的上表面；

沉积覆盖所述基底和所述浅沟槽隔离结构上表面的介质层；

沉积覆盖所述介质层的导电层；

刻蚀所述导电层和所述介质层，以至少在所述浅沟槽隔离结构上形成第一栅极结构，所述第一栅极结构中所述导电层的顶部具有异形凸起；

形成覆盖所述介质层和所述导电层二者侧壁的侧壁绝缘层，所述侧壁绝缘层的顶表面高度低于所述异形凸起的顶点高度；

形成遮蔽层，所述遮蔽层位于所述异形凸起的顶点与所述侧壁绝缘层之间。

14.一种半导体结构，其特征在于，包括：

基底；

浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构设置在所述基底中，所述浅沟槽隔离结构的至少部分上表面低于所述基底的上表面；

第一栅极结构，所述第一栅极结构至少部分设置于所述浅沟槽隔离结构上，所述第一栅极结构包括第一介质层、第一导电层和侧壁绝缘层；

遮蔽层，覆盖所述第一导电层以及所述侧壁绝缘层；

其中，所述侧壁绝缘层覆盖所述第一介质层和所述第一导电层二者的侧壁，所述侧壁绝缘层部分覆盖所述遮蔽层的侧壁，所述第一导电层的顶部具有异形凸起，所述侧壁绝缘层的顶表面高度低于所述异形凸起的顶点高度。