[发明专利]具有虚设焊盘的半导体封装在审

专利信息
申请号: 202010433384.1 申请日: 2020-05-20
公开(公告)号: CN112185930A 公开(公告)日: 2021-01-05
发明(设计)人: 池永根;柳慧桢;金相源;姜芸炳;李种昊;金大祐;李元宰 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L23/528 分类号: H01L23/528;H01L23/488;H01L23/498;H01L23/31;H01L25/07
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 纪雯
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 具有 虚设 半导体 封装
【权利要求书】:

1.一种半导体封装,包括:

封装衬底,具有底表面和顶表面;

多个封装端子,设置在所述封装衬底的底表面上;

插入衬底,设置在所述封装衬底的顶表面上,所述插入衬底具有面对所述封装衬底的底表面和与所述底表面相对的顶表面;

多个插入端子,设置在所述插入衬底的所述底表面上并电连接至所述封装衬底;

第一半导体芯片,设置在所述插入衬底的顶表面上;

第二半导体芯片,设置在所述插入衬底的顶表面上,并设置为与所述第一半导体芯片水平地分离;

第一多个信号焊盘,设置在所述插入衬底的顶表面上,并电连接至所述插入衬底中的布线和所述第一半导体芯片中的一个或多个电路;

第二多个信号焊盘,设置在所述插入衬底的顶表面上,并电连接至所述插入衬底中的布线和所述第二半导体芯片中的一个或多个电路;以及

多个虚设焊盘,从上向下看设置在由所述第一半导体芯片占据的区域的外部,并从上向下看设置在由所述第二半导体芯片占据的区域的外部,并设置在所述插入衬底的所述顶表面上,

其中,所述第一多个信号焊盘、所述第二多个信号焊盘和所述多个虚设焊盘均位于所述封装衬底的所述顶表面上方的相同竖直高度处,

其中,所述第一多个信号焊盘和所述第二多个信号焊盘中的每个焊盘被配置为在所述插入衬底与相应的半导体芯片之间传输信号,以及

其中,所述虚设焊盘中的每个焊盘被配置为在所述插入衬底与设置在其上的任何半导体芯片之间不传输信号。

2.根据权利要求1所述的半导体封装,其中:

从上向下看,所述多个虚设焊盘中的一组虚设焊盘围绕由所述插入衬底的最外侧插入端子的外边界占据的区域。

3.根据权利要求1所述的半导体封装,其中:

从上向下看,所述多个虚设焊盘中的最外侧虚设焊盘在水平方向上比所述插入衬底的最外插入端子更靠近所述插入衬底的侧表面。

4.根据权利要求1所述的半导体封装,还包括:

多个虚设焊盘中的至少第一虚设焊盘,水平地位于所述第一半导体芯片与所述第二半导体芯片之间;以及

多个虚设焊盘中的至少第二虚设焊盘,位于由所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片占据的区域的外部且并非水平地位于所述第一半导体芯片与所述第二半导体芯片之间。

5.根据权利要求4所述的半导体封装,

其中,所述第一虚设焊盘通过热线与所述第二虚设焊盘热连接。

6.根据权利要求5所述的半导体封装,其中:

所述热线由导热且导电的材料形成,并形成在所述插入衬底上或在所述插入衬底中。

7.根据权利要求1所述的半导体封装,其中:

所述虚设焊盘与所述插入衬底中的任何布线或电路电隔离。

8.根据权利要求1所述的半导体封装,其中:

所述虚设焊盘具有面对所述插入衬底的底表面和背对所述插入衬底的顶表面,以及

每个虚设焊盘的顶表面接触绝缘材料,而不接触导电材料。

9.根据权利要求8所述的半导体封装,其中:

所述绝缘材料是形成为封装所述半导体封装的模制材料。

10.根据权利要求1所述的半导体封装,其中:

所述虚设焊盘具有面对所述插入衬底的底表面和背对所述插入衬底的顶表面,以及

每个虚设焊盘的所述底表面接触绝缘材料,而不接触导电材料。

11.根据权利要求1所述的半导体封装,其中:

所述第一多个信号焊盘各自具有从其底表面到其顶表面的第一高度,

每个虚设焊盘都具有从其底表面到其顶表面的第二高度,以及

所述第一高度与所述第二高度相同。

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