[发明专利]半导体封装及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体封装，其特征在于，包括：

第一装置封装，包括：

第一重布线结构，包括第一重布线及第二重布线；

管芯，位于所述第一重布线结构上；

第一通孔，耦合到所述第一重布线的第一侧；

第二通孔，耦合到所述第二重布线的第一侧，且所述第二通孔从所述第二重布线的第一侧延伸至远离所述第二重布线的第一侧的所述第二重布线的第二侧，以穿过所述第二重布线；

包封体，环绕所述管芯、所述第一通孔、及所述第二通孔；以及

第二重布线结构，位于所述包封体之上，所述第二重布线结构电连接到所述管芯、所述第一通孔、及所述第二通孔；

第一导电连接件，耦合到所述第一重布线的第二侧，所述第一导电连接件沿与所述第一通孔的纵向轴线不同的轴线设置；以及

第二导电连接件，耦合到所述第二重布线的第二侧，所述第二导电连接件沿所述第二通孔的纵向轴线设置。

2.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，还包括：

第二装置封装，包括第一结合接垫及第二结合接垫，所述第一导电连接件耦合到所述第一结合接垫，所述第二导电连接件耦合到所述第二结合接垫。

3.根据权利要求2所述的半导体封装，其特征在于，所述第一结合接垫及所述第二结合接垫具有镍表面处理。

4.根据权利要求2所述的半导体封装，其特征在于，所述第一重布线及所述第二重布线是由铜形成。

5.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，所述第一重布线结构还包括：

第一介电层，所述第一重布线及所述第二重布线设置在所述第一介电层上；以及

第二介电层，位于所述第一介电层上。

6.根据权利要求5所述的半导体封装，其特征在于，所述第二通孔比所述第一通孔长。

7.一种半导体封装的形成方法，其特征在于，包括：

形成第一重布线结构，包括：

在载体衬底之上沉积第一介电层；

在所述第一介电层上形成第一导电特征；

在所述第一介电层上形成第二导电特征；

在所述第一介电层上形成第三导电特征；以及

在所述第一导电特征、所述第二导电特征、及所述第三导电特征上沉积第二介电层；

在所述第一导电特征上形成第一通孔；

在所述第二导电特征上以及所述第三导电特征上形成第二通孔，所述第二通孔延伸于所述第二导电特征与所述第三导电特征之间；

将管芯贴合到邻近所述第一通孔及所述第二通孔的所述第一重布线结构；

使用包封体包封所述管芯、所述第一通孔、及所述第二通孔；

将所述包封体、所述第一通孔、及所述第二通孔平坦化；以及

在所述包封体、所述第一通孔、所述第二通孔、及所述管芯之上形成第二重布线结构。

8.根据权利要求7所述的半导体封装的形成方法，其特征在于，还包括：

将所述载体衬底从所述第一重布线结构剥离；以及

将装置封装贴合到所述第一重布线结构，所述装置封装通过第一连接件贴合到所述第一导电特征，所述装置封装通过第二连接件贴合到所述第二导电特征及所述第三导电特征。

9.根据权利要求8所述的半导体封装的形成方法，其特征在于，所述第一连接件不沿所述第一通孔的纵向轴线设置。

10.根据权利要求8所述的半导体封装的形成方法，其特征在于，所述第二连接件沿所述第二通孔的纵向轴线设置。

11.根据权利要求7所述的半导体封装的形成方法，其特征在于，在所述平坦化之后，所述第一通孔比所述第二通孔长。