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[实用新型]具有热增强性能的封装结构-CN202320667408.9有效
发明人：庄立朴;潘信瑜;黄子松 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-03-30 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本实用新型提供一种包括芯片堆叠结构、热增强组件及第一绝缘包封体的具有热增强性能的封装结构。热增强组件堆叠在芯片堆叠结构之上并热耦合到芯片堆叠结构，其中热增强组件的第一侧向尺寸大于芯片堆叠结构的第二侧向尺寸。第一绝缘包封体侧向地包封热增强组件及芯片堆叠结构。
具有增强性能封装结构

[实用新型]半导体封装-CN202223285032.X有效
发明人：江佾澈;陈建勋;洪端佑;潘信瑜;谢潍冈;江宗宪;黄朝先;黄子松;曾明鸿;陈韦志;吴邦立;蔡豪益;胡毓祥;刘重希 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-12-08 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本实用新型提供一种半导体封装，包括背侧重布线结构、前侧重布线结构、包封体以及穿孔。背侧重布线结构包括第一介电层、第二介电层、第一金属化图案以及第二金属化图案。第二介电层位于所述第一介电层上。第一金属化图案，位于所述第一介电层与所述第二介电层之间，其中所述第二介电层延伸穿过所述第一金属化图案以形成介电槽。第二金属化图案，其中所述第二介电层位于所述第一金属化图案与所述第二金属化图案之间。包封体位于所述背侧重布线结构与所述前侧重布线结构之间。穿孔延伸穿过所述包封体，所述穿孔与所述第二金属化图案实体耦合，其中所述介电槽在俯视图中与所述穿孔重叠。
半导体封装

[发明专利]封装件及其形成方法-CN202210797626.4在审
发明人： 黄子松;江宗宪;曾明鸿;蔡豪益;胡毓祥;林志伟;庄立朴;蔡玮伦;江铠名;林敬尧;李兆伟;谢静华 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-07-06 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：一种形成封装件的方法包括在载体上方形成第一金属网；在第一金属网上方形成第一介电层；以及在第一介电层上方形成第二金属网。第一金属网和第二金属网交错。该方法还包括在第二金属网上方形成第二介电层，将器件管芯附接在第二介电层上方，其中，器件管芯与第一金属网和第二金属网重叠，将器件管芯密封在密封剂中，以及在器件管芯上方形成再分布线，并且将再分布线电连接至器件管芯。本发明的实施例还涉及封装件。
封装及其形成方法

[发明专利]半导体器件和形成半导体器件方法-CN202211175220.9在审
发明人： 黄子松;曾明鸿;林彦良;蔡豪益;蔡及铭;刘重希;林志伟;何明哲 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-03-09 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：在实施例中，半导体器件包括：集成电路管芯；至少部分地围绕集成电路管芯的密封剂，该密封剂包括具有平均直径的填充剂；延伸穿过密封剂的通孔，通孔的下部具有恒定的宽度，并且通孔的上部具有连续减小的宽度，上部的厚度大于填充剂的平均直径；以及再分布结构，包括：位于通孔、密封剂和集成电路管芯上的介电层；以及金属化图案，具有延伸穿过介电层的通孔部分和沿着介电层延伸的线部分，金属化图案电连接至通孔和集成电路管芯。本发明的实施例还涉及形成半导体器件的方法。
半导体器件形成方法

[发明专利]半导体封装及其制造方法-CN202210137523.5在审
发明人：蔡豪益;谢政杰;江宗宪;江慧君;黄子松;曾明鸿;庄立朴;翁崇铭;于宗源;刘醇鸿 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-02-15 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本发明提供一种包括第一半导体晶粒、第二半导体晶粒、第一绝缘包封体、介电层结构、导体结构和第二绝缘包封体的半导体封装。第一半导体晶粒包括从半导体基底的第一侧延伸到第二侧的第一半导体基底和硅穿孔(TSV)。第二半导体晶粒设置在半导体基底的第一侧。第二半导体晶粒上的第一绝缘包封体封装了第一半导体晶粒。TSV的末端与第一绝缘包封体的表面共面。介电层结构覆盖了第一半导体晶粒和第一绝缘包封体。导体结构延伸穿过介电层结构并与硅穿孔接触。第二绝缘包封体与第二半导体晶粒、第一绝缘封装和介电层结构接触。
半导体封装及其制造方法

[发明专利]半导体器件和形成半导体器件方法-CN202010155641.X有效
发明人： 黄子松;曾明鸿;林彦良;蔡豪益;蔡及铭;刘重希;林志伟;何明哲 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-03-09 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：在实施例中，半导体器件包括：集成电路管芯；至少部分地围绕集成电路管芯的密封剂，该密封剂包括具有平均直径的填充剂；延伸穿过密封剂的通孔，通孔的下部具有恒定的宽度，并且通孔的上部具有连续减小的宽度，上部的厚度大于填充剂的平均直径；以及再分布结构，包括：位于通孔、密封剂和集成电路管芯上的介电层；以及金属化图案，具有延伸穿过介电层的通孔部分和沿着介电层延伸的线部分，金属化图案电连接至通孔和集成电路管芯。本发明的实施例还涉及形成半导体器件的方法。
半导体器件形成方法

[发明专利]半导体封装及其形成方法-CN201810141147.0有效
发明人：余振华;蔡豪益;曾明鸿;郭庭豪;林彦良;黄子松 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-02-11 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：提供一种半导体封装，所述半导体封装包括第一装置封装，所述第一装置封装包括：第一重布线结构，包括第一重布线及第二重布线；管芯，位于第一重布线结构上；第一通孔，耦合到第一重布线的第一侧；第二通孔，耦合到第二重布线的第一侧且延伸穿过所述第二重布线；包封体，环绕管芯、第一通孔、及第二通孔；以及第二重布线结构，位于包封体之上，所述第二重布线结构电连接到管芯、第一通孔、及第二通孔。所述半导体封装还包括：第一导电连接件，耦合到第一重布线的第二侧，所述第一导电连接件沿与第一通孔的纵向轴线不同的轴线设置；第二导电连接件，耦合到第二重布线的第二侧，所述第二导电连接件沿第二通孔的纵向轴线设置。
半导体封装及其形成方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202011521563.7在审
发明人：余振华;刘仁福;曾明鸿;江宗宪;林彦良;黄子松 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-12-21 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：在一个实施例中，一种结构包括：第一集成电路管芯，包括第一管芯连接器；第一介电层，位于第一管芯连接器上；第一导电过孔，延伸穿过第一介电层，第一导电过孔连接至第一管芯连接器的第一子集；第二集成电路管芯，利用第一可回流连接器接合至第一管芯连接器的第二子集；第一密封剂，围绕第二集成电路管芯和第一导电过孔，第一密封剂和第一集成电路管芯横向地相邻；第二导电过孔，与第一集成电路管芯相邻；第二密封剂，围绕第二导电过孔、第一密封剂、和第一集成电路管芯；以及第一再分布结构，包括第一再分布线，第一再分布线连接至第一导电过孔和第二导电过孔。本申请的实施例还提供一种形成半导体结构的方法。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体装置封装-CN201710165705.2有效
发明人：余振华;黄子松;蔡豪益;曾明鸿;郭鸿毅 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-03-20 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本公开部分实施例提供一种半导体装置封装。半导体装置封装包括一半导体装置。半导体装置封装也包括配置用于在磁流通过时产生电流的一线圈。半导体装置封装还包括环绕半导体装置以及线圈的一成型材料。并且，半导体装置封装包括位于成型材料之上的一导电金属件。一开口形成于导电金属件之上。
半导体装置封装

[发明专利]半导体封装件和方法-CN201810609924.X有效
发明人： 黄子松;林修任;蔡豪益;曾明鸿;江宗宪;郭庭豪;林彦良 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-06-13 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：在实施例中，器件包括：背侧再分布结构，背侧再分布结构包括：金属化图案，位于第一介电层上；以及第二介电层，位于金属化图案上；通孔，穿过第一介电层延伸以接触金属化图案；集成电路管芯，邻近第一介电层上的通孔；模塑料，位于第一介电层上，模塑料密封通孔和集成电路管芯；导电连接件，穿过第二介电层延伸以接触金属化图案，导电连接件电连接至通孔；以及金属间化合物，位于导电连接件和金属化图案的界面处，金属间化合物仅部分地延伸至金属化图案内。本发明的实施例还涉及半导体封装件和方法。
半导体封装方法

[发明专利]半导体封装及其制造方法-CN202010093038.3在审
发明人：鲁珺地;蔡豪益;曾明鸿;江宗宪;林彦良;黄子松 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-02-14 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：提供一种半导体封装及一种半导体封装的制造方法。所述封装包括管芯、层间穿孔、介电膜、后侧膜及焊料膏部分。所述层间穿孔设置在半导体管芯旁边且模塑化合物在横向上环绕管芯及层间穿孔。所述介电膜设置在半导体管芯的后侧上，且所述后侧膜设置在介电膜上。后侧膜的热膨胀系数及杨氏模量中的至少一者比介电膜的热膨胀系数及杨氏模量中的至少一者大。所述焊料膏部分设置在层间穿孔上且位于穿透过介电膜及后侧膜的开口内。具有在开口内位于介电膜与后侧膜之间的界面处的凹槽。本公开提供的结构及方法与包含对已知良好管芯进行中间验证的测试方法结合使用以提高良率。
半导体封装及其制造方法

[发明专利]半导体器件和方法-CN201810979949.9有效
发明人： 黄子松;余振华;郭鸿毅;蔡豪益;曾明鸿 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-08-27 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明的实施例公开了半导体器件及其形成方法。在一个实施例中，一种半导体器件包括：在第一介电层上的导电屏蔽件；在第一介电层和导电屏蔽件上的第二介电层，第一和第二介电层围绕导电屏蔽件，第二介电层包括：沿着导电屏蔽件的外围设置的第一部分；延伸穿过导电屏蔽件的中心区域的第二部分；以及延伸穿过导电屏蔽件的通道区的第三部分，第三部分将第一部分连接至第二部分；在第二介电层上的线圈，线圈设置在导电屏蔽件上方；在第二介电层上的集成电路管芯，集成电路管芯设置在线圈的外部；以及围绕线圈和集成电路管芯的密封剂，密封剂、集成电路管芯和线圈的顶表面是平齐的。
半导体器件方法

[发明专利]线圈结构的形成方法-CN201610954883.9在审
发明人： 黄子松;余振华;郭鸿毅;蔡豪益;曾明鸿 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-10-27 - 公布日： 2018-02-16 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：一种线圈结构的形成方法。线圈结构包括衬底。多个线圈设置在衬底上，且每一线圈包括形成连续螺旋结构的导电元件。连续螺旋结构在线圈结构的上视图中呈六边形。线圈排列成蜂窝状图案，且每一导电元件与外部电路电连接。
线圈结构形成方法

[实用新型]分级送料直燃式炉盘燃烧机-CN201620001496.9有效
发明人： 黄子松 -专利权人：肖菊珍
申请日： 2016-01-04 - 公布日： 2016-06-01 - 主分类号： F23B40/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种分级送料直燃式炉盘燃烧机，包括一燃烧机壳体，壳体顶部开设有一用以投送物料的料斗，料斗下部连接一级进料绞龙；所述一级进料绞龙的一端连接有一级进料电机，另一端通过一级二级进料对接软管与二级进料绞龙相连；二级进料绞龙的一端连接有一二级进料电机，另一端与一设置于壳体外部的燃烧炉盘相连；二级进料绞龙的另一端还连接有一自动点火装置；壳体内还设置有一风机，风机与一软管的一端相连，软管的另一端与所述燃料炉盘相连；软管上连接复数个分支软管，所述分支软管与二级进料绞龙相连。本实用新型可以使得送料不堵塞，火焰直接燃烧受热部位且温度稳定，其中二级送料管的安装杜绝回火鼓风分流软管，在工作中更安全。
分级送料直燃式炉盘燃烧

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