[发明专利]晶圆的清洗方法

说明书

本发明的晶圆的清洗方法，依次包括：晶圆置于酸性混合液中进行脱胶；该晶圆置于硝酸和氢氟酸的混合酸溶液中进行清洗；该晶圆置于弱碱溶剂中浸泡；以及用纯水冲洗该晶圆。该方法能高效去除晶圆上的残留物，减少晶圆上的缺陷，从而保证半导体器件的性能和良率。

技术领域

本发明涉及半导体芯片清洗领域，尤其涉及一种晶圆的清洗方法。

背景技术

随着集成电路特征尺寸进入到深亚微米阶段，集成电路芯片制造工艺中所要求的晶圆的洁净度越来越高，为了保证芯片材料表面的洁净度，集成电路的制造工艺中存在数百道清洗工艺。

现有的半导体制造工艺中，需要将金属钨(W)填充到接触孔(CT)中，然后进行平坦化。现有的清洗方法一般是在钨CMP(Chemical Mechanical Polishing，化学机械抛光)工艺之后，先采用氨水(NH₄OH)进行清洗晶圆，再采用氢氟酸(HF)清洗所述晶圆。

但是，在实际的操作过程中，发现现有的清洗方法并不能有效地去除钨CMP工艺之后的缺陷。钨CMP工艺后的晶圆上的缺陷数量多(大概5000个)，因此如何提供一种CMP后的清洗方法，能够减少钨CMP清洗后晶圆上的缺陷，已成为本领域技术人员亟需解决的问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种晶圆的清洗方法，其能高效去除晶圆上的残留物，减少晶圆上的缺陷，从而保证半导体器件的性能和良率。

为实现上述目的，本发明的晶圆的清洗方法，依次包括以下步骤：

晶圆置于酸性混合液中进行脱胶；

该晶圆置于硝酸和氢氟酸的混合酸溶液中进行清洗；

该晶圆置于弱碱溶剂中浸泡；以及

用纯水冲洗该晶圆。

与现有技术相比，本发明的清洗结合酸性脱胶、酸性清洗、碱性浸泡以及纯水清洗等多重清洗，而且采用超声波清洗技术，从而有效清除经过钨CMP工艺后残留在晶圆上的残留物以及缺陷，从而减少晶圆上的缺陷，从而保证半导体器件的性能和良率。

较佳地，晶圆脱胶之后、采用混合酸溶液清洗之前还包括：该晶圆置于纯水中采用超声波进行预清洗。

较佳地，所述硝酸和所述氢氟酸的体积比为10:1-15:1。

较佳地，所述硝酸的浓度为65％-68％，所述氢氟酸的浓度为38％-41％。

较佳地，晶圆在所述硝酸和所述氢氟酸的混合酸溶液中的处理时间为50-60秒。

较佳地，晶圆在所述弱碱溶剂中的浸泡时间为1-2小时。

较佳地，所述弱碱溶剂为N-甲基吡咯烷酮溶剂。

较佳地，所述纯水的温度为70℃-85℃，所述纯水的电阻率大于16MΩ·cm。

较佳地，所述超声波的频率大于20kHz，预清洗的时间为10-20分钟。

较佳地，所述酸性混合液为柠檬酸、乳酸和纯水的混合液。

具体实施方式

下面结合实施例对本发明的晶圆的清洗方法作进一步说明，但不因此限制本发明。

本发明的晶圆的清洗方法的一个实施例依次包括以下步骤：

晶圆置于酸性混合液中进行脱胶；

该晶圆置于硝酸和氢氟酸的混合酸溶液中进行清洗；

该晶圆置于弱碱溶剂中浸泡；以及

用纯水冲洗该晶圆。