[发明专利]一种湿法化学腐蚀装置及湿法化学腐蚀工艺有效

专利信息
申请号: 201811619524.3 申请日: 2018-12-27
公开(公告)号: CN109712865B 公开(公告)日: 2021-06-22
发明(设计)人: 王丽江;王勇威;范文斌;胡天水;夏楠君 申请(专利权)人: 北京半导体专用设备研究所(中国电子科技集团公司第四十五研究所)
主分类号: H01L21/00 分类号: H01L21/00
代理公司: 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 代理人: 王术兰
地址: 100176 北*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及半导体晶圆制造的晶圆清洗技术领域,尤其是涉及一种湿法化学腐蚀装置及湿法化学腐蚀工艺,以缓解现有的湿法化学腐蚀装置存在晶圆二次污染的技术问题。该装置包括第一摆臂、第二摆臂和第三摆臂;第一摆臂、第二摆臂和第三摆臂围设形成用于盛放晶圆的工作空间;第一摆臂、第二摆臂和第三摆臂分别用于向晶圆顶面喷淋药液、兆声水和氮气。本发明将喷淋药液的第一摆臂、喷淋兆声水的第二摆臂以及喷淋氮气的第三摆臂集成于同一装置内部,晶圆在装置内部即可完成化学腐蚀、兆声水清洗、氮气干燥这三个工艺,省去了晶圆在三个工艺之间的运输过程,避免了晶圆在运输过程中的二次污染,提高了工作效率。
搜索关键词: 一种 湿法 化学 腐蚀 装置 工艺
【主权项】:
1.一种湿法化学腐蚀装置,其特征在于,包括第一摆臂、第二摆臂和第三摆臂;所述第一摆臂、所述第二摆臂和所述第三摆臂围设形成用于盛放晶圆的工作空间;所述第一摆臂、所述第二摆臂和所述第三摆臂分别用于向所述晶圆顶面喷淋药液、兆声水和氮气。
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