[发明专利]一种湿法化学腐蚀装置及湿法化学腐蚀工艺有效
申请号: | 201811619524.3 | 申请日: | 2018-12-27 |
公开(公告)号: | CN109712865B | 公开(公告)日: | 2021-06-22 |
发明(设计)人: | 王丽江;王勇威;范文斌;胡天水;夏楠君 | 申请(专利权)人: | 北京半导体专用设备研究所(中国电子科技集团公司第四十五研究所) |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00 |
代理公司: | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人: | 王术兰 |
地址: | 100176 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及半导体晶圆制造的晶圆清洗技术领域,尤其是涉及一种湿法化学腐蚀装置及湿法化学腐蚀工艺,以缓解现有的湿法化学腐蚀装置存在晶圆二次污染的技术问题。该装置包括第一摆臂、第二摆臂和第三摆臂;第一摆臂、第二摆臂和第三摆臂围设形成用于盛放晶圆的工作空间;第一摆臂、第二摆臂和第三摆臂分别用于向晶圆顶面喷淋药液、兆声水和氮气。本发明将喷淋药液的第一摆臂、喷淋兆声水的第二摆臂以及喷淋氮气的第三摆臂集成于同一装置内部,晶圆在装置内部即可完成化学腐蚀、兆声水清洗、氮气干燥这三个工艺,省去了晶圆在三个工艺之间的运输过程,避免了晶圆在运输过程中的二次污染,提高了工作效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 湿法 化学 腐蚀 装置 工艺 | ||
【主权项】:
1.一种湿法化学腐蚀装置,其特征在于,包括第一摆臂、第二摆臂和第三摆臂;所述第一摆臂、所述第二摆臂和所述第三摆臂围设形成用于盛放晶圆的工作空间;所述第一摆臂、所述第二摆臂和所述第三摆臂分别用于向所述晶圆顶面喷淋药液、兆声水和氮气。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京半导体专用设备研究所(中国电子科技集团公司第四十五研究所),未经北京半导体专用设备研究所(中国电子科技集团公司第四十五研究所)许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201811619524.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造