[发明专利]半导体器件及其制造方法以及分割半导体器件的方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

在衬底中形成沟槽，所述沟槽形成在所述衬底的第一侧内并且设置在所述衬底的部分周围；

在所述衬底的第一侧上方和所述沟槽上方形成第一绝缘材料；

在所述第一绝缘材料上方形成第二绝缘材料；

在位于所述衬底的所述部分的上方的所述第二绝缘材料和所述第一绝缘材料中形成多个孔；

在位于所述衬底的所述部分的上方的所述第二绝缘材料和所述第一绝缘材料中的所述多个孔的每个中均形成部件；

将载体连接至所述部件和所述第二绝缘材料；

平坦化所述衬底的第二侧，所述衬底的所述第二侧与所述衬底的所述第一侧相对；

去除所述第二绝缘材料；以及

去除所述载体。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述第一绝缘材料包括使用原子层沉积(ALD)形成Al₂O₃。

3.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在所述衬底中形成多个所述沟槽，多个所述沟槽的每个均设置在所述衬底的所述部分周围，所述沟槽是所述多个沟槽中的一个；

在位于所述衬底的所述部分的上方的所述第二绝缘材料和所述第一绝缘材料中形成多个所述孔；以及

在位于所述衬底的所述部分的上方的所述第二绝缘材料和所述第一绝缘材料中的多个所述孔的每个中均形成所述部件。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，在所述衬底中形成多个所述沟槽包括在所述衬底的分割区中形成多个所述沟槽。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，去除所述第二绝缘材料包括分割形成在所述衬底内的多个集成电路管芯。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述第一绝缘材料包括用所述第一绝缘材料内衬于所述沟槽，以及其中，平坦化所述衬底的所述第二侧包括去除设置在所述第二绝缘材料的位于所述沟槽内的表面上方的所述第一绝缘材料。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述第二绝缘材料包括在所述第一绝缘材料上方形成第一层以及在所述第一层上方形成第二层。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述多个孔的每个中形成所述部件包括形成选自由材料的插塞、材料的段、接触件、接触焊盘以及它们的组合组成的组中的部件。

9.一种分割半导体器件的方法，所述方法包括：

在衬底的第一侧内形成有源电路区；

在所述衬底内的所述有源电路区周围形成沟槽；

在所述衬底的所述第一侧上方和所述沟槽上方形成第一绝缘材料，其中，所述第一绝缘材料内衬于所述沟槽；

在所述第一绝缘材料上方形成第二绝缘材料，所述第二绝缘材料包括第一层和设置在所述第一层上方的第二层；

在所述有源电路区上方的所述第二绝缘材料和所述第一绝缘材料中形成多个孔；

在位于所述有源电路区上方的所述第二绝缘材料和所述第一绝缘材料中的所述多个孔的每个中均形成接触件；

将载体连接至所述第二绝缘材料和所述接触件；

平坦化所述衬底的第二侧，所述衬底的所述第二侧与所述衬底的所述第一侧相对；

去除所述第二绝缘材料；以及

去除所述载体，其中，平坦化所述衬底的所述第二侧去除设置在所述第二绝缘材料的位于所述沟槽内的表面上方的所述第一绝缘材料，并且其中，去除所述第二绝缘材料包括分割包括所述有源电路区的集成电路管芯。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，形成所述第二绝缘材料包括形成所述第二绝缘材料的所述第一层，所述第一层包括高纵横比等离子体(HARP)氧化物。

11.根据权利要求9所述的方法，其中，形成所述第二绝缘材料包括形成所述第二绝缘材料的所述第二层，所述第二层包括高密等离子体(HDP)氧化物。