[发明专利]化合物半导体衬底有效
| 申请号： | 201611005643.0 | 申请日： | 2012-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN107039516B | 公开（公告）日： | 2020-07-10 |
| 发明（设计）人： | 宫原贤一;西浦隆幸;坪仓光隆;藤原新也 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/02;H01L21/335;H01L29/20 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 王海川;穆德骏 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 化合物 半导体 衬底 | ||
1.一种化合物半导体衬底，其至少一个主表面被镜面抛光，所述镜面抛光的表面被含有氢(H)、碳(C)和氧(O)的有机物质覆盖，
其中，所述有机物质的分子量比悬浮在气氛中的含Si有机物质的分子量重，
其中，由所述有机物质形成的覆盖膜用椭圆偏光仪测定的膜厚度为3.0nm以下，
其中，在采用69Ga+作为一次离子的TOF-SIMS分析中具有31的质量数的阳离子CH3O+的相对信号强度为2.4×10-3以上。
2.一种化合物半导体衬底，其至少一个主表面被镜面抛光，所述镜面抛光的表面被含有氢(H)、碳(C)和氧(O)的有机物质覆盖，
其中，所述有机物质的分子量比悬浮在气氛中的含Si有机物质的分子量重，
其中，由所述有机物质形成的覆盖膜用椭圆偏光仪测定的膜厚度为3.0nm以下，
其中，在采用69Ga+作为一次离子的TOF-SIMS分析中具有73的质量数的阳离子C3H5O2+的相对信号强度为3.2×10-4以上。
3.一种化合物半导体衬底，其至少一个主表面被镜面抛光，所述镜面抛光的表面被含有氢(H)、碳(C)和氧(O)的有机物质覆盖，
其中，所述有机物质的分子量比悬浮在气氛中的含Si有机物质的分子量重，
其中，由所述有机物质形成的覆盖膜用椭圆偏光仪测定的膜厚度为3.0nm以下，
其中，在采用69Ga+作为一次离子的TOF-SIMS分析中具有31的质量数的阳离子CH3O+的相对强度为标准清洁的化合物半导体衬底的该相对强度的2.0倍以上。
4.一种化合物半导体衬底，其至少一个主表面被镜面抛光，所述镜面抛光的表面被含有氢(H)、碳(C)和氧(O)的有机物质覆盖，
其中，所述有机物质的分子量比悬浮在气氛中的含Si有机物质的分子量重，
其中，由所述有机物质形成的覆盖膜用椭圆偏光仪测定的膜厚度为3.0nm以下，
其中，在采用69Ga+作为一次离子的TOF-SIMS分析中具有73的质量数的阳离子C3H5O2+的相对强度为标准清洁的化合物半导体衬底的该相对强度的4.1倍以上。
5.一种化合物半导体衬底，其至少一个主表面被镜面抛光，所述镜面抛光的表面被含有氢(H)、碳(C)和氧(O)的有机物质覆盖，
其中，所述有机物质的分子量比悬浮在气氛中的含Si有机物质的分子量重，
其中，由所述有机物质形成的覆盖膜用椭圆偏光仪测定的膜厚度为1.5nm以上且3.0nm以下，
其中，通过入射X射线能量为365eV且飞离角为90°的同步辐射XPS分析，在比C1s：285eV的峰高1.5±0.5eV的高能量侧检测到峰。
6.根据权利要求5的化合物半导体衬底，其中，
所述高能量侧的峰的积分强度为所述285eV附近的峰的积分强度的0.25倍以上。
7.一种化合物半导体衬底，其至少一个主表面被镜面抛光，所述镜面抛光的表面被含有氢(H)、碳(C)和氧(O)的有机物质覆盖，
其中，由所述有机物质形成的覆盖膜用椭圆偏光仪测定的膜厚度为1.5nm以上且3.0nm以下，
其中，所述有机物质具有700以上且2000以下的分子量。
8.根据权利要求1～7中任一项的化合物半导体衬底，其中，由所述有机物质形成的覆盖膜用椭圆偏光仪测定的膜厚度为1.5nm以上且2.0nm以下。
9.根据权利要求1～7中任一项的化合物半导体衬底，其中，
所述有机物质为非离子表面活性剂。
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