[发明专利]化合物半导体器件及其制造方法以及电源

权利要求书

1.一种化合物半导体器件，包括：

衬底；

在所述衬底上形成的第一化合物半导体层；

在所述第一化合物半导体层上形成的第二化合物半导体层；以及

在所述第一化合物半导体层上形成的上电极，

其中在所述第一化合物半导体层的位于所述第一化合物半导体层与所述第二化合物半导体层之间的界面处的区域中产生二维空穴气，以具有随着距所述上电极的距离的增加而降低的空穴浓度。

2.根据权利要求1所述的化合物半导体器件，其中所述第二化合物半导体层具有台阶结构，在所述台阶结构中，所述第二化合物半导体层的厚度随着距所述上电极的距离的增加而逐步减小。

3.根据权利要求1所述的化合物半导体器件，其中所述第二化合物半导体层由含有铝或铟的化合物半导体构成，并且所述第二化合物半导体层的铝或铟的含量随着距所述上电极的距离的增加而减小。

4.根据权利要求1所述的化合物半导体器件，其中所述第二化合物半导体层包括通过多个沟槽分开的多个厚膜部分，所述多个厚膜部分的宽度随着距所述上电极的距离的增加而逐步减小。

5.根据权利要求1所述的化合物半导体器件，

其中所述第一化合物半导体层由氮化镓基半导体构成，以及

所述第二化合物半导体层由选自含有铝的氮化镓基半导体、含有铟的氮化镓基半导体以及含有铝和铟的氮化镓基半导体中的一种半导体构成。

6.根据权利要求1所述的化合物半导体器件，还包括：

形成在所述衬底的背面上的下电极。

7.一种用于制造化合物半导体器件的方法，包括：

在衬底上形成第一化合物半导体层；

在所述第一化合物半导体层上形成第二化合物半导体层；以及

在所述第一化合物半导体层上形成上电极，

其中在所述第一化合物半导体层的位于所述第一化合物半导体层与所述第二化合物半导体层之间的界面处的区域中产生二维空穴气，以具有随着距所述上电极的距离的增加而降低的空穴浓度。

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述第二化合物半导体层形成为具有台阶结构，在所述台阶结构中，所述第二化合物半导体层的厚度随着距所述上电极的距离的增加而逐步减小。

9.根据权利要求7所述的方法，其中所述第二化合物半导体层由含有铝或铟的化合物半导体构成，并且所述第二化合物半导体层的铝或铟的含量随着距所述上电极的距离的增加而减小。

10.根据权利要求9所述的方法，其中所述形成第二化合物半导体层包括：

形成掩模，所述掩模在将形成所述第二化合物半导体层的区域具有开口；以及

通过分子束外延，使铝或铟以关于所述衬底的法线而倾斜离开所述上电极的第一角度入射，以及使另一种材料元素以关于所述法线而朝向所述上电极倾斜的第二角度入射；以及

所述第二角度大于所述第一角度。

11.根据权利要求7所述的方法，其中在所述第二化合物半导体层中形成多个沟槽，使得所述第二化合物半导体层包括被所述多个沟槽分开的多个厚膜部分，并且所述多个厚膜部分的宽度随着距所述上电极的距离的增加而逐步减小。

12.根据权利要求7所述的方法，其中所述第一化合物半导体层由氮化镓基半导体构成，以及

所述第二化合物半导体层由选自含有铝的氮化镓基半导体、含有铟的氮化镓基半导体以及含有铝和铟的氮化镓基半导体中的一种半导体构成。

13.根据权利要求7所述的方法，还包括：

在所述衬底的背面上形成下电极。

14.一种电源，包括：

功率因子校正电路，所述功率因子校正电路包括二极管和开关元件，所述二极管和所述开关元件中的至少之一为化合物半导体器件，所述化合物半导体器件包括：

衬底；

在所述衬底上形成的第一化合物半导体；

在所述第一化合物半导体上形成的第二化合物半导体；以及

在所述第一化合物半导体上形成的上电极，其中

在所述第一化合物半导体层的位于所述第一化合物半导体层与所述第二化合物半导体层之间的界面处的区域中产生二维空穴气，以具有随着距所述上电极的距离的增加而降低的空穴浓度。