[发明专利]半导体结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构，形成于一第一导电型基板中，该第一导电型基板具有一上表面，其特征在于，该半导体结构包含：

受保护元件，形成于该第一导电型基板中；

至少一第一环状埋槽，形成于该上表面下方，由上视图视之，该第一环状埋槽围绕该受保护元件，且该第一环状埋槽自该上表面向下，具有第一深度；以及

至少一环状掺杂区，形成于该上表面下方，由上视图视之，该环状掺杂区围绕该第一环状埋槽，且该环状掺杂区的导电型为第二导电型，且该环状掺杂区自该上表面向下，具有第二深度；

其中，该第二深度不小于该第一深度。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其中，该受保护元件包含一高压元件。

3.如权利要求2所述的半导体结构，其中，还包含一第二导电型基板，位于该第一导电型基板下方，其中该高压元件为一绝缘栅双极性晶体管，该第二导电型基板电连接该绝缘栅双极性晶体管的集极。

4.如权利要求1所述的半导体结构，其中，该环状掺杂区包括：

至少一第二环状埋槽，形成于该上表面下方，由上视图视之，该第二环状埋槽围绕该第一环状埋槽；以及

至少一包覆掺杂区，对应于该第二环状埋槽，形成于该第二环状埋槽外围该第一导电型基板中，于该上表面下方，包覆该第二环状埋槽。

5.如权利要求4所述的半导体结构，其中，该第二环状埋槽与该第一环状埋槽利用相同制程步骤形成，且该包覆掺杂区由离子植入技术以不同角度植入加速离子形成。

6.一种半导体结构制造方法，其特征在于，包含：

提供一第一导电型基板，其具有一上表面；

形成一受保护元件于该第一导电型基板中；

形成至少一第一环状埋槽于该基板上表面下方，由上视图视之，该第一环状埋槽围绕该受保护元件，且该第一环状埋槽自该上表面向下，具有第一深度；以及

形成至少一环状掺杂区于该上表面下方，由上视图视之，该掺杂区围绕该第一环状埋槽，且该环状掺杂区的导电型为第二导电型，且该环状掺杂区自该上表面向下，具有第二深度；

其中，该第二深度不小于该第一深度。

7.如权利要求6所述的半导体结构制造方法，其中，该受保护元件包含一高压元件。

8.如权利要求7所述的半导体结构制造方法，其中，还包含形成一第二导电型基板于该第一导电型基板下方，其中该高压元件为一绝缘栅双极性晶体管，该第二导电型基板电连接该绝缘栅双极性晶体的集极。

9.如权利要求6所述的半导体结构制造方法，其中，该形成至少一环状掺杂区的步骤包括：

形成至少一第二环状埋槽于该上表面下方，由上视图视之，该第二环状埋槽围绕该第一环状埋槽；以及

形成至少一包覆掺杂区，对应于该第二环状埋槽于该第二环状埋槽外围该第一导电型基板中，于该上表面下方，包覆该第二环状埋槽。

10.如权利要求9所述的半导体结构制造方法，其中，该第二环状埋槽与该第一环状埋槽利用相同制程步骤形成，且该包覆掺杂区由离子植入技术以不同角度植入加速离子形成。