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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种Cas9-gRNA表达系统及其应用-CN201910305602.0在审
发明人：潘讴东;杨佳丽;杨兴林;刘晓芬;夏清梅 -专利权人：和元生物技术（上海）股份有限公司
申请日： 2019-04-16 - 公布日： 2019-06-21 - 主分类号： C12N15/867 文献下载
摘要：本发明公开了一种构建split‑sfYFP双载体的方法，包括将基因片段sfYFP10和sfYFP11与载体相连接，所述sfYFP10和sfYFP11的核苷酸序列分别如SEQ ID NO:1和SEQ ID本发明利用含有split‑sfYFP双载体的Cas9‑gRNA表达系统只能在共同转入同一个细胞的条件下才能完成超折叠并发光的特性，可以快速、准确的对打靶效率进行判断和评价。
表达系统基因工程领域核苷酸序列打靶效率发光能力基因片段载体相折叠荧光构建蛋白质应用发光蛋白转入细胞融合

[发明专利]一种基于分散注意力机制的电力场景异常行为检测方法-CN202210490419.4在审
发明人：卢灏;曾晋明;徐敏;卢艾新;冼海欧 -专利权人：广东电网有限责任公司广州供电局
申请日： 2022-05-07 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： G06V20/52 文献下载
摘要：本发明涉及电力场景下人员安全行为管控技术领域,公开了一种基于分散注意力机制的电力场景异常行为检测方法，包括以下步骤：采集电力场景异常行为图片并添加标签；以Faster R‑CNN检测网络为框架增加Split‑attentionmodule分散注意力机制模块，建立深度学习网络模型；随机划分为训练集和测试集；训练集数据增强后对Faster R‑CNN、ResNet50和Split‑attention module网络结构的深度学习网络模型进行训练
一种基于分散注意力机制电力场景异常行为检测方法

[发明专利]中文篇章树的构建方法-CN201910233095.4有效
发明人：孔芳;孙成;张龙印;周国栋 -专利权人：苏州大学
申请日： 2019-03-26 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： G06F40/154 文献下载
摘要：依次将篇章中由人工分割字句得到的标准篇章基本单元的词向量和词性标记向量拼接并输入篇章基本单元编码器(EDU Encoder)以获取各个篇章基本单元的编码结果；将EDU Encoder编码得到的各个篇章基本单元的向量表征输入分割点编码器(Split Encoder)实现对相邻篇章基本单元之间的分割点的表征；将Split Encoder对各个分割点的编码结果输入一个编码器—解码器结构(Encoder‑Decoder)，以编码—解码的形式进行分割点选择
中文篇章构建方法

[发明专利]高功能发泡用树脂组合物及其制备方法-CN202080086343.8在审
发明人：李在赫;康喆伊;裴晟洙;李相振 -专利权人：韩华思路信株式会社
申请日： 2020-10-30 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： C08L23/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种高功能发泡用树脂组合物及其制备方法，尤其是，涉及能够在制备例如内底(insole)、中底(midsole)、外底(outsole)等制鞋材料时提供高剖层撕裂强度(split tear strength
功能发泡树脂组合及其制备方法

[发明专利]Split Gate MOSFET器件及制备方法-CN202211003755.8在审
发明人：袁力鹏;苏毅;常虹;完颜文娟;唐呈前 -专利权人：华羿微电子股份有限公司
申请日： 2022-08-22 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了Split Gate MOSFET器件及制备方法，涉及半导体功率器件技术领域。
split gate mosfet 器件制备方法

[实用新型]精简光刻Split-Gate MOSFET芯片-CN202021818076.2有效
发明人：关仕汉;薛涛;迟晓丽 -专利权人：淄博汉林半导体有限公司
申请日： 2020-08-26 - 公布日： 2021-02-12 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种精简光刻Split‑Gate MOSFET芯片，包括N+衬底和N‑外延，N‑外延内设有有源区沟槽及终止区沟槽，其特征是，所述的终止区沟槽宽度为有源区沟槽宽度的5‑30倍。
精简光刻 split gate mosfet 芯片

[发明专利]基于MapReduce编程模型的多核处理器架构-CN201510954803.5在审
发明人：肖昊;张华娟;吴宁 -专利权人：南京航空航天大学
申请日： 2015-12-17 - 公布日： 2016-05-25 - 主分类号： G06F15/167 文献下载
摘要：本处理器中，输入数据依次经Split分割调度模块，MapReduce块流水线模块，Merge合并模块处理后输出。这些模块间通过一种多层次的片上互连结构相连，Split分割调度模块将输入数据分割成小块，并控制MapReduce块流水线模块处理；MapReduce块流水线模块中的每条块流水线由一个Map处理器、一个Reduce
基于 mapreduce 编程模型多核处理器架构

[发明专利]基于非凸高阶全变差模型的SplitBregman权值迭代图像盲复原方法-CN201410389135.1有效
发明人：李伟红;许尚文;龚卫国 -专利权人：重庆大学
申请日： 2014-08-08 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： G06T5/00 文献下载
摘要：本发明是一种基于非凸高阶全变差模型的Split Bregman权值迭代图像盲复原方法，属于图像处理技术领域。然后利用算子分裂技术将最小化问题转化为新的约束求解问题，通过加入惩罚项的方法将约束求解问题转化为分裂的代价函数，进而使用Split Bregman迭代求解框架对分裂的代价函数进行求解。
基于非凸高阶全变差模型 splitbregman 权值迭代图像复原方法

[发明专利]基于各向异性时空域全变分非均匀性校正的方法-CN201510835818.X有效
发明人：顾国华;潘科辰;隋修宝;沈雪薇;陶远荣;匡小冬;吴健;张业伟;高航;刘源 -专利权人：南京理工大学
申请日： 2015-11-26 - 公布日： 2019-08-09 - 主分类号： G06T5/00 文献下载
摘要：该方法通过建立起基于多帧图像的各向异性全变分模型，将去除红外图像非均匀性条纹噪声的问题转化为一个最小化全变分问题，之后采用分离布拉格曼（Split Bregman）方法进行最优化，帧间迭代出最优解，其最后一次迭代结果即为校正后的红外图像本发明的创新点在于对传统的全变分模型进行了时空域扩展，同时针对非均匀条纹噪声水平方向全变分远大于竖直方向全变分的结构特点改进方程，使其能适用于红外图像非均匀性校正，利用Split Bregman方法代替最陡梯度下降法进行方程最优化处理
基于各向异性时空域全变分非均匀校正方法

[发明专利]一种面向分布式机器学习的稀疏通信模型的实现方法-CN202010927942.X有效
发明人：王冬霞;雷咏梅 -专利权人：上海大学
申请日： 2020-09-07 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H04L41/142 文献下载
摘要：当节点数为2的幂时，采用hier_recursive_halving算法来实现短消息的allreduce操作，采用hier_split_allgather算法来实现长消息的allreduce操作。当节点数不是2的幂时，采用hier_split_scannter算法实现allreduce操作。这三种通信算法利用层次化稀疏通信模型来减少节点间通信开销，且本发明根据稀疏数据的特征动态选择通信算法。
一种面向分布式机器学习稀疏通信模型实现方法

[发明专利]一种Split-Gate MOSFET器件制备方法-CN202111245440.X有效
发明人：袁力鹏;苏毅;杨科;常虹 -专利权人：华羿微电子股份有限公司
申请日： 2021-10-26 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种Split‑Gate MOSFET器件制备方法，涉及半导体功率器件技术领域。用于解决现有技术中，成型工艺Split‑Gate MOSFET器件制造工艺在节省成本和良好器件性能之间存在矛盾问题。
一种 split gate mosfet 器件制备方法

[发明专利]用于高效率且高通量产生转基因事件的改进的大豆转化-CN201380066609.2在审
发明人： D·帕雷迪;S·R·契纳雷迪;T·明尼克斯;O·卡尔波娃;D·格里芬;J·P·塞缪尔;K·A·史密斯;R·萨莉亚-米兰;T·K·玛尔 -专利权人：美国陶氏益农公司
申请日： 2013-12-18 - 公布日： 2015-08-26 - 主分类号： A01H4/00 文献下载
摘要：公开了一种用于土壤杆菌介导的大豆胚系转化的方法，包括用含有转基因的根癌土壤杆菌感染具有一部分胚轴的分割的(split)大豆种子。
用于高效率通量产生转基因事件改进大豆转化

[发明专利]用于高效率且高通量产生转基因事件的改进的分割种子大豆转化-CN201380073296.3在审
发明人： D·帕雷迪;S·R·切纳雷迪;T·明尼克斯;O·卡尔波娃;D·格里芬;P·S·贾亚库马尔;K·史密斯;R·萨里亚-米兰 -专利权人：美国陶氏益农公司
申请日： 2013-12-19 - 公布日： 2016-01-20 - 主分类号： C12N15/82 文献下载
摘要：公开了一种用于土壤杆菌介导的大豆胚系转化的方法，包括用含有转基因的根癌土壤杆菌感染具有一部分胚轴的分割的(split)大豆种子。
用于高效率通量产生转基因事件改进分割种子大豆转化

[发明专利]分裂栅型快速电可擦可编程只读存储器单元及其制造方法-CN96105549.9无效
发明人：安秉振 -专利权人：现代电子产业株式会社
申请日： 1996-03-14 - 公布日： 2002-10-02 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：根据本发明的Split栅型快速EEPROM单元，利用一加到用厚绝缘膜将隧道区与沟道隔离的结构上的高电压，执行编程和擦除操作，此时该单元能防止结区和栅极间的层叠区的强电场引发的带间隧穿和二次热载流子所导致的单元的隧道氧化膜的减薄
分裂快速电可擦可编程只读存储器单元及其制造方法

[实用新型]一种Split-gate MOS结构-CN201821143316.6有效
发明人：陈利;陈译;陈剑;姜帆;张军亮 -专利权人：厦门芯一代集成电路有限公司
申请日： 2018-07-18 - 公布日： 2019-01-22 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种Split‑gate MOS结构，包括金属化漏极，金属化漏极的顶部固定连接有N+衬底，并且N+衬底的顶部固定连接有N‑漂移区，N‑漂移区包括栅氧化层、多晶硅栅极、N‑型轻掺杂区、P型掺杂区该Split‑gate MOS结构，对于半超结MOSFET结，耐压主要由深槽结构的下面的栅极结构的厚氧柱来承担，提高了整体的工艺能力，促进了继续往高压和超高压方向的发展，大大的提高了该装置耐压的功能。
重掺杂区漂移区本实用新型金属化漏极轻掺杂区衬底耐压半导体器件技术超结MOSFET 多晶硅栅极工艺能力深槽结构栅极结构栅氧化层超高压厚氧

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