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[发明专利]一种Split Gate-IGBT结构及其制作方法-CN201910988747.5在审
发明人：徐守一;陈思凡;蔡铭进 -专利权人：厦门芯达茂微电子有限公司
申请日： 2019-10-17 - 公布日： 2019-12-20 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明提供一种Split Gate‑IGBT结构及其制作方法，其中，Split Gate‑IGBT结构，包括Split Gate结构、Trench Gate结构；所述Split Gate结构之间设有一个或多个本发明提供的Split Gate‑IGBT结构，通过在Split Gate结构中间设置一个或者多个Trench Gate结构，将两者的优点相结合，在拥有较快开关速度的同时，还可进一步提高器件元胞密度，降低饱和压降
饱和压降开关性能器件元胞制备工艺中间设置快开关制备制作优化

[发明专利]面向HDFS的split层索引方法和装置-CN201710946601.5有效
发明人：唐凌;林文辉 -专利权人：航天信息股份有限公司
申请日： 2017-10-12 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： G06F16/182 文献下载
摘要：本发明涉及数据检索领域，公开了一种面向HDFS的split层索引方法和装置。该方法包括：接收查询请求；根据所述查询请求在预先建立的统计信息表中进行查询以确定相应的分块split；以及加载所确定的split以获取与所述查询请求对应的数据。本发明通过在预先建立的统计信息表中查询以确定相应的split，从而可以仅加载所确定的split以获取相应的数据，由此启动的Map数量就可以因仅加载所确定的split数量而大大减少，从而降低了I/O的时间开销
面向 hdfs split 索引方法装置

[实用新型]一种Split Gate-IGBT结构及器件-CN201921743997.4有效
发明人：徐守一;陈思凡;蔡铭进 -专利权人：厦门芯达茂微电子有限公司
申请日： 2019-10-17 - 公布日： 2020-05-26 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本实用新型提供一种Split Gate‑IGBT结构及器件，其中，Split Gate‑IGBT结构，包括Split Gate结构、Trench Gate结构；所述Split Gate结构之间设有一个或多个本实用新型提供的Split Gate‑IGBT结构，通过在Split Gate结构中间设置一个或者多个Trench Gate结构，在拥有较快开关速度的同时，还可进一步提高器件元胞密度，降低饱和压降；同时方便通过控制
一种 split gate igbt 结构器件

[发明专利]提升OLAP分析数据库的本地缓存命中率的方法、设备及介质-CN202211671199.1在审
发明人：左俊华;项洋 -专利权人：北京滴普科技有限公司
申请日： 2022-12-26 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： G06F16/2455 文献下载
摘要：方法包括：确定OLAP分析引擎trino集群中包含的节点；获取本地缓存中的Split，所述Split用于指示所述本地缓存中被查询次数超过预设值的数据段；将所述节点与所述Split随机分布在预设哈希环上；在所述预设哈希环上，将所述Split分配给与所述Split的哈希值相邻的节点。
提升 olap 分析数据库本地缓存命中率方法设备介质

[发明专利]一种Split Gate结构、Power MOS器件及制作方法-CN202010193258.3在审
发明人：郑远程;石新欢 -专利权人：和舰芯片制造（苏州）股份有限公司
申请日： 2020-03-18 - 公布日： 2021-10-12 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明公开了一种Split Gate结构，包含由沟槽底部向上垂直分布于沟槽内的第一多晶硅、特征氧化物和第二多晶硅，特征氧化物上表面中部高处与两侧低处的高度差小于该Split本发明同时提供一种具有该Split Gate结构的Power MOS器件以及该Split Gate结构的制作方法。
一种 split gate 结构 power mos 器件制作方法

[发明专利]AVS3视频编码方法及编码器-CN202110854561.8有效
发明人：姜文波;葛涛;潘晓菲;陈勇;廖义 -专利权人：杭州当虹科技股份有限公司
申请日： 2021-07-27 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H04N19/176 文献下载
摘要：本发明公开了一种AVS3视频编码方法及编码器，其中AVS3视频编码方法包括以下步骤：开始CTU的某一CU深度的CU模式选择；根据当前CU尺寸和形状筛选出NO_SPLIT、SPLIT_QT、SPLIT_EQT_H、SPLIT_EQT_V、SPLIT_BT_H和SPLIT_BT_V这6种CU模式中的n个可用CU模式，求出各个可用CU模式的亮度方差值的平均值，求取{A_1，A_2，…，A_n}的方差并记为At，如果
avs3 视频编码方法编码器

[发明专利]进行反复再现的录音再现装置及录音再现方法-CN201310010924.5有效
发明人：濑户口克 -专利权人：卡西欧计算机株式会社
申请日： 2013-01-11 - 公布日： 2013-07-17 - 主分类号： G11B19/02 文献下载
摘要：CPU(12)当被供给超过阈值的输入数据时，在RAM(14)的输入缓冲区(IB)中的由音节数(SPLIT)指定的区域中录音了一拍长度量的输入数据后，使音节数(SPLIT)步进，进行待机直到录音的输入数据成为无声反复进行这一系列处理直到音节数(SPLIT)的值达到“4”，由此在与音节数(SPLIT1～SPLIT4)相对应的输入缓冲区(IB(1)～IB(4))中分别保存有录音了一拍长度(0.5秒)量的输入数据，将这些输入数据以依次连接而形成
进行反复再现录音装置方法

[发明专利]面向HDFS的split内部索引方法和装置-CN201711023820.2在审
发明人：唐凌;林文辉 -专利权人：航天信息股份有限公司
申请日： 2017-10-27 - 公布日： 2019-07-16 - 主分类号： G06F16/22 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种面向HDFS的split内部索引方法和装置，属于数据检索领域。该方法包括：接收查询请求；根据所述查询请求确定索引属性；根据所述索引属性的索引属性值通过预先建立的聚集索引或非聚集索引确定分块split；以及加载所确定的split以获取与所述查询请求对应的数据。通过上述技术方案，本发明通过预先建立的聚集索引或非聚集索引来根据查询请求确定期望加载的split，减少了不必要的数据扫描产生的磁盘I/O，提高了HDFS的查询速度。
索引查询请求索引属性方法和装置预先建立非聚集加载接收查询数据检索数据扫描索引确定磁盘I/O 分块查询期望

[发明专利]基于Split电容DAC的低功耗逐次逼近型模数转换器-CN202210546592.1在审
发明人：赵阳;韩枭;连勇 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2022-05-11 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H03M1/00 文献下载
摘要：一种基于Split电容DAC的低功耗逐次逼近型模数转换器，包括栅压自举开关模块、Split电容DAC、比较器模块和SAR逻辑控制模块；Split电容DAC，用来将来自SAR逻辑模块的数字码值通过电荷守恒和电容再分配转化为模拟电压值，并输出到所述比较器的两个输入端；SAR逻辑控制模块，根据比较器输出的结果将Split电容DAC中的二选一开关选通到对应的电压，以使Split电容DAC两个输出端的电压值不断接近，最终得到12位的数字输出结果本发明具有四个C‑2C结构的Split电容DAC，具有更小的等效输出电容和总电容，大大减小了SAR ADC的功耗、版图面积并降低了对前级电路的驱动能力要求，从而有助于提升最终产品的精度并降低成本；同时，
基于 split 电容 dac 功耗逐次逼近型模数转换器

[发明专利]一种分屏调节方法、终端及计算机可读存储介质-CN201710494885.9在审
发明人：张军伟 -专利权人：努比亚技术有限公司
申请日： 2017-06-26 - 公布日： 2017-12-08 - 主分类号： G06F3/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种分屏调节方法，通过系统服务单元System Server在终端启动分屏显示时在该终端屏幕上生成分屏调节栏Split Screen Adjust Bar，并为该分屏调节栏Split Screen Adjust Bar注册输入事件监听Pointer Event Listener，以供该分屏调节栏Split Screen Adjust Bar对外部对其进行的操作进行监听；系统服务单元System Server根据该分屏调节栏Split Screen Adjust Bar监听到的操作对分屏显示的相应显示窗口大小进行调整，以实现分屏调节。本发明还公开了一种终端及计算机可读存储介质，通过上述方案，分屏调节栏Split Screen Adjust Bar不必调用跨进程通信机制将用户操作数据发送给系统服务单元System Server，因此有利于提高分屏调节的相应速度及流畅性
一种调节方法终端计算机可读存储介质

[发明专利]CD控制方法-CN201410014551.3在审
发明人：易旭东 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2014-01-13 - 公布日： 2015-07-15 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明揭示了一种CD控制方法，包括：获得所述氧化层厚度与CD的关系曲线；测量实际的氧化层沟槽的深度是否等于设定值，如果不相等则根据公式Energy(Split)＝Energy(BL)+[CD(split)-CD(BL)]*slope计算实际的曝光能量，按照所述实际的曝光能量进行光刻工艺；其中Energy(Split)表示实际的曝光能量，Energy(BL)表示设定的曝光能量，CD(split)是氧化层厚度与
cd 控制方法

[发明专利]一种具有分裂栅结构的超级结MOS及其制备方法-CN202010772615.1在审
发明人：徐守一;赖银坤;蔡铭进 -专利权人：厦门芯达茂微电子有限公司
申请日： 2020-08-04 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提出一种具有分裂栅结构的超级结MOS及其制备方法，其中，具有分裂栅结构的超级结MOS，包括cell区域，所述cell区域上设有Split Gate结构和Super Junction结构。本发明提供的分裂栅结构的超级结MOS，通过Split Gate和Super Junction相结合的结构设计，能够使得整个超级结MOS同时具备Split Gate和Super Junction的优点，可以有效降低
一种具有分裂结构超级 mos 及其制备方法

[发明专利]一种BCD半导体器件-CN202010607698.9有效
发明人：乔明;吕怡蕾;梁龙飞;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2020-06-30 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明提供一种BCD半导体器件，包括集成于同一芯片上的高压Split Gate MOS器件、高压NLDMOS器件、高压PLDMOS器件、N‑JFET器件、低压NMOS器件、低压PMOS器件、NPN器件、本发明在衬底上实现Split Gate MOS、NLDMOS、PLDMOS、N‑JFET器件、NMOS器件、PMOS器件、NPN器件、LPNP器件、TVS器件、Diode器件和Zener器件的单片集成，由埋层和介质槽组成的隔离区域实现集成芯片上各个器件之间的隔离，避免了电压的串扰问题，并且由于Split Gate MOS器件功率密度高，可有效减小芯片面积。
一种 bcd 半导体器件

[发明专利]DRX的配置方法及装置-CN201811216926.9有效
发明人：王代锋 -专利权人：中兴通讯股份有限公司
申请日： 2018-10-18 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： H04W76/28 文献下载
摘要：本申请提供了一种DRX的配置方法及装置，其中，该方法包括：第一基站接收第二基站传输的分离Split承载业务的DRX周期，并获取所述第一基站与第二基站之间的数据链路传输时延和时钟差值；依据所述DRX周期、所述数据链路传输时延和所述时钟差值，配置所述第一基站的第一DRX起点位置，即在参与Split承载业务的多个基站之间，统一了DRX起点位置，保证了终端接收到的数据包时序整齐规划，降低了重排过程的复杂度，解决了相关技术中Split承载业务中终端接收到的数据包时差较大，重排复杂的问题。
drx 配置方法装置

[发明专利]一种基于syslog日志拆分系统及操作方法-CN202110043129.0在审
发明人：周帅;金明丰 -专利权人：今信天安（北京）科技有限公司
申请日： 2021-01-13 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： G06F16/18 文献下载
摘要：本申请公开了一种基于syslog日志拆分系统，所述基于syslog日志拆分系统包括以下几个模块：split模块、ringqueue模块、process模块、parse模块、insert模块，所述split本申请的有益效果是：拆分算法采用关键字字符串匹配，这样能够做到拆分细致准确，并且本发明采用C语言实现，处理速度更快，split模块和process模块会频繁的竞争syslog日志数据，如果采用传统的锁机制
一种基于 syslog 日志拆分系统操作方法

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