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[发明专利]一种集成电路及其操作方法-CN201210055512.9有效
发明人：李冠儒 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2012-02-28 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： G11C7/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种集成电路及其操作方法，该集成电路包括一三维存储阵列，包含多个阶层，该多个阶层各自包括NAND串行的二维阵列，该多个NAND串行包含存储单元及开关晶体管，该多个开关晶体管具有横越该多个阶层而变化的阈值电压阶层的组合；多条选择线，被电性耦接至该多个开关晶体管；以及控制电路，是施加一偏压配置至该多个选择线，如此而由该多个开关晶体管选择位于该多个阶层中的一特定阶层上的该多个NAND串行，并由该多个开关晶体管不选择位于该多个阶层中除该特定阶层外的其他阶层上的该多个NAND串行。位于三维存储阵列中一特定阶层上的NAND串行被选择，而位于其他阶层上的NAND串行不被选择。
一种集成电路及其操作方法

[发明专利]Nand flash的数据处理方法、装置和一种Nand flash-CN201710159938.1有效
发明人：朱细平 -专利权人：深圳市江波龙电子股份有限公司
申请日： 2017-03-17 - 公布日： 2020-03-27 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本发明实施例公开了Nand flash的数据处理方法、装置和一种Nand flash，用于解决现有Nand flash在存储少量数据时容易增加额外的存储负担，降低存取处理速度的问题。本发明实施例方法包括：获取待写入数据；若待写入数据的数据量小于预设阈值，则根据最新数据包索引号读取当前Nand flash块的最新数据包，最新数据包索引号为当前Nand flash块中存储最新写入的数据包的物理页对应的物理号；获取最新数据包中的映射表，映射表记录有当前Nand flash块中存储的各个数据包的逻辑号与物理号之间的映射关系；建立新的映射关系；将建立的映射关系添加至映射表中，生成新的映射表；根据新的映射表和待写入数据生成新的数据包
nand flash 数据处理方法装置一种

[发明专利]非易失性半导体存储器及为其编程的方法-CN200610149269.1有效
发明人：黄相元 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2006-11-21 - 公布日： 2007-05-30 - 主分类号： G11C16/02 文献下载
摘要：一种NAND快闪存储器设备，包括：NAND快闪存储器单元阵列；连接到NAND快闪存储器单元的多个字线；以及连接到NAND快闪存储器单元的多个位线。至少第一NAND快闪存储器单元连接到第一位线部分，并且至少第二NAND快闪存储器单元连接到第二位线部分。
非易失性半导体存储器编程方法

[发明专利]固态硬盘及其数据存取的方法-CN201811377477.6有效
发明人：袁国华 -专利权人：威刚科技股份有限公司
申请日： 2018-11-19 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本发明提出了一种固态硬盘(SSD)数据存取的方法，包括：提供一指令，其指示于可供写入循序数据或写入随机数据时，按芯片赋能(Chip Enable,CE)端所提供多个与非门晶粒(NAND die)，设置至少一个专用于写入随机数据的NAND die，其余则设置为专用于写入循序数据的NAND die；该些专用于写入循序数据的NAND die中任一被配置为其中每一记忆胞的数据流具有复数阶记忆胞最大可允许数量的一位数；该些专用于写入随机数据的NAND die中任一被配置为其中每一记忆胞的数据流具有小于该位数的一分级；以及确定在该些专用于写入随机数据的NAND die中任一的数据流所使用位的总数量以更新该分级。
固态硬盘及其数据存取方法

[实用新型]基于SSD控制器实现扩容和延长传输距离的装置-CN201922264293.5有效
发明人：贺滨 -专利权人：西安奇维科技有限公司
申请日： 2019-12-17 - 公布日： 2020-06-23 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种翻倍增加SSD控制器支持的NAND FLASH个数实现存储容量翻倍，以及增强SATA信号驱动力延长信号传输能力的装置，该装置尤其适合在小体积大容量传输距离较长的应用场合中。基于SSD控制器实现扩容和延长传输距离的装置，包括依次连接的连接器、SSD控制器及NAND FLASH；其中，SSD控制器与每个NAND FLASH分别连接；还包括位于SSD控制器及NAND FLASH之间且与SSD控制器、NAND FLASH分别连接的低功耗CoolRunner‑II型CPLD逻辑门IC。本实用新型外围电路元器件少，极少的占用面积可实现支持的NAND FLASH个数成倍增加，支持SSD扩大容量存储盘。
基于 ssd 控制器实现扩容延长传输距离装置

[发明专利]一种用于NAND闪存的获取译码软值的方法和装置-CN201811584965.4有效
发明人：马征 -专利权人：西南交通大学
申请日： 2018-12-24 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： H03M13/11 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于NAND闪存的获取译码软值的方法和装置。其中的用于NAND闪存的获取译码软值的装置包括：读写控制器和纠错编码迭代译码器。通过使用上述的用于NAND闪存的获取译码软值的方法和装置，可以得到比较准确的译码似然比软值。
一种用于 nand 闪存获取译码方法装置

[发明专利]包括垂直NAND沟道的非易失性存储器装置-CN201010114049.1无效
发明人：薛光洙;金锡必;朴允童 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2010-02-09 - 公布日： 2010-08-11 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明提供了一种包括垂直NAND沟道的非易失性存储器装置，所述非易失性存储器装置可包括多个直接相邻的偏移的垂直NAND沟道，所述直接相邻的偏移的垂直NAND沟道电结合到所述非易失性存储器装置的单一的上选择栅极线或单一的下选择栅极线
包括垂直 nand 沟道非易失性存储器装置

[发明专利]一种NAND闪存的差错控制码结构及其差错码控制方法-CN201510098970.4在审
发明人：姜小波;谭雪青 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2015-03-05 - 公布日： 2015-09-23 - 主分类号： G06F11/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种NAND闪存的差错控制码结构，包括码率为0.4～0.9的ECC编码器、码率为0.4～0.9的ECC译码器和NAND闪存控制器。本发明还公开了一种NAND闪存的差错控制码结构的差错码控制方法，包括以下步骤：1、根据不同工艺下的NAND闪存，获取闪存原始误码率与擦写次数的关系；2、计算当UBER低于10^-15本发明具有能够使得无误码积分容量最大和有效保证NAND闪存的长期稳定性等优点。
一种 nand 闪存差错控制结构及其错码方法

[发明专利]同一套BSP支持多款NandFlash型号的方法及装置-CN201410406665.2在审
发明人：邱东升 -专利权人：北京君正集成电路股份有限公司
申请日： 2014-08-18 - 公布日： 2014-12-10 - 主分类号： G06F9/445 文献下载
摘要：该方法包括：从烧录工具中匹配出与待进行烧录操作的NandFlash相对应的NAND参数；所述NandFlash中包括U-BOOT以及内核及文件系统；将所述匹配出的NAND参数保存到NandFlash中；在U-boot引导启动的过称中，将所述NAND参数从NAND中读取出来保存到CPU内部的一段存储中；所述BOOT和所述内核根据所述CPU内部的一段存储中的NAND参数对所述NandFlash进行读写操作
一套 bsp 支持 nandflash 型号方法装置

[发明专利]一种NAND闪存设备的数据处理方法及装置-CN201710251994.8在审
发明人：王凤海;杨骥;张建涛;夏杰旭;王嵩 -专利权人：北京得瑞领新科技有限公司
申请日： 2017-04-17 - 公布日： 2017-08-29 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种NAND闪存设备的数据处理方法及装置，所述方法包括接收到主机发送的数据写入请求命令时，判定待处理块数据在NAND闪存设备的待操作存储单元中对应的Page页；根据Page页的类型以及待处理块数据的数据特征本发明实施例提出的NAND闪存设备的数据处理方法及装置，能够有效地降低NAND闪存设备的数据错误发生概率，提升NAND闪存设备的总体性能。
一种 nand 闪存设备数据处理方法装置

[发明专利]一种长纳米管3D NAND存储器及其制备方法-CN201910453229.3在审
发明人：缪向水;王升;童浩 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2019-05-28 - 公布日： 2019-09-06 - 主分类号： H01L27/11565 文献下载
摘要：本发明公开了一种长纳米管3D NAND存储器及其制备方法，属于3D NAND闪存领域。该制备方法是在半导体衬底上沉积共源平面并在共源平面上制备AAO模板，以AAO模板作为长纳米管的模板，先通过化学修饰法在AAO模板的通孔内壁附着金属催化剂或活性基团，然后在AAO模板的通孔内壁沉积长纳米管；所述长纳米管为3D NAND存储器的沟道纳米管，或者为3D NAND存储器的芯壳型纳米线的外壳部分。本发明能够解决长纳米管难以在AAO模板的通孔中沉积的技术问题，有利于提高3D NAND存储器的堆叠高度。
纳米管制备沉积通孔内壁共源芯壳型纳米线化学修饰法金属催化剂活性基团衬底堆叠附着沟道通孔半导体

[发明专利]一种贴片式SD NAND Flash IC存储器-CN202010698966.2在审
发明人：刘纯彬 -专利权人：深圳市益友创新科技有限公司
申请日： 2020-07-20 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： G06K19/077 文献下载
摘要：本发明涉及存储卡技术领域，公开了一种耐擦写次数较高的贴片式SD NAND Flash IC存储器，具备：接口电路与外部设备的接口电性连接；数据传输电路用于接收外部设备输入的数据，并对数据进行存储；信号处理电路用于对数据进行处理；数据传输电路包括相互连接的SD NAND Flash控制器及定制SD，SD NAND Flash控制器用于接收外部设备输入的数据，并将数据依序输入第一存储卡及第二存储卡，并对依序输入的数据进行存储；微控制器用于处理输入SD NAND Flash控制器的数据，采集SD NAND Flash控制器输出的数据，并对数据进行处理。
一种贴片式 sd nand flash ic 存储器

[发明专利]一种NAND快闪器件-CN201910836874.3在审
发明人：吴春晓 -专利权人：北京兆易创新科技股份有限公司;上海格易电子有限公司
申请日： 2019-09-05 - 公布日： 2019-12-06 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种NAND快闪器件。该NAND快闪器件配置有系统固件，系统固件包括前端模块、固件传输模块、快闪虚拟模块和硬件抽象模块；其中，前端模块用于与上位机进行通信；固件传输模块用于根据上位机发送的数据信息，对NAND快闪器件进行ECC校验管理、坏块管理、地址映射管理或损耗均衡管理；快闪虚拟模块用于封装逻辑相关函数，并根据上位机发送的数据信息，对NAND快闪器件进行逻辑相关操作；硬件抽象模块用于封装硬件相关函数，并根据上位机发送的数据信息，对NAND快闪器件进行硬件相关操作。
系统固件上位机数据信息硬件抽象模块传输模块前端模块相关函数虚拟模块发送层级封装地址映射坏块管理损耗均衡逻辑层硬件层耦合性管理混乱配置通信维护

[发明专利]基于固态硬盘的NAND测试分析方法、装置及计算机设备-CN202111048943.8在审
发明人：彭李乔;赵军委;贾宗铭 -专利权人：深圳忆联信息系统有限公司
申请日： 2021-09-08 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： G11C29/56 文献下载
摘要：本申请涉及一种基于固态硬盘的NAND测试分析方法、装置、计算机设备及存储介质，其中该方法包括：搭建测试环境，将待测的盘片装载工装板通过串口连接到主机；获取基于固态硬盘的NAND测试分析请求；根据所述测试分析请求对测试环境进行初始化，通过测试界面设定串口设备号和波特率，打开串口并通过所述串口加载Debug固件；待所述Debug固件加载完成后通过操作界面选择需要测试NAND的物理位置，并开始执行NAND VTH扫描测试；待VTH扫描测试结束后输出本发明实现了对固态硬盘NAND颗粒的VTH可视化操作，提高了VTH测试效率。
基于固态硬盘 nand 测试分析方法装置计算机设备

[发明专利]NAND存储器安全代码生成模块和生成方法、以及NAND存储器-CN202210093628.5在审
发明人：李炯尚 -专利权人：东芯半导体股份有限公司
申请日： 2022-01-26 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本发明提供一种NAND存储器安全代码生成模块和生成方法、以及内置有该NAND存储器安全代码生成模块的NAND存储器，该NAND存储器安全代码生成模块包括：CAM信息读取单元，该CAM信息读取单元对所述NAND
nand 存储器安全代码生成模块方法以及