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[发明专利]一种NAND闪存器件的缺陷记录方法和装置-CN202111522025.4在审
发明人：丁知民;马庆容;楼冰泳 -专利权人：上海江波龙微电子技术有限公司
申请日： 2021-12-13 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： G11C29/12 文献下载
摘要：本申请提供一种用于NAND闪存器件的缺陷记录方法，用于包括多个存储单元的NAND闪存器件，其中所述多个存储单元组成多个块和多个列；所述方法包括以下步骤：S1，建立NAND闪存器件的块状态列表、列状态列表、块缺陷记录表和列缺陷记录表；S2，对所述NAND闪存器件进行缺陷测试，根据缺陷测试结果更新所述块状态列表、列状态列表、块缺陷记录表和列缺陷记录表；S3，将更新后的所述块状态列表、列状态列表、块缺陷记录表和列缺陷记录表合并形成为所述NAND闪存器件的缺陷记录数据。
一种 nand 闪存器件缺陷记录方法装置

[发明专利]序列式NAND型闪存、闪存装置及其操作方法-CN201310394490.3有效
发明人：罗宾·约翰·吉高尔;陈晖;麦克·欧伦 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2013-09-02 - 公布日： 2018-02-27 - 主分类号： G06F11/10 文献下载
摘要：序列式NAND型闪存、闪存装置及其操作方法，其选自于8‑pin WSON，24‑pin FBGA，8‑pin SOIC以及16‑pin SOIC，其中封装的至少一些压点为一SPI接口的主动式压点；一NAND型闪存阵列，包含在封装中；分页缓冲器，包含在封装中以及耦接至NAND型闪存阵列；以及控制逻辑，包含在封装中以及耦接NAND型闪存阵列和分页缓冲器，以对应一读取指令提供一数据，其中数据通过分页缓冲器从NAND
序列 nand 闪存装置及其操作方法

[发明专利]NAND阵列的操作方法及计算机可读取的非暂时性储存媒体-CN201410145612.X有效
发明人：张育铭;李永骏;卢星辰;李祥邦;王成渊;张原豪;郭大维 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2014-04-11 - 公布日： 2017-11-17 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种NAND阵列的操作方法及计算机可读取的非暂时性储存媒体，是说明支持非易失性存储器的减少编程干扰的技术。一种三维/二维NAND阵列包括多个分页，其分为多个分页组。允许存取在三维NAND阵列的一擦除区块中的多个分页组的一第一分页组之内的存储单元，但使存取在三维/二维NAND阵列的擦除区块中的多个分页组的一第二分页组之内的存储单元的存取最少化。相同分页组中的分页在三维/二维NAND阵列中彼此不相邻。
nand 阵列操作方法计算机读取暂时性储存媒体

[发明专利]一种基于FLASH架构的处理器片内程序代码存储体及实现代码片内执行的方法-CN200610052696.8有效
发明人：裴育 -专利权人：杭州晟元芯片技术有限公司
申请日： 2006-07-27 - 公布日： 2008-01-30 - 主分类号： G06F13/00 文献下载
摘要：一种基于FLASH架构的处理器片内程序代码存储体以及实现片内代码执行的方法，属于芯片技术领域，其特征在于所述FLASH为NAND型，所述存储体包括一地址映射单元，其逻辑上位于CPU和NAND FLASH之间，用以NAND FLASH的索引型地址与处理器取指单元的线性地址之间的转换。本发明通过地址映射单元使存储在NAND FLASH中的程序代码实现片内执行(XIP)，解决了现有采用NOR FLASH成本高、面积大、容量小等缺点，以NAND FLASH作为处理器的存储体，突破容量限制
一种基于 flash 架构处理器程序代码存储实现代码执行方法

[发明专利]一种Nand flash元件及其载入控制方法和装置-CN201711445827.3有效
发明人：庄开锋 -专利权人：北京兆易创新科技股份有限公司
申请日： 2017-12-27 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： G06F9/445 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种Nand flash元件及其载入控制方法和装置，该元件包括一个封装体，封装体内封装有Nand flash内核和内部控制器，内部控制器包括基础加载模块。其中，基础加载模块用于接收上位机发送的数据信息和控制信息；内部控制器用于对Nand flash内核进行读操作、写操作、擦除操作、ECC校验管理、坏块管理、地址映射管理和损耗均衡管理。本实施例的Nand flash元件通过内部控制器就可以实现对整个元件的管理，不再依赖主控制器，因此可以解决Nand flash元件因需要依赖主控制器对其进行管理而导致主控制器负担较重的问题。
一种 nand flash 元件及其载入控制方法装置

[发明专利]一种基于极化码和元数据信息的NAND FLASH差错控制方法-CN201810962407.0有效
发明人：郭锐;陈康妮 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2018-08-22 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： G06F11/10 文献下载
摘要：本发明提供一种基于极化码和元数据信息的NAND FLASH差错控制方法，涉及信息存储技术领域。先将信息序列进行CRC编码，得到CRC码字，然后把NAND FLASH中存储的元数据信息当作信息序列，整合CRC码字和元数据信息得到待编码的信息比特，进行Polar编码，得到Polar码字，把Polar码字中元数据信息所在的极化信道划分为冻结比特信道，得到一个新的Polar码字，对该码字进行凿孔，构造出适用于NAND FLASH的高码率Polar码。本发明解决了现有技术中Polar码字不能直接适用于任意页容量的NAND FLASH的技术问题。本发明有益效果为：提高NAND FLASH纠错过程的纠错性能。
一种基于极化数据信息 nand flash 差错控制方法

[发明专利]NAND闪存中物理块的控制方法、装置及SSD设备-CN202111069970.3有效
发明人：刘刚;刘晓健;王嵩;刘兴斌;胡靖予;张易 -专利权人：北京得瑞领新科技有限公司
申请日： 2021-09-13 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种NAND闪存中物理块的控制方法、装置及SSD设备，所述方法包括：获取NAND闪存中失效位数大于预设限制阈值的目标物理块的当前存储模式；选取与所述当前存储模式匹配的目标存储模式，所述目标存储模式为存储位数比当前存储模式降低一位的储存模式本发明实施例提出的NAND闪存中物理块的控制方法、装置及SSD设备，能够将NAND闪存中的失效位数大于预设限制阈值的物理块逐级转换成存储容量相对较小但寿命更长的存储模式使用，从而减少坏块数，提高NAND
nand 闪存物理控制方法装置 ssd 设备

[发明专利]基于Nand Flash的数据写入方法-CN201210206632.4无效
发明人：梁雄;胡胜发 -专利权人：安凯（广州）微电子技术有限公司
申请日： 2012-06-20 - 公布日： 2014-01-15 - 主分类号： G06F12/02 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种基于Nand Flash的数据写入方法及其装置，该数据写入方法包括：在内存中建立缓冲区；将所述内存中需要回写至Nand Flash的数据划分为多个缓冲阵列数据；依据第一映射关系，将所述多个缓冲阵列数据依次写入所述缓冲区；依据第二映射关系，将所述缓冲区中的单个缓冲阵列数据写入Nand Flash内的保存区；根据本发明实施例提供的数据写入方法及其装置，将缓冲区中的单个缓冲阵列数据回写至Nand Flash内的保存区，能够减少单次从内存回写至Nand Flash的数据量，从而能够缩短单次回写的时间，进而提高系统的实时性。
基于 nand flash 数据写入方法

[实用新型]4G模组掉电时保护MCP数据不丢失的电路-CN202020416717.5有效
发明人：余宏;范朋冲;钱自进;刘永朋;王胜元;桂军军;郭瑞梅 -专利权人：四川爱联科技有限公司
申请日： 2020-03-27 - 公布日： 2020-08-18 - 主分类号： G06F1/30 文献下载
摘要：该电路应用于4G模组，所述4G模组包括PMIC模块和MCP模块，所述MCP模块包括Nand单元和DDR单元，所述PMIC模块通过LDO为Nand单元供电；该电路包括设置在PMIC模块与Nand单元供电线路上的储能器件，所述储能器件在4G模组正常工作时处于能量储备状态，在4G模组突然掉电时，向所述Nand单元提供储备的能量来延缓Nand单元的电压下降沿。
模组掉电保护 mcp 数据丢失电路

[发明专利]可中断的NAND闪存-CN201080038104.1有效
发明人： J·G·贝内特 -专利权人：微软公司
申请日： 2010-08-06 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： G11C16/02 文献下载
摘要：一种NAND闪存逻辑单元。NAND闪存逻辑单元包括对命令作出响应并准许编程和/或擦除命令可被读取命令中断的控制电路。该控制电路包括一组用于执行当前命令的内部寄存器，以及一组用于接收命令的外部寄存器。控制电路还包括可使NAND闪存逻辑单元具有冗余以正确地保持被中断的编程或擦除命令的状态的一组补充寄存器。当被中断的编程或擦除命令是恢复时，NAND闪存逻辑单元由此可以快速地恢复被暂停的编程或擦除操作。这在NAND闪存逻辑单元的上下文中提供对读取响应时间的显著改进。
中断 nand 闪存

[发明专利]一种NANDFLASH芯片的块信息标识实现方法-CN201710547225.2在审
发明人：赵鑫鑫;姜凯;李朋;尹超 -专利权人：济南浪潮高新科技投资发展有限公司
申请日： 2017-07-06 - 公布日： 2017-10-13 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种NAND FLASH芯片的块信息标识实现方法，基于安装Nand Flash芯片的计算机系统，首先在系统中建立Nand Flash芯片的块信息标识表，用于存储块信息及相应的索引地址信息，这里的块信息包括好块标识及坏块标识；对Nand Flash芯片进行写操作、读操作及擦除操作，当块的信息在块信息标识表中标记为好块时，将其进行相应操作，标记为坏块时则跳过；当出现失败时，将块信息标识表中的对应块标识为坏块标识；当有所有好块使用完后，向系统发送Nand Flash芯片写满信号。本发明的一种NAND FLASH芯片的块信息标识实现方法与现有技术相比，利用一比特数据完成逻辑地址映射，从而实现使用极低的空间开销完成灵活的逻辑地址映射、坏块管理，实用性强，适用范围广泛，易于推广。
一种 nandflash 芯片信息标识实现方法

[发明专利]一种带有辅助计算功能的NAND存储器-CN202010416364.3在审
发明人：呼红阳;张君宇;张坤;霍长兴;谢元禄;刘璟;刘明 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-05-17 - 公布日： 2020-09-18 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本发明涉及存储器技术领域，具体涉及一种带有辅助计算功能的NAND存储器，NAND存储器包括：存储器阵列和NAND控制器；NAND控制器包括：中心互连模块以及与中心互联模块连接的总线接口、中心处理模块、数据预处理模块和数据转换模块中央处理器通过固件程序，调用数据转换模块将NAND控制器中的计算资源开放给总线接口，充分利用NAND控制器空闲时的计算资源，提高了系统利用率。
一种带有辅助计算功能 nand 存储器

[发明专利]Nand芯片性能测试方法、板卡、系统和存储介质-CN202111086337.5在审
发明人：李栋 -专利权人：苏州浪潮智能科技有限公司
申请日： 2021-09-16 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： G11C29/56 文献下载
摘要：本申请涉及一种Nand芯片性能测试方法、板卡、系统和存储介质，方法包括：控制待测Nand芯片的第一影响因子至第一待测第一影响因子值；调节待测Nand芯片的第二影响因子至第一待测第二影响因子值；利用测试读写失败比特数量的原始数据对待测Nand芯片中待测样本区块进行读写操作；循环执行第一影响因子值调节和第二影响因子值调节操作，获得全部待测第一影响因子值及全部待测第二影响因子值下读写失败比特信息；对全部待测第一影响因子值及全部待测第二影响因子值下读写失败比特信息进行分析，确定待测Nand芯片性能依赖信息。通过本方案可以提前测试出Nand芯片供电不稳定对Error Bit带来的影响，在硬件电路及保险方案设计中提供理论依据。
nand 芯片性能测试方法板卡系统存储介质

[发明专利]一种减少闪存读耗时的方法及其系统-CN202310460422.6在审
发明人：曾裕;龚晖;赖鼐 -专利权人：珠海妙存科技有限公司
申请日： 2023-04-25 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本发明提供一种减少闪存读耗时的方法及其系统，该方法包括接收下发的NAND Flash读命令，从NAND page中读取数据；在读取数据时，针对每个传输的字节计算“0”和“1”的个数，进行累加，并且在传输完成后，在寄存器中输出总数数量；对读取到的数据进行ECC纠错；若ECC纠错失败，判断该NAND page中“0”或者“1”的比例，若该NAND page中“0”或者“1”的比例不超过设定值N，则使用read retry方式重新读取该NAND page，尝试获取正确的数据，直到获取正确的数据或者尝试读取所有的重试值仍无法获取正确数据后，结束读操作；若ECC纠错成功，则正确读取数据，结束读操作。本发明在保证数据安全性的前提下可以降低Read Retry操作对NAND Flash设备的读性能的影响，读取数据速度快，读操作耗时小。
一种减少闪存耗时方法及其系统

[发明专利]提高SSD启动速度的方法、装置、设备及存储介质-CN202310399518.6在审
发明人：王孜顺;李建;邱一霄 -专利权人：苏州忆联信息系统有限公司
申请日： 2023-04-14 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种提高SSD启动速度的方法、装置、设备及存储介质，方法包括：响应于SSD的关机指令；判断NAND是否需要数据的填充；若需要数据的填充，则将脏条目作为填充数据填充至NAND的填充位置；响应于SSD的开机指令；判断NAND的填充位置是否存在脏条目；若存在脏条目，则从NAND的填充位置读取脏条目，并将其合并到映射表，以完成映射表恢复。本发明利用SSD关机时可能需要数据的填充的特点，将脏条目作为填充数据填充至NAND的填充位置，在SSD启动时，优先从NAND的填充位置恢复脏条目(一般需要读取几十个物理页)，由于直接从填充位置恢复脏条目
提高 ssd 启动速度方法装置设备存储介质