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[发明专利]一种基于数据交换区的NAND Flash闪存优化管理方法-CN200810142659.5有效
发明人：谭四方;罗胜 -专利权人：深圳市硅格半导体有限公司
申请日： 2008-07-26 - 公布日： 2009-03-11 - 主分类号： G06F12/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于数据交换区的NAND Flash闪存优化管理方法，其包括以下步骤：在NAND Flash上设置至少2个BLOCK块作为数据交换区；加入一个动态的数据有效性标识表项，记录所述数据交换区中数据块的新旧程度本发明方法由于采用了通过闪存控制器在NAND Flash芯片中设置的多个BLOCK块的数据交换区，将读写中的中间过程数据进行缓冲存储，减少了对NAND Flash芯片的系统文件区的写入频度，提高了芯片的读写速度，同时均衡了芯片的磨损，延长了NAND Flash的使用寿命。
一种基于数据交换 nand flash 闪存优化管理方法

[发明专利]一种启动方法、装置和计算机系统-CN201410709138.9有效
发明人：田凯;余健;陈艳 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2014-11-28 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： G06F9/445 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种启动方法、装置和计算机系统，涉及计算机领域，用以降低由于Nand‑Flash出现坏块导致系统启动失败的概率。该方法包括：启动装置在CPU启动系统失败时，接收备份区选择指令，该备份区选择指令用于指示该启动装置从Nand‑Flash的备份区中读取引导程序；接收该CPU发送的程序读取指令，该程序读取指令中包括该引导程序在该Nand‑Flash中的主区地址；根据该主区地址从主备地址对应关系中获取该引导程序在该Nand‑Flash中的备份地址；从该Nand‑Flash的备份地址中读取该引导程序；将该引导程序发送至该CPU，以使该
一种启动方法装置计算机系统

[发明专利]一种NAND Flash访问操作方法、装置及系统-CN201711408297.5有效
发明人：汪再金;彭鹏;姜黎 -专利权人：湖南国科微电子股份有限公司
申请日： 2017-12-22 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： G11C5/14 文献下载
摘要：本发明提供一种NAND Flash访问操作方法、装置及系统。该方法预先将软件应用层的操作原子定义为一个指令序列，根据指令序列预定义指令模板，并根据指令模板构建指令序列模板。指令译码模块接收指令序列后对指令序列解析，并调用当前NAND操作的指令序列模板。对调用的指令序列模板解析和重构，以实现硬件自动将指令序列进行解析和下发，进而减少软件指令的频繁下发，提升访问NAND Flash存储器的速度。由于定义了指令模板，因而能够减少软件的重复类型指令的重复下发，由硬件自动解析模板下发指令，这不仅减轻软件对操作指令集的管理工作，还提升访问NAND速度，提升NAND Flash操作性能。
一种 nand flash 访问操作方法装置系统

[发明专利]NAND闪存的垃圾回收方法及NAND闪存-CN201910295427.1有效
发明人：李创锋;李嘉伦 -专利权人：深圳市金泰克半导体有限公司
申请日： 2019-04-12 - 公布日： 2021-05-14 - 主分类号： G06F12/02 文献下载
摘要：本申请涉及一种NAND闪存的垃圾回收方法及NAND闪存，所述NAND闪存的待回收数据块分为多个待读取子数据块，每个待读取子数据块与一个通道相对应，每个待读取子数据块中存储着有效数据或无效数据，不同待回收数据块的同一位置的待读取子数据块对应相同的通道；所述NAND闪存包括：多个SRAM，每个SRAM与一个所述通道相对应，用于读取对应通道的待读取子数据块的数据，控制器，用于控制所述SRAM对数据的读/写；所述垃圾回收方法包括：所述每个SRAM同时读取对应通道的待读取子数据块的有效数据本发明实施例进一步提高了NAND闪存的垃圾回收的效率。
nand 闪存垃圾回收方法

[发明专利]一种采用垃圾回收机制的数据存储方法-CN201811442057.1有效
发明人：兰海洋;李礼;王雨雷;吴春;周正;邱赐云 -专利权人：上海威固信息技术股份有限公司
申请日： 2018-11-28 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本发明提出了一种采用垃圾回收机制的数据存储方法，文件系统删除需要擦除的数据所在的目录，发给nand flash这些数据所在的block地址和地址个数，nand flash控制模块接收到这些信息后，使能擦除功能，擦除第一个block地址中的数据，计数器加1，若计数器等于地址个数，则擦除完成；文件系统给nand flash控制模块发送空闲block地址和写使能，nand flash控制模块接收到后，数据源的数据有效时开始执行写操作本发明提高了写入带宽，提高了雷达数据采集效率；不存在写放大效应，减少了对nand flash的操作，提高了存储设备寿命；保证了数据的正确性。
一种采用垃圾回收机制数据存储方法

[发明专利]高速大容量存储器及写入、读取和擦除方法-CN201910720242.0有效
发明人：李羚梅;刘博;尚进;云天嵩;蒋航;苏晓旭;李鑫儒;何海星;赵保磊 -专利权人：天津光电通信技术有限公司
申请日： 2019-08-06 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本发明提供一种高速大容量存储器及写入、读取和擦除方法，高速大容量存储器包括：8行8列NAND FLASH存储芯片；8组控制线，每组控制线控制每列8片NAND FLASH存储芯片；32组数据线，每组数据线分别与每横向两片NAND FLASH存储芯片电连接，用于实现读写；FPGA，与所述8组控制线和32组数据线电连接，用于根据时序操作对NAND FLASH存储芯片进行读写控制。采用8X8共64片NAND FLASH组成存储阵列，每片FLASH存储容量为128Gb，可得总存储容量为1TB。并利用时序和多数据线复用方式实现高速读写功能，速率需要不小于819.2MB/S。
高速容量存储器写入读取擦除方法

[发明专利]NAND闪存的垃圾回收方法及NAND闪存-CN201910295421.4有效
发明人：李创锋;李嘉伦 -专利权人：深圳市金泰克半导体有限公司
申请日： 2019-04-12 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本申请涉及一种NAND闪存的垃圾回收方法和一种NAND闪存，所述NAND闪存的待回收数据块分为多个待读取子数据块，每个待读取子数据块与一个通道相对应，每个待读取子数据块中存储着有效数据或无效数据，不同待回收数据块的同一位置的待读取子数据块对应相同的通道；所述NAND闪存包括：多个SRAM，每个SRAM与一个所述通道相对应，用于读取对应通道的待读取子数据块的数据，控制器，用于控制所述SRAM对数据的读/写；所述垃圾回收方法包括：对于当前待回收数据块，所述本发明可以提高NAND闪存垃圾回收的效率。
nand 闪存垃圾回收方法

[发明专利]源侧非对称预充电编程方案-CN201210570799.9无效
发明人：金镇祺;潘弘柏 -专利权人：莫塞德技术公司
申请日： 2008-02-06 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： G11C16/06 文献下载
摘要：一种用于编程NAND闪速单元的方法，用于在允许随机页面编程操作的同时最小化编程应力。该方法包括从正偏置的源极线非对称预充电NAND串，而将位线从NAND串去耦合，随后，施加编程电压到选择的存储器单元，并且之后应用位线数据。在非对称预充电和施加编程电压之后，所有选择的存储器单元由于它们将从它们相应的NAND串去耦合而被设置为编程禁止状态，并且它们的沟道将被本地提升到有效地禁止编程的电压。VDD偏置的位线将不对预充电的NAND串起作用，从而保持所选择的存储器单元的编程禁止状态。
源侧非对称充电编程方案

[发明专利]与非闪存器及其管理方法-CN200810098178.9无效
发明人：王娟;陈颖;王志忠;周昶 -专利权人：中兴通讯股份有限公司
申请日： 2008-05-26 - 公布日： 2008-10-08 - 主分类号： G06F12/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种NAND flash及其管理方法，其中，上述NAND flash的管理方法包括：将包含有N个块的NAND flash划分为信息存储区域、数据存储区域、备份数据区域，其中，信息存储区域为NAND本发明提高了控制器访问NAND flash的效率。
闪存及其管理方法

[实用新型]基于NAND闪存和SPI接口的超长时程心电记录装置-CN201420245278.0有效
发明人：张文赞 -专利权人：杰升生物科技（上海）有限公司
申请日： 2014-05-14 - 公布日： 2014-11-05 - 主分类号： A61B5/0432 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种基于NAND闪存和SPI接口的超长时程心电记录装置，由心电记录仪和数据接收模块组成，所述的心电记录仪包括心电电极、心电信号放大模块、MCU控制模块、NAND闪存模块和数据传输模块，数据接收模块为外置设备，其中，所述的心电电极、心电信号放大模块、MCU控制模块和NAND闪存模块顺次电连接，数据传输模块分别与MCU控制模块和NAND闪存模块相连，数据传输模块设有SPI接口，所述的NAND闪存模块以SPI接口作为通信接口
基于 nand 闪存 spi 接口超长时程心电记录装置

[实用新型]一种大容量固态存储板-CN201420836000.0有效
发明人：张硕 -专利权人：睿能科技(北京)有限公司
申请日： 2014-12-26 - 公布日： 2015-08-05 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本实用新型的目的是提供一种大容量固态存储板，采用1片FPGA连接4个NAND FLASH阵列，每个阵列由16片16GB的SLC NAND FLASH芯片组成，最小存储单位为256MB，用FPGA代码实现NAND FLASH阵列控制器，NAND FLASH存储阵列采用滚筒存储方式，以保证各个NAND FLASH芯片的编程次数尽量均等，延长使用寿命。
一种容量固态存储

[实用新型]税控打印机控制器-CN200420052227.2无效
发明人：曹红玉;于治楼;王培元 -专利权人：山东浪潮电子设备有限公司
申请日： 2004-07-12 - 公布日： 2005-07-06 - 主分类号： B41J3/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种税控打印机控制器，属于电子产品技术领域，其结构是由税控主板A和Nand Flash板B构成，Nand Flash板B插接在税控主板A上，税控主板A则是由CPU电路C、CPLD电路D、Nand电路E、SMART电路F和CARD电路G构成，CPU电路C分别与CPLD电路D、Nand电路E、SMART电路F和CARD电路G相连接，CPLD电路D又分别与Nand电路E、SMART电路F和CARD电路
打印机控制器

[发明专利]源侧非对称预充电编程方案-CN200880004505.8无效
发明人：金镇祺;潘弘柏 -专利权人：莫塞德技术公司
申请日： 2008-02-06 - 公布日： 2009-12-30 - 主分类号： G11C16/02 文献下载
摘要：一种用于编程NAND闪速单元的方法，用于在允许随机页面编程操作的同时最小化编程应力。该方法包括从正偏置的源极线非对称预充电NAND串，而将位线从NAND串去耦合，随后，施加编程电压到选择的存储器单元，并且之后应用位线数据。在非对称预充电和施加编程电压之后，所有选择的存储器单元由于它们将从它们相应的NAND串去耦合而被设置为编程禁止状态，并且它们的沟道将被本地提升到有效地禁止编程的电压。VDD偏置的位线将不对预充电的NAND串起作用，从而保持所选择的存储器单元的编程禁止状态。
源侧非对称充电编程方案

[发明专利]NAND FLASH擦写衰退的补偿方法和补偿装置-CN201510993417.7在审
发明人：苏志强;陈立刚;谢瑞杰 -专利权人：北京兆易创新科技股份有限公司;合肥格易集成电路有限公司
申请日： 2015-12-24 - 公布日： 2016-07-20 - 主分类号： G11C16/12 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种NAND FLASH擦写衰退的补偿方法和补偿装置，补偿方法包括：确定NAND FLASH中进行擦写操作的当前块；更新当前块的擦写次数；根据更新后的擦写次数选择擦写条件，并根据擦写条件设置当前块的初始写电压和初始擦除电压本发明实施例针对不同块的不同擦写次数分别设置写电压和擦除电压，从而可以防止由于cell本身衰退造成的擦写失败或者操作margin减小，有效增加了NAND FLASH的使用寿命，提高了NAND FLASH
nand flash 擦写衰退补偿方法装置

[发明专利]用于受管理存储器的仲裁技术-CN201911402205.1在审
发明人： D·A·帕尔默 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2019-12-30 - 公布日： 2020-07-07 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：用于仲裁受管理NAND存储器系统中的存储器装置的操作以使所述操作符合功率预算的装置和技术。在实例中，一种方法可包含：在NAND存储器系统的功率管理电路系统处接收NAND存储器操作的操作改变指示，以及对功率信用和与所述操作改变指示相关联的第一寄存器的值进行求和以提供所述NAND存储器系统的瞬时功耗指示作为所述第一寄存器的所述值
用于管理存储器仲裁技术