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[发明专利]模拟向量-矩阵乘法运算电路-CN201810872120.9有效
发明人： 王绍迪 -专利权人：北京知存科技有限公司
申请日： 2018-08-02 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G06F17/16 文献下载
摘要：本发明提供一种模拟向量‑矩阵乘法运算电路，采用可编程存储器件阵列实现，可编程半导体器件阵列中，每一行的所有可编程半导体器件的栅极均连接至同一模拟电压输入端，M行可编程半导体器件对应连接M个模拟电压输入端，每一列的所有可编程半导体器件的漏极(或源极)均连接至同一偏置电压输入端，N列可编程半导体器件对应连接N个偏置电压输入端，每一列的所有可编程半导体器件的源极(或漏极)均连接至同一个模拟电流输出端，N列可编程半导体器件对应连接N个模拟电流输出端，通过控制可编程半导体器件的阈值电压，将每个可编程半导体器件看作一个可变的等效模拟权重，实现矩阵乘法运算功能。
模拟向量矩阵乘法运算电路

[发明专利]模拟向量-矩阵乘法运算电路-CN201810870540.3有效
发明人： 王绍迪 -专利权人：北京知存科技有限公司
申请日： 2018-08-02 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G06F17/16 文献下载
摘要：本发明提供一种模拟向量‑矩阵乘法运算电路，采用可编程存储器件阵列实现，可编程半导体器件阵列中，每一列的所有可编程半导体器件的源极均连接至同一模拟电压输入端，N列可编程半导体器件对应连接N个模拟电压输入端，每一行的所有可编程半导体器件的栅极均连接至同一偏置电压输入端，M行可编程半导体器件对应连接M个偏置电压输入端，每一列的所有可编程半导体器件的漏极均连接至同一个模拟电流输出端，N列可编程半导体器件对应连接N个模拟电流输出端，通过控制可编程半导体器件的阈值电压，将每个可编程半导体器件看作一个可变的等效模拟权重，实现矩阵乘法运算功能。
模拟向量矩阵乘法运算电路

[发明专利]一种可逆作施工的装配式密排钢管钢板混凝土剪力墙-CN202211709121.4在审
发明人：马玉宏;郭达文;张梦月;王绍迪;陈波;张俊添;陈浩宇 -专利权人：广州大学
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： E04B2/56 文献下载
摘要：本发明关于一种可逆作施工的装配式密排钢管钢板混凝土剪力墙，涉及装配式建筑技术领域。包括钢管混凝土柱、耳板、连接钢板、定位连接件和现浇混凝土；钢管混凝土柱沿墙的长度方向均匀布置；耳板与钢管混凝土柱焊接固定；连接钢板沿平行于墙的长度方向设置在相邻钢管混凝土柱之间，并形成混凝土空腔；连接钢板和耳板均预留定位连接件的通孔，定位连接件穿插在通孔内；现浇混凝土，填充于钢管混凝土柱内部和连接钢板间的混凝土空腔中。本发明充分利用了钢结构和混凝土结构的优点，绿色环保，便于安装，具有优异的抗震性能和耐久性，可逆作法施工可大大提高施工效率和缩短施工周期。
一种可逆施工装配式钢管钢板混凝土剪力

[发明专利]神经网络权重矩阵调整方法、写入控制方法以及相关装置-CN202010098553.0有效
发明人： 王绍迪 -专利权人：杭州知存智能科技有限公司
申请日： 2020-02-18 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： G06N3/04 文献下载
摘要：本发明提供一种神经网络权重矩阵调整方法、写入控制方法以及相关装置，适用于在利用存内计算芯片执行神经网络运算前对神经网络权重矩阵进行处理，该方法包括：判断神经网络权重矩阵的权重分布是否低于第一预设阈值；若是，将该神经网络权重矩阵中的所有权重值均乘以一第一常数；若否，判断该神经网络权重矩阵的权重分布是否高于第二预设阈值，其中，该第二预设阈值大于该第一预设阈值；若该神经网络权重矩阵的权重分布高于第二预设阈值，则将该神经网络权重矩阵中的所有权重值均除以一第二常数；其中，该第一常数以及该第二常数均大于1，使得将处理后的权重矩阵存储存储单元阵列进行存内计算后得到的信号处于ADC的有效量程内，提高运算精度。
神经网络权重矩阵调整方法写入控制以及相关装置

[发明专利]数据加载电路和方法-CN202010526945.2有效
发明人：孙旭光;邢小地;王绍迪 -专利权人：杭州知存智能科技有限公司
申请日： 2020-06-11 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： G06N3/063 文献下载
摘要：提供一种数据加载电路和方法。该电路被配置为将用于神经网络所计算的特征图中的数据加载到计算电路中，其中，该神经网络的卷积核大小为K*K个数据，对应于该卷积核的窗口以步长S在该特征图中滑动，K和S均为正整数，SK，该电路包括：两个数据加载器，包括第一数据加载器和第二数据加载器；以及控制器，该控制器被配置为：当该窗口在该特征图中的连续K行内滑动时，控制该第一数据加载器处于数据输出模式，控制该第二数据加载器处于数据读取模式。
数据加载电路方法

[发明专利]存内计算电路及其补偿方法、存储装置和芯片-CN202211440787.4在审
发明人： 王绍迪 -专利权人：北京知存科技有限公司
申请日： 2022-11-17 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种存内计算电路及其补偿方法、存储装置和芯片。存内计算电路包括：存内计算阵列，包括多个输入端、多个输出端和呈阵列排布的多个可编程半导体器件；所述输入端的信号为输入向量，所述输出端的信号为输出向量，所述存内计算阵列用于对所述输入向量进行矩阵运算，得到所述输出向量；误差补偿模块，所述误差补偿模块与所述存内计算阵列连接，用于对所述输出向量进行缩放补偿和/或偏移补偿。与现有技术相比，本发明实施例实现了对存内计算电路的计算结果进行补偿，提升了计算精度。
计算电路及其补偿方法存储装置芯片

[发明专利]一种表观质量可变的大吨位惯容型双阶自复位阻尼器-CN202210543862.3有效
发明人：赵桂峰;马玉宏;孔思华;刘伟;杨恒;王绍迪 -专利权人：广州大学
申请日： 2022-05-19 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： E04B1/98 文献下载
摘要：本发明属于土木工程抗震技术领域，公开了一种表观质量可变的大吨位惯容型双阶自复位阻尼器，本发明包括连接端、可变表观质量飞轮、滚珠螺母、滚珠丝杠、推力轴承、两组多层环形弹簧、内杆、两组钢垫板、两组紧固螺母和外套筒，可变表观质量飞轮由底盘、缓冲橡胶、可移动滑块和滑槽以及弹簧组成；滚珠丝杠右端依次穿过可变表观质量飞轮、滚珠螺母和推力轴承，并与内杆固结；内杆交替穿过两组多层环形弹簧、两组钢垫板以及两组紧固螺母。本发明通过可变表观质量飞轮来实现惯容系数可变，通过多层环形弹簧提供大吨位阻尼力，通过多组多层环形弹簧和合理构造来实现双阶自复位特性，从而使得阻尼器具备表观质量可变、大吨位和双阶自复位的优点。
一种表观质量可变吨位惯容型双阶复位阻尼

[发明专利]存算一体芯片架构、封装方法以及装置-CN202211052919.6在审
发明人： 王绍迪 -专利权人：北京知存科技有限公司
申请日： 2022-08-31 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： G06F15/78 文献下载
摘要：本公开涉及存算一体芯片技术领域，尤其涉及存算一体芯片架构、存算一体芯片的封装方法以及装置。该存算一体芯片架构包括：第一芯片，该第一芯片上集成有存算一体芯片的一个或多个存算一体单元阵列，该一个或多个存算一体单元阵列用于对接收到的模拟数据进行计算；第二芯片，该第二芯片上集成有存算一体芯片的外围模拟电路IP核与数字电路IP核；以及接口模块，该接口模块被配置为耦接第一芯片和第二芯片，以使得第一芯片和第二芯片之间通过模拟信号来传输数据。
一体芯片架构封装方法以及装置

[发明专利]一种基于生成对抗网络和图像融合设施缺陷图像生成方法-CN202210643416.X在审
发明人： 王绍迪;马玉宏;腾帅;赵桂峰;李源海;李艳敏 -专利权人：广州大学
申请日： 2022-06-09 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： G06V10/80 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于生成对抗网络和图像融合设施缺陷图像生成方法，S1：采集基础设施正常服役期间的图像；S2：搜集有限的缺陷图像；S3：使用有限的缺陷图像训练生成对抗网络，并利用生成对抗网络生成更多样式的缺陷图像；S4：利用背景图像和缺陷图像建立泊松图像融合的方法；S5：将采集的大量基础设施图像与缺陷图像进行融合，从而生成大量具有缺陷的基础设施表观图像。本发明首先利用生成对抗网络产生大量简单背景的缺陷图像，并结合泊松图像融合技术将简单背景的缺陷图像与基础设施正常服役的图像进行融合，从而产生大量具有真实背景的基础设施缺陷图像。
一种基于生成对抗网络图像融合设施缺陷方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202210864080.X在审
发明人：王春明;王绍迪 -专利权人：北京知存科技有限公司
申请日： 2022-07-21 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：提供了一种半导体器件及其制造方法。该制造方法包括：提供半导体衬底；在半导体衬底表面形成介质层和位于所述介质层中的至少一个连接通孔，所述至少一个连接通孔中的每一个连接通孔的顶部表面与介质层的顶部表面齐平；图形化介质层，以形成位于介质层中的至少一个凸台，至少一个凸台中的每一个凸台包括至少一个连接通孔中的至少一个；以及形成至少一个覆盖层，至少一个覆盖层中的每一个覆盖层覆盖至少一个连接通孔中的一个连接通孔并且延伸至覆盖该连接通孔所在的凸台的至少一个侧壁。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]数据缓存电路和方法-CN202010118620.0有效
发明人：郑琪霖;王绍迪 -专利权人：杭州知存智能科技有限公司
申请日： 2020-02-26 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： G06N3/04 文献下载
摘要：提供一种数据缓存电路和方法。该电路被配置为缓存用于神经网络所计算的特征图中的数据，其中，该神经网络的卷积核大小为K*K个数据，对应于该卷积核的窗口以步长S在该特征图中滑动，K为正整数，S为正整数，该电路包括：缓存器，该缓存器包括K个缓存单元，其中每个缓存单元被配置为分别存储该特征图的多个行，该多个行包括该特征图的每K行中的相应一行。
数据缓存电路方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202210507122.4在审
发明人：王春明;王绍迪 -专利权人：北京知存科技有限公司
申请日： 2022-05-10 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：衬底，包括存储器单元区域，其中，存储器单元区域包括第一漏极区域、第一沟道区域和源极区域，其中，第一沟道区域在第一漏极区域与源极区域之间延伸；第一浮置栅极，位于第一沟道区域的第一部分上方；源极多晶硅，位于源极区域上方；擦除栅极，位于源极多晶硅上方；第一选择栅极，位于第一沟道区域的第二部分上方，并且在第一浮置栅极的与源极多晶硅相对的一侧；第一编程通道，从第一漏极区域延伸到第一浮置栅极的面对第一选择栅极的边缘部位；第二编程通道，从第一漏极区域延伸到源极区域；以及第一擦除通道，从第一浮置栅极的面对擦除栅极的边缘部分延伸到擦除栅极。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202210509148.2在审
发明人：王春明;王绍迪 -专利权人：北京知存科技有限公司
申请日： 2022-05-10 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：提供了一种半导体器件及其制造方法。该制造方法包括：在衬底上依次形成第一氧化物层、存储层、第二氧化物层、控制栅极层和硬掩膜层；蚀刻硬掩膜层、控制栅极层、第二氧化物层、存储层和第一氧化物层，以形成栅极堆叠体；在栅极堆叠体的两侧分别形成第一栅极间隔体和第二栅极间隔体；在第一栅极间隔体的与栅极堆叠体相对的一侧形成第一选择栅极，在第二栅极间隔体的与栅极堆叠体相对的一侧形成第二选择栅极；蚀刻栅极堆叠体以形成第一开口；在衬底的位于第一开口下方的部分中形成源极区域；以及在第一选择栅极的与第一开口相对的一侧的衬底中形成第一漏极区域，在第二选择栅极的与第一开口相对的一侧的衬底中形成第二漏极区域。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202210508900.1在审
发明人：王春明;王绍迪 -专利权人：北京知存科技有限公司
申请日： 2022-05-10 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：提供了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：衬底，包括存储器单元区域，存储器单元区域包括第一漏极区域、第一沟道区域和源极区域，第一沟道区域在第一漏极区域与源极区域之间延伸；第一浮置栅极，位于第一沟道区域的第一部分上方；第一擦除栅极，位于第一浮置栅极上方；第一选择栅极，位于第一沟道区域的第二部分上方，并且在第一浮置栅极的远离源极区域的一侧；第一编程通道，从第一漏极区域延伸到第一浮置栅极的面对第一选择栅极的边缘部位；第二编程通道，从第一漏极区域延伸到源极区域；以及第一擦除通道，从第一浮置栅极的面对第一擦除栅极的边缘部分延伸到第一擦除栅极。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种适用于可恢复功能结构的大吨位自复位惯容阻尼器-CN202210543474.5在审
发明人：赵桂峰;马玉宏;刘伟;孔思华;杨恒;王绍迪 -专利权人：广州大学
申请日： 2022-05-19 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： E04B1/98 文献下载
摘要：本发明属于土木工程抗震技术领域，公开了一种适用于可恢复功能结构的大吨位自复位惯容阻尼器，包括连接端、旋转飞轮、滚珠螺母、滚珠丝杠、推力轴承、多层环形弹簧、内杆、钢垫板、外套筒和紧固螺母，滚珠丝杠左端与连接端固结，右端依次穿过旋转飞轮、滚珠螺母和推力轴承，并与内杆固结；内杆左端与滚珠丝杠固结，右端依次穿过钢垫板、多层环形弹簧和紧固螺母。该适用于可恢复功能结构的大吨位自复位惯容阻尼器，通过具有惯容增效的旋转飞轮来减小振动加速度，通过具有自复位能力的多层环形弹簧提供大吨位阻尼力，从而有效地减小位移等，从而实现工程结构震后功能可恢复的设防目标。
一种适用于可恢复功能结构吨位复位阻尼

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