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[发明专利]鳍式场效应晶体管（FINFET）器件结构的鳍上的保护层-CN201510450134.8有效
发明人：张简旭珂;郑志成;吴志楠;林俊泽;王廷君 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-07-28 - 公布日： 2019-12-13 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：提供一种鳍式场效应晶体管(FinFET)器件结构及其形成方法。FinFET器件结构包括衬底和从衬底延伸的鳍结构。FinFET器件结构还包括形成在衬底上的隔离结构。鳍结构具有顶部和底部，并且底部嵌入隔离结构中。FinFET器件结构还包括形成在鳍结构的顶部上的保护层。界面位于保护层与鳍结构的顶部之间，并且界面具有在从大约0.1nm至大约2.0nm的范围内的粗糙度。本发明的实施例还涉及鳍式场效应晶体管(FINFET)器件结构的鳍上的保护层。
场效应晶体管 finfet 器件结构保护层

[发明专利]模块化前收式减摇鳍执行机构-CN200710046009.6有效
发明人：徐军;韦彬;司黎明;郑敏祥;陆振辉 -专利权人：中国船舶重工集团公司第七○四研究所
申请日： 2007-09-14 - 公布日： 2009-03-18 - 主分类号： B63B39/06 文献下载
摘要：一种模块化前收式减摇鳍执行机构，主要解决提高执行机构运行性能和降低制造、装配成本等技术问题，其采用技术方案是，该机构设置有一鳍箱，鳍箱由上下板、前上下板、舷板和侧板组合呈一体，该箱设置有鳍箱开口，鳍箱内腔是一水密内腔，鳍箱的下板和前下板分别固定连接有船体的对应构件，侧板上固定设置有和十字头组件的凸台对应的收放撞块，适用于各种前收式减摇鳍装置。
模块化前收式减摇鳍执行机构

[实用新型]模块化前收式减摇鳍执行机构-CN200720074684.5无效
发明人：徐军;韦彬;司黎明;郑敏祥;陆振辉 -专利权人：中国船舶重工集团公司第七○四研究所
申请日： 2007-09-14 - 公布日： 2008-11-12 - 主分类号： B63B39/06 文献下载
摘要：一种模块化前收式减摇鳍执行机构，主要解决提高执行机构运行性能和降低制造、装配成本等技术问题，其采用技术方案是，该机构设置有一鳍箱，鳍箱由上下板、前上下板、舷板和侧板组合呈一体，该箱设置有鳍箱开口，鳍箱内腔是一水密内腔，鳍箱的下板和前下板分别固定连接有船体的对应构件，侧板上固定设置有和十字头组件的凸台对应的收放撞块，适用于各种前收式减摇鳍装置。
模块化前收式减摇鳍执行机构

[发明专利]鳍式场效应晶体管及其制作方法-CN201110406764.7有效
发明人：张海洋;韩秋华 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2011-12-08 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种鳍式场效应晶体管及其制作方法，该方法包括：在半导体衬底上形成鳍；在形成有鳍的半导体衬底上形成虚拟栅极，其横跨过鳍；在虚拟栅极的两侧形成第一侧墙，对鳍进行离子注入，以形成鳍式场效应晶体管的源极本发明的鳍式场效应晶体管中金属栅极两侧的高K栅介质层被有效清除，避免了金属栅极与源极/漏极之间产生寄生电容，且在清除的过程中不会对其它半导体结构造成损害，使形成的鳍式场效应晶体管具有良好的电学性能。
场效应晶体管及其制作方法

[发明专利]鳍式场效应晶体管装置的形成方法-CN201710942238.X在审
发明人：陈佳政;陈亮吟;张惠政 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-10-11 - 公布日： 2018-06-05 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：提供一种鳍式场效应晶体管装置的形成方法，包括：在鳍式场效应晶体管的鳍片上形成盖层，其中鳍片由包括锗的材料所形成；在盖层上形成虚置介电层；在虚置介电层上形成虚置栅极；移除虚置栅极，其中在移除虚置栅极后，通过开口露出鳍片，开口位于虚置介电层及盖层中；以及形成置换栅极，置换栅极通过位于虚置介电层及盖层中的开口接触鳍片。
虚置介电层盖层鳍片鳍式场效应晶体管虚置栅极开口移除置换

[发明专利]鳍式场效应晶体管-CN201710224306.9在审
发明人：管清华;蒋振劼;郑志成 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-04-07 - 公布日： 2017-10-27 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：衬底包括多个沟槽和位于沟槽之间的至少一个半导体鳍，其中，半导体鳍包括至少一个槽，并且至少一个槽位于半导体鳍的顶面上。绝缘体设置在沟槽中。栅极堆叠件部分地覆盖半导体鳍、至少一个槽和绝缘体。本发明实施例涉及鳍式场效应晶体管。本发明实施例涉及鳍式场效应晶体管。
场效应晶体管

[发明专利]一种基于拉线位移传感器的可升降式鳍板液压提升装置及自动调控方法-CN201910335657.6有效
发明人：肖能齐;吴灿;许章菁;李令仪;雷振;江金辉 -专利权人：三峡大学
申请日： 2019-04-24 - 公布日： 2020-05-12 - 主分类号： B63B17/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于拉线位移传感器的可升降式鳍板液压提升装置及自动调控方法，它包括在升降鳍板提升过程中，采用拉线位移传感器对升降鳍板的前端和升降鳍板的后端的位置状态进行实时监测，根据检测值通过调节对称分布式的液压马达提升机构提升速度对升降鳍板的平衡状态进行自动调节控制，以解决升降鳍板在提升时出现前倾和后倾问题，具有结构简单、可实施性、安全可靠和易于维护等特点。
一种基于拉线位移传感器升降式鳍板液压提升装置自动调控方法

[发明专利]N型鳍式场效应晶体管的形成方法-CN201510215957.2有效
发明人：李勇 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2015-04-30 - 公布日： 2019-09-27 - 主分类号： H01L29/66 文献下载
摘要：一种N型鳍式场效应晶体管的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有鳍部；形成横跨所述鳍部的栅极结构；对所述栅极结构两侧的鳍部进行离子注入，所述鳍部包括被所述栅极结构覆盖的第一侧壁和与所述第一侧壁相对的第二侧壁，所述离子注入对所述第一侧壁或对所述第二侧壁进行；所述离子注入后，对所述鳍部进行退火处理；所述退火处理后，在所述栅极结构两侧的鳍部表面分别形成源极和漏极。采用本发明的方法能够提高N型鳍式场效应晶体管的性能。
型鳍式场效应晶体管形成方法

[发明专利]一种新型鳍式场效应晶体管及其制作方法-CN201611159376.2有效
发明人：李风浪 -专利权人：温岭腾科电子有限公司
申请日： 2016-12-15 - 公布日： 2019-11-29 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型鳍式场效应晶体管及其制作方法，本发明的新型鳍式场效应晶体管，包括：基底；位于所述基底上的鳍部，所述鳍部两端形成源区和漏区；横跨所述源区和漏区中间的鳍部上表面以及两侧的栅极结构，所述鳍部上表面呈凸齿结构，所述凸齿结构凸起部分为齿部，所述鳍部上表面两齿部之间存在迁移率增强区，所述源区以及漏区在齿部顶端无掺杂，所述栅极结构嵌入所述鳍部的凸齿结构内，本发明可提高晶体管驱动电流，改善晶体管性能。
一种新型场效应晶体管及其制作方法

[发明专利]一种液压直驱式减摇鳍转鳍装置-CN201711220092.4在审
发明人：谢良喜;罗刚;吴攀峰 -专利权人：武汉科技大学
申请日： 2017-11-27 - 公布日： 2018-10-23 - 主分类号： B63B39/06 文献下载
摘要：一种液压直驱式减摇鳍转鳍装置，结构包括：挡块(4)、带叶片的定子(5)、鳍轴叶片(6)、端面密封(7)、端盖(8)。所述鳍轴叶片数量通常为2‑4只，沿圆周方向均匀分布安装在鳍轴(2)上，用以承受油压并向鳍轴及与之固定连接的鳍翼(1)输出转矩；所述带叶片的定子上也沿圆周方向均匀分布数量相等的叶片，和所述端面密封一起，将油腔隔离成高压腔和低压腔；所述挡块安装在鳍座(3)上，用以平衡带叶片的定子所受到的转矩。液压力作用在鳍轴叶片上即可直接驱动鳍轴转动，解决了将转叶式液压装置的轴孔套接在鳍轴上导致的同轴度误差的问题。在液压力的作用下，可自动保证带叶片的定子与鳍轴之间的同轴度，避免加工及安装误差、重力、磨损、振动等因素造成带叶片的定子与鳍轴之间出现同轴度误差，提高了转鳍装置的传动及伺服控制精度。
鳍轴叶片同轴度误差沿圆周方向液压直驱式端面密封减摇鳍挡块油压安装误差输出转矩数量相等伺服控制液压力作液压装置直接驱动低压腔高压腔平衡带同轴度液压力轴孔套转叶式传动端盖油腔转矩磨损转动隔离加工保证

[实用新型]散热装置-CN201921604262.3有效
发明人：林星晨;邱英哲 -专利权人：华硕电脑股份有限公司
申请日： 2019-09-25 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： H05K7/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种散热装置，包含离心式风扇以及第一散热鳍片组。离心式风扇包含扇框。扇框具有第一开口及第一舌部。第一开口具有相对的第一侧边以及第二侧边。第一舌部邻近第一侧边且远离第二侧边。第一散热鳍片组邻近第一开口。第一散热鳍片组包含第一鳍片、第二鳍片以及第三鳍片。第一鳍片、第二鳍片以及第三鳍片依序由第二侧边排列至第一侧边。第二鳍片以及第三鳍片各包含本体部以及弯折部。第二鳍片的弯折部相对本体部的弯折角度小于第三鳍片的弯折部相对本体部的弯折角度。借此，本实用新型的散热装置，可降低气流进入散热鳍片时产生的冲击，进而提高散热装置的散热能力。
散热装置

[发明专利]鳍式晶体管的形成方法-CN201711307452.4在审
发明人：李京桦;李荣伟;黄文杰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-12-11 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：鳍式晶体管的形成方法包含在基底上形成鳍片，用氮基自由基覆盖鳍片的至少上部，其中氮基自由基沿着鳍片的上部的侧壁和在鳍片的上部的顶面上以各自不同的浓度分布，以及使用热氧化工艺在鳍片的上部形成氧化物层。
鳍片鳍式晶体管自由基氮基热氧化工艺浓度分布氧化物层侧壁基底覆盖

[发明专利]具有鳍升力动态测量能力的转鳍机构-CN201010127056.5有效
发明人：梁利华;吉明;张松涛;王经甫;史洪宇;马鉴恩;宋吉广;杨生;金鸿章 -专利权人：哈尔滨工程大学
申请日： 2010-03-18 - 公布日： 2010-08-04 - 主分类号： B63B39/06 文献下载
摘要：本发明提供的是一种具有鳍升力动态测量能力的转鳍机构。包括鳍轴，鳍轴的一端鳍套安装减摇鳍，在鳍轴另一端端部圆心位置安装电位器式的鳍角测量传感器，构成鳍角反馈盒作为鳍角度反馈机构，鳍轴由两个轴承实现双支撑固定，箱体与鳍轴实现动密封，箱体焊接在船壳上；所述鳍轴为中空鳍轴，在中空鳍轴内部配有一实轴芯，实轴芯在鳍安装位置附近与鳍轴外套紧紧相连，且能随鳍轴转动；在实轴芯的末端固定安装升力测量传感器。本发明设计的转鳍机构，可以直接获得鳍的动态升力、避免攻角和升力之间的非线性关系，减小角度伺服中由攻角引起的相位滞后。
具有升力动态测量能力机构

[发明专利]鳍式场效应晶体管及其形成方法-CN201310259904.1有效
发明人：三重野文健 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-06-26 - 公布日： 2014-12-31 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种鳍式场效应晶体管及其形成方法，所述鳍式场效应晶体管包括：半导体衬底，所述半导体衬底上形成有分立的第一鳍部和第二鳍部；覆盖所述第一鳍部、第二鳍部和半导体衬底表面的第一掺杂层；位于半导体衬底的隔离层，所述隔离层的表面低于第一鳍部和第二鳍部顶端上的第一掺杂层表面；横跨所述第一鳍部的侧壁和顶端表面的栅极结构；位于隔离层上的介质层，所述介质层覆盖所述栅极结构和第二鳍部；位于介质层中的通孔，所述通孔暴露出第二鳍部顶端上的第一掺杂层；填充所述通孔的导电插塞，所述导电插塞用于连接偏置控制电压
场效应晶体管及其形成方法

[发明专利]鳍式场效应晶体管的形成方法-CN201410598408.3有效
发明人：张海洋;张璇 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2014-10-30 - 公布日： 2019-01-22 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种鳍式场效应晶体管的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面具有鳍部以及隔离层，所述隔离层的表面低于鳍部的顶部表面，覆盖半导体衬底表面以及部分鳍部的侧壁；在所述隔离层表面以及鳍部表面形成栅介质材料层和位于所述栅介质材料层表面的栅极材料层；刻蚀所述栅介质材料层和栅极材料层形成横跨鳍部的栅极结构，同时使栅极结构两侧的鳍部尺寸缩小，所述栅极结构包括栅介质层和栅极，所述栅极结构覆盖鳍部的侧壁及顶部；在栅极结构两侧的鳍部表面形成第一半导体外延层；在所述栅极结构侧壁表面形成侧墙；在栅极结构两侧的鳍部内形成源极和漏极。所述方法可以提高形成的鳍式场效应晶体管的性能。
场效应晶体管形成方法