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[发明专利]鳍式场效晶体管结构与形成鳍式场效晶体管结构的方法-CN201110151663.X有效
发明人：黄瑞民;戴圣辉;蔡振华;廖端泉;陈益坤;朱晓忠 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2011-06-08 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开一种鳍式场效晶体管结构与形成鳍式场效晶体管结构的方法。鳍式场效晶体管结构包含基材、鳍式结构、绝缘层与栅极结构。鳍式结构位于基材上并与基材直接相连，同时，鳍式结构包含鳍式导体层与瓶颈部。绝缘层覆盖基材，并具有部分围绕鳍式结构的瓶颈部而形成的一凸出侧面，以及与基材直接接触的底面，使得凸出侧面延伸至鳍式结构下方。栅极结构部分包围鳍式结构。
鳍式场效晶体管结构形成方法

[发明专利]鳍式场效晶体管装置结构的形成方法-CN201810355316.0在审
发明人：蔡宗裔;陈燕铭;李宗霖;叶致锴 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-04-19 - 公布日： 2019-03-05 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本公开实施例提供一种具有虚设鳍式结构的鳍式场效晶体管装置结构及其形成方法。此鳍式场效晶体管装置结构包括隔离结构位于基板之上，以及第一鳍式结构延伸高于隔离结构。此鳍式场效晶体管装置结构包括第二鳍式结构埋设于隔离结构之中，以及衬层形成于第一鳍式结构的侧壁及第二鳍式结构的侧壁上。此鳍式场效晶体管装置结构包括材料层形成于第二鳍式结构之上，其中材料层与隔离结构是由不同的材料所形成。
鳍式结构鳍式场效晶体管装置结构隔离结构材料层侧壁衬层基板埋设虚设延伸

[发明专利]制造鳍式场效晶体管的方法及半导体装置-CN201710827374.4在审
发明人：冯家馨;谢振宇;许哲源;吴明园;郑旭傑 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-09-14 - 公布日： 2018-11-13 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种制造鳍式场效晶体管的方法及半导体装置。制造鳍式场效晶体管的方法包含在基板上形成鳍式结构，形成包覆鳍式结构的虚设栅极结构，在鳍式结构上方沉积层间介电(ILD)层，移除虚设栅极结构以暴露鳍式结构的一部分，及对鳍式结构的此部分执行蚀刻制程以减小鳍式结构的此部分的宽度
鳍式结构鳍式场效晶体管虚设栅极结构半导体装置制造蚀刻制程沉积层包覆基板减小介电移除暴露

[发明专利]制造鳍式场效晶体管的方法及半导体装置-CN202210619185.9在审
发明人：冯家馨;谢振宇;许哲源;吴明园;郑旭傑 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-09-14 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种制造鳍式场效晶体管的方法及半导体装置。制造鳍式场效晶体管的方法包含在基板上形成鳍式结构，形成包覆鳍式结构的虚设栅极结构，在形成该虚设栅极结构之后，在鳍式结构上方沉积层间介电(ILD)层，移除虚设栅极结构以暴露鳍式结构的一部分，当量测的鳍式结构的宽度超过预定阈值宽度值时，对经暴露的鳍式结构的该部分执行蚀刻制程，以减小鳍式结构的该部分的宽度。
制造鳍式场效晶体管方法半导体装置

[发明专利]鳍式场效应晶体管的制备方法-CN202110183359.7在审
发明人：蒋光浩 -专利权人：富泰华工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
申请日： 2021-02-09 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种鳍式场效应晶体管的制备方法包括：提供衬底以及位于衬底一表面上的间隔设置的多个鳍式结构；在相邻的鳍式结构之间形成浅沟道隔离结构；在浅沟道隔离结构远离衬底的一侧形成应力层，应力层包裹多个鳍式结构远离衬底的部分；对应力层和多个鳍式结构进行热处理；以及移除应力层。通过在狭长的鳍式结构的上端部分设置完全包裹其上端部分的应力层，产生由所述多个鳍式结构的边缘向中间施加拉拽力的效果，由此可加强每一个鳍式结构的挺立效果，避免鳍式结构出现歪斜弯曲。
场效应晶体管制备方法

[实用新型]一种SDB工艺的测试结构-CN202021810675.X有效
发明人：张璐 -专利权人：杭州广立微电子股份有限公司
申请日： 2020-08-26 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本实用新型提供一种SDB工艺的测试结构，用于检测单扩散区切断的工艺情况，所述测试结构包括至少一个基本单元：所述基本单元包括两个鳍式场效应晶体管：第一鳍式场效应晶体管和第二鳍式场效应晶体管；所述鳍式场效应晶体管包括若干根相邻的平行鳍部和横跨鳍部的栅极结构,鳍式场效应晶体管的源极和漏极分设在栅极结构两侧的鳍部上；所述第一鳍式场效应晶体管和第二鳍式场效应晶体管共用同一根栅极结构；单扩散区切断设置在第二鳍式场效应晶体管的栅极结构上，用于截断第二鳍式场效应晶体管的源极和漏极
一种 sdb 工艺测试结构

[发明专利]鳍式场效晶体管-CN201010206805.3有效
发明人：林宪信;郭紫微;苏建彰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2010-06-17 - 公布日： 2011-08-17 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种鳍式场效晶体管。该鳍式场效晶体管包含：基板、鳍式结构、栅极结构、外延层以及通道。基板包含晶状半导体物质，并包含具有第一晶面方向的顶层表面。鳍式结构包含晶状半导体物质，覆盖于基板上。栅极结构覆盖于该鳍式结构的一部份。外延层覆盖于鳍式结构的另一部份，外延层包含具有第二晶面方向的表面。外延层以及其下的鳍式结构包含通过栅极结构隔离的漏极区以及源极区。通道定义于鳍式结构中，自源极区延伸至漏极区，并与基板的顶层表面以及外延层的表面沿平行方向对齐。
鳍式场效晶体管

[发明专利]半导体元件-CN201910659652.9在审
发明人：江国诚;王志豪;蔡庆威;程冠伦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-07-22 - 公布日： 2020-02-11 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本揭露是关于一种半导体元件及制造方法，且更特定而言关于具有鳍式结构的半导体元件，鳍式结构具有不同顶表面晶体取向及/或不同材料。本揭露提供一种包括N型鳍式场效晶体管元件及P型鳍式场效晶体管元件的半导体结构，其具有不同顶表面晶体取向及具有不同材料的鳍式结构。本揭露提供一种制造包括N型鳍式场效晶体管元件及P型鳍式场效晶体管元件的半导体结构的方法，N型鳍式场效晶体管元件及P型鳍式场效晶体管元件具有不同顶表面晶体取向及不同材料，用以实现最佳电子传输及空穴传输。本揭露亦提供一种二极管结构及在鳍式结构中包括硅锗的双极接面晶体管结构。
鳍式结构晶体取向顶表面半导体结构半导体元件双极接面晶体管二极管结构电子传输空穴传输硅锗制造

[发明专利]制造高载子迁移率鳍式场效晶体管结构的方法-CN201310322298.3无效
发明人： S·弗莱克豪斯基;R·伊尔根 -专利权人：格罗方德半导体公司
申请日： 2013-07-29 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： H01L21/784 文献下载
摘要：一种制造高载子迁移率鳍式场效晶体管结构的方法，包括提供包括硅及高载子迁移率材料的半导体衬底，于该半导体衬底上形成一个或多个鳍式结构，以及使该衬底接受缩合程序，以缩合该高载子迁移率材料。该缩合程序形成缩合的鳍式结构，该缩合的鳍式结构本质上包括完全的高载子迁移率材料与形成于该缩合的鳍式结构上的氧化硅层。该方法更包含除去形成于该缩合的鳍式结构上的氧化硅，以曝露该缩合的鳍式结构。
制造高载子迁移率鳍式场效晶体管结构方法

[发明专利]鳍式结构和制造采用该鳍式结构的鳍式晶体管的方法-CN200710141807.7无效
发明人：赵世泳;朴永洙;鲜于文旭 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2007-08-13 - 公布日： 2008-02-13 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种鳍式结构和制造采用该鳍式结构的鳍式晶体管的方法。在基底上形成包括侧壁的多个台面结构。在台面结构上形成半导体层。在半导体层上形成覆盖层。因此，半导体层被覆盖层保护，并包括将被形成为鳍式结构的部分。通过平面化工艺来去除覆盖层的上部的部分，由此去除半导体层在台面结构的上表面上的那部分。结果，在台面结构的侧面上形成彼此隔离的鳍式结构。因此，可以形成具有非常窄的宽度的鳍式结构，并可以容易地控制鳍式结构的厚度和位置。
结构制造采用晶体管方法

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN201811011688.8在审
发明人：沙哈吉·B·摩尔;蔡俊雄;彭成毅;张世杰;游国丰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-08-31 - 公布日： 2019-06-04 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明的实施例提供一种半导体结构的形成方法。上述方法包含在基板上形成鳍式结构，以及形成栅极结构横跨鳍式结构。方法也包含在鳍式结构的侧壁上形成鳍间隙物，以及部分移除鳍间隙物。方法还包含将鳍式结构凹陷以形成凹陷，以及自凹陷植入掺质以形成掺杂区。此外，方法包含将掺杂区内的掺质扩散以形成扩大的掺杂区，以及在扩大的掺杂区上形成源/漏极结构。
鳍式结构掺杂区凹陷半导体结构间隙物掺质扩散栅极结构源/漏极侧壁掺质基板移除植入横跨掺杂

[发明专利]基体鳍式场效晶体管不依赖栅极长度的气孔上覆硅架构-CN201410415235.7有效
发明人： M·K·阿卡瓦尔达;A·P·雅各布 -专利权人：格罗方德半导体公司
申请日： 2014-08-21 - 公布日： 2017-10-13 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及基体鳍式场效晶体管不依赖栅极长度的气孔上覆硅架构，其提供用于制造集成电路以及鳍式场效晶体管晶体管于基体基板上的方法，其中，主动通道区域以绝缘体隔绝该基板。一种用于制造集成电路的方法，包括形成鳍式结构覆盖于半导体基板上，每个鳍式结构包括通道材料并且从第一末端到第二末端朝纵向延伸。该方法沉积锚固材料于该鳍式结构上方。该方法包括凹陷该锚固材料以形成邻接该鳍式结构的沟槽，其中，该锚固材料与每个鳍式结构的该第一末端以及该第二末端维持接触。进一步来说，该方法以不依赖栅极长度的蚀刻程序于该半导体基板以及每个鳍式结构的该通道材料间形成空隙，其中，每个鳍式结构的该通道材料悬挂在该半导体基板上方。
基体鳍式场效晶体管不依赖栅极长度气孔上覆硅架构

[发明专利]优化鳍式场效晶体管结构的方法以及鳍式场效晶体管-CN201611018097.4有效
发明人：鲍宇 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2016-11-18 - 公布日： 2019-05-31 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供了一种优化鳍式场效晶体管结构的方法以及鳍式场效晶体管。该优化鳍式场效晶体管结构的方法包括：在衬底上形成鳍结构；在衬底上沉积氧化硅层，并且对氧化硅层进行平坦化以使得氧化硅层的表面与鳍结构顶部齐平；对氧化硅层进行第一次氧化硅回刻以露出鳍结构的上部鳍段；对上部鳍段进行表面处理，以使得上部鳍段的表面为经表面处理的表面；对氧化硅层进行第二次氧化硅回刻以露出鳍结构的中部鳍段；通过氧化在上部鳍段和中部鳍段的暴露表面上形成栅极介质层；沉积栅极材料。
优化鳍式场效晶体管结构方法以及

[发明专利]一种鳍式场效应晶体管及其制作方法、电子设备-CN202010399407.1在审
发明人：李永亮;李俊杰;程晓红;王文武 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-05-12 - 公布日： 2020-09-25 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开一种鳍式场效应晶体管及其制作方法、电子设备，涉及半导体技术领域，通过在鳍状结构与衬底之间形成隔离层，以抑制寄生沟道及源漏漏电，降低鳍式场效应晶体管的制作成本。所述鳍式场效应晶体管包括衬底、隔离层、鳍状结构和栅堆叠结构。隔离层形成在衬底上。鳍状结构形成在隔离层上。鳍状结构沿第一方向延伸。鳍状结构包括源区、漏区和沟道区，沟道区分别与源区和漏区接触。隔离层覆盖衬底的面积小于或等于鳍状结构覆盖衬底的面积。栅堆叠结构形成在沟道区的外周。栅堆叠结构沿第二方向延伸。所述鳍式场效应晶体管的制作方法用于制作上述技术方案所提供的鳍式场效应晶体管。本发明提供的鳍式场效应晶体管应用于电子设备中。
一种场效应晶体管及其制作方法电子设备

[发明专利]鳍式场效应管及其形成方法-CN201210122575.1有效
发明人：三重野文健 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-04-24 - 公布日： 2013-10-30 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：鳍式场效应管及其形成方法，其中一种鳍式场效应管，包括：半导体衬底，所述半导体衬底表面具有绝缘层和鳍部，所述鳍部贯穿所述绝缘层、且所述鳍部高于绝缘层表面；所述鳍部顶部的晶面为(100)，所述鳍部侧壁的晶面为(110)，且对于n沟道鳍式场效应管，所述鳍部顶部与侧壁的面积之比小于等于3∶1，对于p沟道鳍式场效应管，所述鳍部顶部与侧壁的面积之比大于3∶1；横跨所述鳍部的顶部和侧壁的栅极结构；位于所述栅极结构两侧的鳍部表面的应力衬垫层本发明实施例的鳍式场效应管的载流子迁移率高，器件性能好。
场效应及其形成方法

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