“sdb”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果178个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种自对准后切SDB FinFET器件的制作方法-CN202010729632.7在审
发明人：李勇 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2020-07-27 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明提供一种自对准后切SDB FinFET器件的制作方法，在相邻的两个Fin结构上形成SiGe区，在与该SiGe区相邻的Fin结构上形成SiP区；然后在Fin结构上刻蚀形成SDB沟槽；在SDB沟槽的顶部形成SiN塞以形成顶部密封且中空的SDB沟槽。本发明形成SDB工艺采用金属栅‑硬掩膜‑帽层‑硬掩膜的工艺，无需额外费用，工艺兼容性好。同时SDB蚀刻工艺是自对准的，可以更好地控制工艺变化，在SDB沟槽之后，填充SiN塞以密封SDB沟槽。SDB沟槽是空气填充的，不需要进行热退火，因此退火氧化过程中几乎没有Fin损失，因此可以更好地控制SDB沟槽的均匀性；SDB沟道充满空气，降低了相邻触点的寄生电容，有利于提高器件速度。
一种对准 sdb finfet 器件制作方法

[发明专利]一种先切SDB FinFET的制造方法-CN202110924952.2在审
发明人：李勇 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2021-08-12 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种先切SDB FinFET的制造方法，在基底上形成沿纵向间隔排列的多个Fin结构，Fin结构上形成有SiN层；沉积薄型氧化层；沉积介质层之后退火；研磨露出SiN层上表面；在SiN层上形成SDB光刻胶图形；沿SDB光刻胶图形刻蚀SiN层及Fin结构，形成SDB凹槽；在SDB凹槽的底部形成氧化层；在SDB凹槽的中部形成SiN；在SDB凹槽顶部形成SiC；去除SiN层使Fin结构上表面暴露，并使SiC暴露；在Fin结构上及SDB凹槽上形成沿横向间隔排列的多个伪栅极；在SDB凹槽一侧相邻两个伪栅极间的Fin结构上形成SiP外延结构；在SDB凹槽另一侧相邻两个伪栅极间的Fin结构上形成SiGe外延结构；
一种 sdb finfet 制造方法

[发明专利]一种先切SDB FinFET的制造方法-CN202110597511.6在审
发明人：李勇 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2021-05-31 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种先切SDB FinFET的制造方法，形成沿纵向间隔排列的多个Fin结构，刻蚀Fin结构形成SDB凹槽；沉积介质层填充SDB凹槽；刻蚀露出Fin结构上端和SDB凹槽的上端一部分；在Fin结构上及SDB凹槽上形成沿横向间隔排列的多个伪栅极及伪栅极的侧墙；在SDB凹槽两侧的相邻两个伪栅极之间的Fin结构上分别形成SiP外延结构和SiGe外延结构；去除除了SDB凹槽上的伪栅极之外的其他所述伪栅极形成凹槽本发明保留SDB的多晶硅，SiP外延层和SiGe外延层压力释放风险被降低；HK金属栅没有填充在SDB凹槽中，因此HKK金属层的压力将不会与外延层压力产生相互作用，器件性能得以提高。
一种 sdb finfet 制造方法

[发明专利]一种先切SDB FinFET的制造方法-CN202111438941.X在审
发明人：李勇 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2021-11-29 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种先切SDB FinFET的制造方法，在基底上形成沿纵向间隔排列的多个Fin结构，Fin结构上形成有SiN层；沉积薄型氧化层；沉积介质层之后退火；研磨露出SiN层上表面；在SiN层上形成SDB光刻胶图形；沿SDB光刻胶图形刻蚀SiN层及Fin结构，形成SDB凹槽；在SDB凹槽的底部形成氮化硅；在SDB凹槽的顶部形成氧化硅；去除SiN层使Fin结构上表面暴露；在Fin结构上及SDB凹槽上形成沿横向间隔排列的多个伪栅极；在SDB凹槽一侧相邻两个伪栅极间的Fin结构上形成SiP外延结构；在SDB凹槽另一侧相邻两个伪栅极间的Fin结构上形成SiGe外延结构；沉积层间介质层覆盖伪栅极；研磨层间介质层至露出伪栅极顶部为止；去除伪栅极
一种 sdb finfet 制造方法

[发明专利]一种长效修复型双层微胶囊-CN201910856494.6有效
发明人：廖益均;吴晓莉;曹剑飞;邱士安;梁昊天;唐海龙 -专利权人：成都工业学院
申请日： 2019-09-11 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： B01J13/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种长效修复型双层微胶囊制备方法，包括以下步骤：（1）制备SDB纳米球：取偶氮类引发剂，加入苯乙烯、二乙烯基苯和阴离子表面活性剂的混合物中，制成水包油皮克林乳液；在氮气保护下，将皮克林乳液加热反应，得到白色固体SDB纳米球；（2）制备SDB/PMMA纳米复合颗粒：取PMMA加入水中，加入SDB纳米球，待PMMA溶胀进入SDB颗粒；加入氧化剂，滴加无机酸，使得PMMA充分聚合反应，得到SDB/PMMA纳米复合颗粒；（3）制备ZIF‑8/PMMA中空微球：SDB/PMMA纳米复合颗粒、2‑甲基咪唑，加入无水甲醇，加入硝酸锌，反应得到ZIF‑8/SDB/PMMA复合粒子；加入有机溶剂中，除去SDB模板，
一种长效修复双层微胶囊

[发明专利]反相器结构-CN202210571053.3在审
发明人：翁文寅 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2022-05-24 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明所提供的反相器结构，包括：POMS DDB和NOMS SDB。本发明采用POMS DDB和NOMS SDB结构代替现有技术NMOS和PMOS均为DDB或NMOS和POMS均为SDB，并采用SiN作为NOMS SDB采用拉应力材料。相对现有技术NMOS和PMOS均为DDB或NMOS和POMS均为SDB，采用氧化层作为拉应力材料的技术方案，本发明所提供反相器结构Speed vs.IDDQperformance均得到了优化。
反相器结构

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202011068749.1在审
发明人：徐娟;任飞;肖芳元 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2020-10-09 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本申请提供半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：半导体衬底，所述半导体衬底上形成有鳍片，所述鳍片的部分顶面和侧壁形成有金属栅极；SDB隔离结构，位于相邻的金属栅极所在的鳍片之间，用于隔离相邻的金属栅极所在的鳍片本申请所述的半导体结构及其形成方法，以第一掩膜层作为掩膜刻蚀形成第一沟槽，在所述第一沟槽中形成SDB隔离结构，可以提高SDB隔离结构的位置精度，减少SDB隔离结构侧壁的残渣，从而提高SDB隔离结构的质量
半导体结构及其形成方法

[发明专利]利用导热管的SDB冷却装置-CN200410067448.1无效
发明人：俞世浚 -专利权人：南京LG同创彩色显示系统有限责任公司
申请日： 2004-10-25 - 公布日： 2006-05-03 - 主分类号： H05K7/20 文献下载
摘要：本发明是利用整合为一个的SDB(Sustain DriverBoard)导热管(Heat pipe)，来减少发热量的整合SDB冷却装置相关的一项发明。为达到上述目的，本发明的整合SDB冷却装置包含以下装置：PDP板(panel)上形成的统合SDB上表面附着的导热槽；与所述导热槽(sink)设有一定间隔的分离导热槽(sink)；为使导热槽(sink)与分离导热槽进行热传导而设置的导热管
利用导热 sdb 冷却装置

[发明专利]耐寒短杆菌SDB5及其在促进植物生长中的应用-CN202110805125.1有效
发明人：王建武;相微微;王宏梅;王翰霖;王斌;陈花;严加坤;王永利;尚爱军;王富刚;王一昭 -专利权人：榆林市中泰农业科技有限公司;榆林学院
申请日： 2021-07-16 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： C12N1/20 文献下载
摘要：本发明涉及耐寒短杆菌SDB5及其在促进植物生长中的应用，属于微生物应用技术领域。耐寒短杆菌SDB5保藏于中国微生物菌种保藏管理委员会普通微生物中心，保藏编号：CGMCC No.20136，保藏日期：2020年6月24日，分类学名称：Brevibacterium frigoritoleransSDB5。本发明涉及的根部内生细菌耐寒短杆菌SDB5从陕北抗逆性非常强的天然沙地柏根部中成功分离获得，具有耐盐碱且促进植物生长的作用。耐寒短杆菌SDB5耐盐碱性能高且能够显著促进植物生长，使植物根系发达，新生侧根明显增多，并且具有解钾作用，从而为微生物法改良盐碱地且促进植物生长和提高土壤速效钾技术奠定了基础。
耐寒杆菌 sdb5 及其促进植物生长中的应用

[发明专利]玫瑰色考克氏菌SDB9和耐寒短杆菌SDB5在调控马铃薯中的应用-CN202210148562.5有效
发明人：王建武;相微微;王宏梅 -专利权人：榆林市中泰农业科技有限公司
申请日： 2022-02-17 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： A01N63/20 文献下载
摘要：本发明涉及玫瑰色考克氏菌SDB9和耐寒短杆菌SDB5在调控马铃薯中的应用，属于微生物应用技术领域。玫瑰色考克氏菌SDB9和耐寒短杆菌SDB5单独使用或组合使用，对马铃薯块茎发育和营养品质产生不同的影响，能调控马铃薯块茎发育、改善马铃薯营养品质、提高商品薯率，单株块茎数随不同的使用方式而有变化。
玫瑰色考克氏菌 sdb9 耐寒杆菌 sdb5 调控马铃薯中的应用

[发明专利]采用SDB信令来改善到移动台的数据传输的方法和设备-CN200580028918.6无效
发明人：托马斯·B·阿特;罗纳德·T·克罗克;约翰·M·哈里斯;张旦 -专利权人：摩托罗拉公司
申请日： 2005-08-12 - 公布日： 2007-08-01 - 主分类号： H04B7/216 文献下载
摘要：各种实施例被描述来处理用于改善到移动台的SDB数据传输的需要。一般来说，MS(101)将确定它是否期望接收适合于通过SDB传输的数据。如果期望，那么MS通过与RAN(例如，RAN－元件BS121)、PCF(131)和PDSN(141)的消息收发建立业务实例和业务流样板(TFT)，用来对通过SDB被传输到MS的数据进行分离。PCF和PDSN建立与该业务实例相关的通道，该业务实例将被用来和TFT相关，该TFT传递将要通过SDB被传输到MS的数据。
采用 sdb 信令来改善移动数据传输方法设备

[发明专利]一种数字集群系统终端及其GPS定位信息的上报方法-CN201110164409.3在审
发明人：黄玉维 -专利权人：中兴通讯股份有限公司
申请日： 2011-06-17 - 公布日： 2012-12-19 - 主分类号： H04W4/02 文献下载
摘要：所述方法包括：终端在通过系统侧发送的SDB信令中获取的定位信息回报请求中的回报策略指示的时间点，将自身的GPS定位信息构建到SDB信令内向系统侧上报；所述终端包括用于接收系统侧发送的SDB信令并保存其携带的回报策略相关参数的接收模块，用于在回报策略指示的时间点收集自身的GPS定位信息的GPS模块，以及将收集到的GPS定位信息构建到SDB信令内，通过SDB信令的方式向系统侧发送定位响应消息的上报模块。
一种数字集群系统终端及其 gps 定位信息上报方法

[发明专利]一种小流量无线数据传输的方法和基站系统-CN200910252059.9有效
发明人：徐维江;韩桂鲁;杨宝国 -专利权人：中兴通讯股份有限公司
申请日： 2009-12-04 - 公布日： 2011-06-08 - 主分类号： H04W68/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种小流量无线数据传输方法，应用于控制信道短数据突发(SDB)模式的数据业务，包括：在述数据业务开始后，核心网、基站系统(BS)和终端先进行一次控制信道SDB被叫流程和主叫流程，且BS在收到终端发送的SDB起呼的消息后，存储该消息中携带的终端当前的接入小区信息；在所述数据业务之后进行的控制信道SDB被叫流程和主叫流程中，BS在本地存储有所述接入小区信息时，直接根据所述接入小区信息确定对所述终端的寻呼范围，在收到所述终端发送的SDB起呼的消息后，更新存储的所述终端当前的接入小区信息。
一种流量无线数据传输方法基站系统

[发明专利]玫瑰色考克氏菌SDB9及其制备方法和应用-CN201911272326.9有效
发明人：王建武;王永利;相微微;尚爱军;严加坤;陈花;张长现;艾银婷;李刚;冯光惠 -专利权人：榆林市中泰农业科技有限公司;榆林学院
申请日： 2019-12-11 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： C12N1/20 文献下载
摘要：本发明涉及玫瑰色考克氏菌SDB9及其制备方法和在促进植物生长中的应用，属于微生物应用技术领域。玫瑰色考克氏菌SDB9保藏于中国微生物菌种保藏管理委员会普通微生物中心，保藏编号：CGMCC No.17922，保藏日期：2019年6月12日，分类学名称：Kocuria rosea strain SDB9本发明通过从陕北抗逆性非常强的天然沙地柏根部中成功分离获得耐盐碱且具有促进植物生长作用的根部内生细菌：玫瑰色考克氏菌SDB9。玫瑰色考克氏菌SDB9耐盐碱性能高且能够显著促进植物生长，使植物根系发达，新生侧根明显增多，并且具有解钾作用，从而为微生物法改良盐碱地且促进植物生长和提高土壤速效钾技术奠定了基础。
玫瑰色考克氏菌 sdb9 及其制备方法应用

[发明专利]引入较低蚀刻速率的材料以形成T形SDBSTI结构-CN201710177358.5在审
发明人：彭建伟;吴旭升 -专利权人：格罗方德半导体公司
申请日： 2017-03-23 - 公布日： 2017-12-08 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明涉及引入较低蚀刻速率的材料以形成T形SDB STI结构，其提供一种在形成t形单扩散中断的浅沟槽隔离(SDB STI)结构期间引入具有较低蚀刻速率的单扩散中断(SDB)材料的方法。区域及该硅衬底上方形成硬掩膜；穿过该STI区域上方的该硬掩膜形成腔体，该腔体具有大于该STI区域的宽度的宽度；在该腔体中沉积具有低于高密度等离子体(HDP)氧化物的蚀刻速率的单扩散中断材料，以形成t形SDB
引入蚀刻速率材料形成 sdbsti 结构

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
下一页»
尾页
共 178 条