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[发明专利]半导体版图和半导体版图的布局方法-CN201910980989.X在审
发明人：李彦正 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2019-10-16 - 公布日： 2020-02-04 - 主分类号： G06F30/392 文献下载
摘要：所述半导体版图包括：预定区域和填充区域；所述预定区域包括有源层，和/或，栅层；所述填充区域包括至少一个填充图形，所述填充图形包括填充有源层和填充栅层，所述填充图形的式样是根据所述预定区域的有源层和栅层的图形密度生成得到的所述半导体版图的布局方法包括：获取预定区域的有源层和栅层的图形密度；根据所述预定区域的有源层和栅层的图形密度生成填充图形；在所述预定区域中的填充区域填充所述填充图形，生成所述半导体版图。本申请通过将填充图形整体填充在所述填充区域中，避免在填充图形过程中有源层和栅层之间的关系协调匹配的问题。
填充预定区域源层栅层半导体版图半导体制造技术关系协调区域填充图形过程整体填充匹配申请式样

[发明专利]固体电解电容器-CN201410725838.7有效
发明人：荒木健二;向野节;三原崇史;斋木义彦 -专利权人：株式会社东金;凯米特电子公司
申请日： 2014-12-03 - 公布日： 2018-10-26 - 主分类号： H01G9/14 文献下载
摘要：电容器元件具有预定表面和预定表面以外的外围表面。电容器元件包括阳极主体、阳极导线和阴极层。预定表面垂直于预定方向。阳极导线从阳极主体沿着预定方向延伸穿过预定表面。阴极层包括固体电解质层并且形成预定表面的一部分和外围表面。镀层完全地覆盖预定表面的所述部分和外围表面。
固体电解电容器

[发明专利]激光加工装置-CN201710130972.6有效
发明人：前田勉 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2017-03-07 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： B23K26/53 文献下载
摘要：提供一种激光加工装置，能够对改质层的起点和终点的位置进行高精度地设定。激光加工装置的控制器包含：存储部，其对沿着晶片的分割预定线形成改质层的加工条件进行存储；以及加工预定线计算部，其将作为加工条件而存储的形成改质层的预定的位置作为加工预定线而显示在显示面板上。加工预定线计算部具有输出部，该输出部在第1分割预定线的起点或终点与第2分割预定线相连的区域使加工预定线与第1分割预定线重叠而显示在显示面板上。该激光加工装置中，允许在显示面板上将沿着第1分割预定线形成的第1改质层的起点或终点的位置进行重新设定，以使得不与沿着第2分割预定线形成的第2改质层干涉。
激光加工装置

[发明专利]OLED显示面板、及其像素电路基板和加工方法-CN202111314222.7在审
发明人：王旭;李子华;张瑞卿;王强;王旭东;金文强;徐国芳;景国栋;郭强;蔡璐;徐东;李春波;刘乐 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司
申请日： 2021-11-08 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：本公开实施例提供了一种OLED显示面板、及其像素电路基板和加工方法，像素电路基板至少包括：多个像素结构，相邻像素结构的阳极区域通过预定分割区域分割，预定分割区域内的预定位置设置有凸起结构，预定位置的宽度小于或等于阳极层的刻蚀区域的宽度，预定位置的长度大于或等于阳极层的刻蚀区域的长度。本公开实施例的将原有预定分割区域内设置了一个凸起结构，在设置阳极层和PR胶层时，原有处于平面的阳极层和PR胶层被凸起结构支撑起，原有PR胶层的厚度被凸起结构占据一部分，导致预定分割区域内的PR胶层变薄，因此在进行曝光显影时，能够将PR胶完全洗掉，进而在刻蚀阳极层时，阳极层能够被完全刻蚀掉，不会再出现阳极残留问题。
oled 显示面板及其像素路基加工方法

[发明专利]将光能施加至纳米颗粒以制备特定纳米结构-CN201080032626.0无效
发明人： Z·雅尼弗;江南;J·P·诺瓦克;R·L·芬克 -专利权人：应用纳米技术公司
申请日： 2010-07-15 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： B05D3/00 文献下载
摘要：本发明的制品可通过在预定条件下将光能施加至一个或多个纳米颗粒材料层以制备纳米结构而制成。所述纳米结构包括具有预定孔密度、预定孔径或二者的光学熔融纳米颗粒层。用于施加光能的预定条件包括预定电压、预定持续时间、预定功率密度或其组合。
光能施加纳米颗粒制备特定结构

[发明专利]高迁移率透明导电氧化物薄膜的制备方法-CN201711401571.6在审
发明人：何永才;崔鸽;郁操 -专利权人：君泰创新（北京）科技有限公司
申请日： 2017-12-21 - 公布日： 2018-06-01 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种高迁移率透明导电氧化物薄膜的制备方法，包括：根据第一预定功率和第一预定压力，设置靶功率密度以及工艺气压；在衬底上以预定生长速度生长出第一预定膜厚的薄膜基础层；使工艺气体的等离子体，按预定时间轰击所述薄膜基础层，诱导所述薄膜基础层再结晶，使所述薄膜基础层沿指定晶面生长出籽晶层；将靶功率密度降低至第二预定功率，并根据第二预定压力设置工艺气压，以诱导所述籽晶层沿指定晶面生长为第二预定膜厚的透明导电氧化物薄膜；获得高迁移率透明导电氧化物薄膜
透明导电氧化物薄膜薄膜基础高迁移率生长工艺气压预定功率预定压力籽晶层晶面膜厚制备诱导等离子体有效降低能耗工艺气体密度降低综合性能再结晶衬底轰击节约

[发明专利]版图图形的填充方法-CN201910986336.2有效
发明人：赵文文;张逸中;于是瑞 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2019-10-17 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： G06F30/392 文献下载
摘要：本申请公开了一种版图图形的填充方法，包括：提供包括辅助有源层、冗余有源层、辅助栅层以及冗余栅层的设计版图；选取线宽在第一预定线宽范围内的辅助有源层以及线宽在第二预定线宽范围内的冗余有源层；对于线宽在第一预定线宽范围内的辅助有源层，在小于第一预定线宽的辅助有源层上添加辅助硅锗层，在至少一个大于所述第一预定线宽的辅助有源层上添加辅助硅锗层；对于线宽在第二预定线宽范围内的冗余有源层，根据冗余有源层周围的图形确定需要添加的冗余硅锗层的样式进行添加
版图图形填充方法

[发明专利]显示装置封胶区域图案及其形成方法-CN200510084854.3有效
发明人：江怡禛;黄国有 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2005-07-19 - 公布日： 2006-01-11 - 主分类号： G02F1/136 文献下载
摘要：接着，形成一预定的材料层于该第一基板上。之后，形成一有机材料图案层于该预定的材料层上，其具有一锯齿状图案的开口而露出该预定的材料层，且位于该锯齿状图案的开口处的该有机材料图案层的侧壁与该预定的材料层表面之间，形成一预定角度的夹角。然后，将预定的封胶放置于第二基板上锯齿状开口相对位置或将预定的封胶于该锯齿状开口内，压合该第一基板与该第二基板，以使第一基板附着于该第二基板。
显示装置区域图案及其形成方法

[发明专利]信息记录介质、信息记录装置和方法、信息重放装置和方法、以及计算机程序-CN200680031940.0有效
发明人：加藤正浩;钟江彻;大森久圣;米龙大;三浦雅浩;川野英作 -专利权人：日本先锋公司
申请日： 2006-08-30 - 公布日： 2008-08-27 - 主分类号： G11B7/007 文献下载
摘要：一种信息记录介质(100)包括：第一记录层(L0层)，可将包括有预定数据的记录信息记录在该第一记录层中，该预定数据(i)可将记录层设置为接近物理上的或光学上的已记录状态并且(ii)可将记录层设置为接近进行最终化的缓冲状态；第二记录层(L1层)，可将记录信息记录在该第二记录层中；以及可记录管理信息(50a)的管理区(RMA)，该管理信息包括：(iii)用于表示是否存在可记录预定数据的预定数据记录区(DDA)的标识信息、(iv)与预定数据记录区的位置有关的位置信息、以及(v)与预定数据记录区的属性有关的属性信息。
信息记录介质装置方法重放以及计算机程序

[发明专利]车辆预定系统和车辆预定方法-CN201210538771.7有效
发明人：田睿;张弛;吴振宇 -专利权人：深圳中兴网信科技有限公司
申请日： 2012-12-13 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： H04L29/08 文献下载
摘要：本发明提供了一种车辆预定系统，包括：服务器、至少一个用户终端和至少一个车辆终端，服务器实时接收用户位置信息和车辆位置信息，将车辆位置信息传输至用户终端，并将用户终端对目标车辆终端的预定请求传输至目标车辆终端，和/或将用户位置信息传输至车辆终端，并将车辆终端对目标用户终端的锁定请求传输至目标用户终端，并判断目标车辆终端是否接受预定请求，和/或判断目标用户终端是否接受锁定请求，若接受，则在用户终端与车辆终端之间建立关联关系本发明还提出了一种车辆预定方法。通过本发明的技术方案，能够减少车辆预定过程中用户和车辆司机之间的沟通，并且允许车辆司机主动查找用户，为用户服务，从而有效地提高预定车辆的效率。
车辆预定系统方法

[发明专利]晶片的加工方法-CN202110306965.3在审
发明人：谭思博 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2021-03-23 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01L21/268 文献下载
摘要：该方法包含如下工序：保护部件配设工序，将保护部件(14)配设于晶片的正面(2a)；环状改质层形成工序，沿着外周剩余区域形成第一环状改质层(24)和第二环状改质层(26)；分割预定线改质层形成工序，沿着分割预定线形成分割预定线改质层(28)；和分割工序，对晶片的背面(2b)进行磨削而将晶片形成为规定的厚度，通过从分割预定线改质层沿分割预定线延伸的裂纹(28′)将晶片分割成各个器件芯片。在分割预定线改质层形成工序中，按照分割预定线改质层的始点(28a)和终点(28b)位于第一、第二环状改质层之间的方式定位激光光线的聚光点。
晶片加工方法

[发明专利]絮里及其制作方法-CN201010172989.6无效
发明人：黄金山 -专利权人：黄金山
申请日： 2010-05-14 - 公布日： 2011-11-16 - 主分类号： D04H1/70 文献下载
摘要：该方法用于把纤维材料制作成被子和冬衣的絮里，包括步骤：纤维材料经过制条工程，其中的末道工序不经过集束器，制成纤维朝同一方向顺直的纤维片；利用制成的纤维片拼铺成预定大小和形状的层作为当前层，该当前层中的纤维沿预定方向顺直；利用制成的纤维片在当前层上叠加下一层以形成复合层，该下一层中的纤维沿预定方向顺直，并且当前层和下一层这两层的纤维方向彼此成预定角度布置；当所述复合层达到预定的厚度则方法过程结束，否则把所述下一层作为当前层并继续上述的叠加处理
及其制作方法

[发明专利]薄膜太阳能电池的光吸收层的制备方法-CN201911290658.X有效
发明人：高传增;王顺;冯叶;李伟民;李文杰;杨春雷 -专利权人：深圳先进技术研究院
申请日： 2019-12-13 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜太阳能电池的光吸收层的制备方法，包括：制备铜铟镓预制层；在铜铟镓预制层上制备硒薄膜层，硒与铜镓之和的摩尔比大于1；将铜铟镓预制层置于退火炉中加热至第一预定温度后恒温第一预定时间；将铜铟镓预制层从第一预定温度加热至第二预定温度后恒温第二预定时间，以使预制层硒化；通过设置在退火炉中的喷淋装置通入硫化氢气体，以使得退火炉中的过量的硒蒸气被排出而保存有硫化氢气体；将铜铟镓预制层保持在第二预定温度保温第三预定时间实现硫化，制备获得铜铟镓硒硫光吸收层。本发明将铜铟镓预制层的硒化和硫化分步进行，避免硒化的过度和不均匀性，同时也保证了硫化的质量，提高光吸收层的品质。
薄膜太阳能电池光吸收制备方法

[发明专利]线圈线的覆膜层除去方法-CN201910911433.5有效
发明人：白井谦;平尾泰之;松本雅志;武田洋明;丸山亮祐 -专利权人：丰田自动车株式会社;株式会社电装
申请日： 2019-09-25 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： H02G1/12 文献下载
摘要：本公开提供一种线圈线的覆膜层除去方法，包括：分割工序，除去将绝缘覆膜层(20)的除去预定部(22)与残留预定部(21)分开的绝缘覆膜层(20)的线状区域(24)；激光照射工序，通过将会透过绝缘覆膜层(20)但被线圈线(10)吸收的激光(41)从除去预定部(22)的外表面侧朝向线圈线(10)的与绝缘覆膜层(20)的分界照射，利用线圈线(10)的发热来使除去预定部(22)的绝缘覆膜层(20)与线圈线(10)的分界部分碳化；以及覆膜翻起工序，通过向除去预定部(22)吹喷风而将除去预定部(22)翻起并吹掉。
线圈覆膜层除去方法

[发明专利]柔性电极及其制备方法-CN202010036229.6在审
发明人：冯雪;祁一洲;叶柳顺 -专利权人：浙江清华柔性电子技术研究院;清华大学
申请日： 2020-01-14 - 公布日： 2020-05-12 - 主分类号： H01B13/00 文献下载
摘要：其中，制备柔性电极的方法包括：提供基底，在基底表面依次形成导电层和基线层；刻蚀除去基底；利用柔性基底将产品从刻蚀液中取出，并使基线层置于柔性基底表面；在导电层远离基线层的至少部分表面形成光刻牺牲层，并在光刻牺牲层上设置具有预定图案的光刻胶掩膜版；刻蚀预定图案区域外的光刻牺牲层，以便得到具有预定图案的光刻牺牲层；刻蚀除去未被具有预定图案的光刻牺牲层覆盖部分的导电层和基线层后，除去具有预定图案的光刻牺牲层，得到柔性电极。该方法可同时刻蚀柔性电极中的导电层和基线层双层结构，一次性形成图形化的二维材料导电层和基线层，从而可以有效简化制备工艺、提升制备效率。
柔性电极及其制备方法