专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]测量装置及测量方法-CN202210094855.X在审
  • 郑瑜环 - 长江存储科技有限责任公司
  • 2022-01-26 - 2022-05-13 - G01N23/2273
  • 测量装置包括:光源模块,用于产生预定光线;定位模块,用于将待测半导体结构定位至所述预定光线的路径上,所述预定光线从所述待测半导体结构的背面投射至所述待测半导体结构的预定;检测模块,用于收集所述预定光线投射至所述预定后产生的反应信号;以及分析模块,用于基于所述检测模块所收集的反应信号确定所述预定中的待检信息。
  • 测量装置测量方法
  • [发明专利]半导体结构及其制作方法-CN202080102500.X在审
  • 程凯;刘撰 - 苏州晶湛半导体有限公司
  • 2020-07-16 - 2023-04-04 - H01L33/00
  • 本申请提供了一种半导体结构及其制作方法,半导体结构的制作方法中:对于自下而上依次分布的衬底、第一导电类型的半导体、发光与第二导电类型的半导体,去除第一预定区域的第二导电类型的半导体、发光与第一导电类型的半导体形成凹槽,保留第二、第三预定区域的第二导电类型的半导体、发光与第一导电类型的半导体,第二预定区域保留的各层形成阵列式排布的发光单元,第三预定区域保留的各层形成连接相邻发光单元的连接柱;在行与列方向上,第三预定区域的宽度都小于第二预定区域的宽度如此,对于镂空的第一导电类型的半导体、发光与第二导电类型的半导体,可自凹槽湿法腐蚀去除衬底,大批量形成多个小尺寸LED结构。
  • 半导体结构及其制作方法
  • [发明专利]一种药罐器-CN201610150743.6有效
  • 董硕 - 董硕
  • 2016-03-16 - 2017-09-22 - A61M1/08
  • 本发明涉及一种药罐器,包括由上到下依次设置的煎煮药液、冷却、恒温加压和药罐,煎煮药液中设置有电磁加热装置;冷却中设置有冷却装置,在煎煮药液中加热煎煮的药液进入冷却中被冷却到预定的温度;恒温加压中设置有恒温装置,在冷却中被冷却到预定的温度的药液进入恒温加压中通过恒温装置保持恒定的温度;恒温加压中还设置有加压装置,用于将恒温加压中的药液加压到预定的压力;恒温加压的底部设置有喷射口,当药液达到预定的温度和预定的压力时,通过喷射口自动将药液喷射到药罐中;药罐用于放置药罐。
  • 一种药罐
  • [实用新型]一种药罐器-CN201620204254.X有效
  • 董硕 - 董硕
  • 2016-03-16 - 2016-08-31 - A61M1/08
  • 本实用新型涉及一种药罐器,包括由上到下依次设置的煎煮药液、冷却、恒温加压和药罐,煎煮药液中设置有电磁加热装置;冷却中设置有冷却装置,在煎煮药液中加热煎煮的药液进入冷却中被冷却到预定的温度;恒温加压中设置有恒温装置,在冷却中被冷却到预定的温度的药液进入恒温加压中通过恒温装置保持恒定的温度;恒温加压中还设置有加压装置,用于将恒温加压中的药液加压到预定的压力;恒温加压的底部设置有喷射口,当药液达到预定的温度和预定的压力时,通过喷射口自动将药液喷射到药罐中;药罐用于放置药罐。
  • 一种药罐
  • [发明专利]基板切割方法及装置-CN202110614202.5在审
  • 李柱辉 - 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
  • 2021-06-02 - 2021-09-24 - H01L21/78
  • 本发明提供一种基板切割方法及装置,所述基板包括一刚性板材及在所述刚性板材上的一柔性聚酰亚胺板,所述基板切割方法包括:配置激光沿预定形迹切割所述柔性聚酰亚胺板,使所述柔性聚酰亚胺板沿所述预定形迹被分离;及配置刀具沿所述预定形迹切割所述刚性板材,使所述刚性板材沿所述预定形迹被分离。从而,在所述柔性聚酰亚胺板中沿所述预定形迹形成截面熔融粘结构造,有效解决现有技术以刀轮切割聚酰亚胺材导致水汽渗入间界面所衍生的问题。
  • 切割方法装置
  • [发明专利]一种用于超导磁体的小弯曲半径低损耗柔性支撑超导电缆-CN202110076759.8在审
  • 金环;秦经刚;周超;李建刚 - 中国科学院合肥物质科学研究院
  • 2021-01-20 - 2021-06-04 - H01B12/06
  • 本发明提出一种用于超导磁体的小弯曲半径低损耗柔性支撑超导电缆,由内至外依次包括中心冷却管、电缆稳定,超导以及电缆保护;中心冷却管为螺旋管,螺旋管的管线外表面设置为具有第一预定宽度的平整的表面;在所述螺旋管平整的外表面以第一预定的小角度绕制有导电带材组成的电缆稳定,电缆稳定的带材之间轴向上留有预定间隙;在电缆稳定上绕制有超导,超导的带材之间轴向上也留有预定间隙;且螺旋管外表面管线之间留有第二预定宽度的缝隙,且缝隙值小于稳定所采用的带材宽度;通过缝隙以及电缆稳定、超导预定间隙,使得冷却介质在超导电缆的超导和稳定之间进行流通,以使得冷却介质能够直接接触到超导和电缆稳定
  • 一种用于超导磁体弯曲半径损耗柔性支撑电缆
  • [发明专利]半导体器件的制作方法与半导体器件-CN202210018465.4在审
  • 吴双双;张坤;吴林春 - 长江存储科技有限责任公司
  • 2022-01-07 - 2022-04-12 - H01L27/1157
  • 该方法包括:形成包括衬底结构和堆叠结构的基底结构,堆叠结构包括间隔设置的多个绝缘介质和栅极线狭缝;对相邻的两个绝缘介质之间的间隔填充预定金属,在任意两个相邻的绝缘介质之间形成一个第一金属,第一金属为字线,在栅极线狭缝的表面上形成第二金属;对填充预定金属后的第二金属进行预定离子的注入;去除第二金属。该方法中,对填充预定金属后的第二金属注入预定离子,预定离子会在金属中引入空位型缺陷,从而使得栅极线狭缝中的第二金属更容易被完整去除,进而解决了现有技术中栅极线中的填充材料不能完全去除,导致漏电发生的问题
  • 半导体器件制作方法
  • [发明专利]晶片的加工方法-CN201510358142.X有效
  • 中村胜 - 株式会社迪思科
  • 2015-06-25 - 2019-09-17 - H01L21/301
  • 本发明提供晶片的加工方法,能够沿划分器件的分割预定线可靠地分割在基板的正面层叠有低介电常数绝缘体覆盖膜(Low‑k膜)等功能的晶片。晶片的层叠在基板的正面上的功能被形成为格子状的多条分割预定线划分,在通过该多条分割预定线而划分的多个区域中形成有器件,该晶片的加工方法包含:激光加工槽形成工序,对分割预定线沿着宽度方向中央的两侧照射对于功能具有吸收性的波长的激光光线而形成至少2条激光加工槽从而沿着分割预定线割断功能;以及改质形成工序,从晶片的背面侧沿着分割预定线照射对于基板具有透过性的波长的激光光线,在基板的内部沿着分割预定线形成作为断裂起点的改质
  • 晶片加工方法
  • [发明专利]控制方法和控制系统-CN201711113217.3有效
  • 任军;宿秀元;侯金川;邱锡宏;江明 - 北京全路通信信号研究设计院集团有限公司
  • 2017-11-13 - 2020-05-22 - G05B23/02
  • 本发明公开了一种控制方法,包括:以预定周期由第一设备和第二设备分别接收数据;由第一设备和第二设备分别对各自接收到的数据进行通信校验;第一设备将通过其所进行的通信校验的数据中的第一预定数据包存入同步交换单元,并且第二设备将通过其所进行的通信校验的数据中的第二预定数据包存入同步交换单元;由第一设备选择第一预定数据包和第二预定数据包两者中满足预定条件的数据包,并且由第二设备选择第二预定数据包和第一预定数据包两者中满足预定条件的数据包;第一设备和第二设备分别对各自所选择的满足预定条件的数据包进行应用校验;第一设备和第二设备分别对各自通过应用校验的数据包进行解析。
  • 控制方法控制系统

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