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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]用于RGB LED的选择性光学滤波器-CN202180055241.4在审
发明人：萨米尔·迈祖阿里 -专利权人：普列斯半导体有限公司
申请日： 2021-09-03 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L33/60 文献下载
摘要：一种形成发光结构的方法，该发光结构包括：发光层，该发光层被配置用于发出具有主峰值波长的光；部分反射层；反射层；以及颜色转换层，其中，该发光层至少部分定位于该部分反射层与该反射层之间，并且该颜色转换层至少部分定位于该发光层与该部分反射层之间，其中，该部分反射层被配置用于反射波长在预定波长范围内的光，并透射波长在该预定波长范围外的光，并且其中，该主峰值波长在该预定波长范围内。
用于 rgb led 选择性光学滤波器

[发明专利]存储单元的制备方法及其存储单元-CN201811360648.4有效
发明人：郭猛 -专利权人：安徽省华腾农业科技有限公司
申请日： 2018-11-15 - 公布日： 2020-07-21 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：公开了一种存储单元的制备方法及其存储单元，方法包括提供基底，基底在预定压力下外延多个间隔排列的鳍片层，沿着鳍片层的排列方向在基底上交替地层叠氮化硅层和锗化硅层，且最上方的氮化硅层形成绝缘层，沿着鳍片层的排列方向在绝缘层、氮化硅层、锗化硅层和基底中形成第一槽道，在第一槽道侧壁上外延形成锗化硅隔层，在锗化硅隔层之间电化学镀膜形成金属层，湿法刻蚀去除锗化硅隔层以形成气隙，第二槽道侧壁上形成存储层，去除所述锗化硅层且经由导电材料填充形成预定导电图像层，在鳍片层上方的绝缘层、氮化硅层与预定导电图像层上打孔形成连接所述预定导电图案层的端子孔，金属端子形成于所述端子孔中。
存储单元制备方法及其

[发明专利]一种数据传输处理方法和系统-CN201010273071.0有效
发明人：刘宇 -专利权人：北京天碁科技有限公司
申请日： 2010-09-03 - 公布日： 2011-01-12 - 主分类号： H04W28/16 文献下载
摘要：本发明提供一种数据传输处理方法和系统，用以解决现有技术RLC层和MAC层的数据传输效率较低的问题。上述方法包括：在传输时间间隔里，获取介质访问控制MAC层传输格式、无线链路控制RLC层上预定逻辑信道的缓存数据的大小信息和预置传输格式，其中，所述预定逻辑信道为映射到增强专用信道上的、有缓存数据的逻辑信道；根据所述MAC层传输格式、RLC层上预定逻辑信道的缓存数据的大小信息和预置传输格式，确定所述预定逻辑信道的优选传输格式，所述优选传输格式为能使MAC层传输块容纳数据最多的传输格式。该技术方案提高了RLC层和MAC层的数据传输效率。
一种数据传输处理方法系统

[发明专利]制造结合晶片的方法-CN200710126228.5无效
发明人：森本信之;西畑秀树 -专利权人：株式会社SUMCO
申请日： 2007-06-26 - 公布日： 2008-01-02 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：通过以下步骤制造结合晶片：向有源层晶片中注入轻元素的离子至预定深度位置形成离子注入层，将该有源层晶片直接或通过不超过50nm的绝缘膜与支撑衬底晶片结合，在离子注入层处剥离有源层晶片并减薄通过剥离暴露的有源层，从而形成具有预定厚度的有源层，其中减薄前有源层的厚度不大于750nm，结合前有源层晶片的强度试验中滑移位错的延伸在预定厚度下不大于100μm。
制造结合晶片方法

[发明专利]用于蒸发的掩模，包括该掩模的掩模框架组件，及其制造方法-CN03145465.8有效
发明人：姜敞晧;金兑承 -专利权人：三星日本电气移动显示株式会社
申请日： 2003-05-31 - 公布日： 2004-02-04 - 主分类号： G03F1/08 文献下载
摘要：掩模包括有一层预定图形的金属层，和为提高预定图形精度和掩模表面粗糙度形成在金属层表面上的一层涂层。
用于蒸发包括框架组件及其制造方法

[发明专利]单石化流体喷射装置及其制作方法-CN200510072669.2无效
发明人：胡宏盛;陈苇霖;徐德荣 -专利权人：明基电通股份有限公司
申请日： 2005-05-16 - 公布日： 2006-11-22 - 主分类号： B41J2/14 文献下载
摘要：形成保护层覆盖信号传送线及加热单元。形成电镀起始层覆盖第一表面。形成图案化的第一光致抗蚀剂层于电镀起始层上，以定义出牺牲层预定区。形成牺牲层于牺牲层预定区内，移除第一光致抗蚀剂层。形成图案化的第二光致抗蚀剂层于牺牲层及电镀起始层上，以定义出结构层预定区。形成结构层于结构层预定区内。移除第二光致抗蚀剂层，以同时形成喷孔贯穿该结构层。由第二表面侧形成一流体通道以贯穿该基底，并露出牺牲层，以及移除牺牲层以形成与喷孔相连的流体腔。
石化流体喷射装置及其制作方法

[实用新型]合成皮-CN200620131266.0无效
发明人：赵国量 -专利权人：赵国量
申请日： 2006-08-25 - 公布日： 2007-09-19 - 主分类号： B32B5/00 文献下载
摘要：该合成皮包含有：一基材，具有一表面；一图样层，设于基材表面，图样层具有一接面与一具有预定图样的装饰面，接面与基材表面贴合；一透明层，具有一底面与图样层的装饰面贴合，以及一相对底面的顶面，装饰面的预定图样通过透明层显露于外本实用新型通过透明层的设置，可使预定图样显现出独特的质感与价值，并可保护图样层免受外界因素的破坏。
合成

[实用新型]汇流排组件、电池模组及电池包-CN202220184160.6有效
发明人：李祖院;宋海阳;刘学文;陈荣康 -专利权人：蜂巢能源科技股份有限公司
申请日： 2022-01-21 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： H01M50/507 文献下载
摘要：本申请涉及电池技术领域，尤其涉及一种汇流排组件、电池模组及电池包，用于电池模组，电池模组包括第一层电芯组和第二层电芯组，汇流排组件包括第一汇流片和第二汇流片，第一汇流片和第二汇流片均用于连接第一层电芯组和第二层电芯组，第一汇流片沿第一预定方向延伸，第二汇流片沿第二预定方向延伸，第一预定方向与第二预定方向夹角为锐角。根据本申请的汇流排组件、电池模组及电池包，第一汇流片连通第一层电芯组和第二层电芯组中沿第一预定方向对齐的电芯极柱，第二汇流片连通第一层电芯组和第二层电芯组中沿第二预定方向对齐的电芯极柱，实现汇集横向堆叠方式的电池模组的电流的目的
汇流组件电池模组

[发明专利]存储器线路结构以及其半导体线路制作工艺-CN201310659227.2在审
发明人：王子嵩;吴家铭 -专利权人：力晶科技股份有限公司
申请日： 2013-12-06 - 公布日： 2015-05-27 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：本发明公开了一种用以形成特定图形特征的半导体制作工艺，其步骤包含：在基底上形成一目标层以及等间隔排列的内核体、共形地形成一硬掩模层、在硬掩模层上形成第一光致抗蚀剂，其中该第一光致抗蚀剂涵盖一预定区域，该预定区域包含两个以上的该些内核体、进行一第一蚀刻制作工艺去除该预定区域以外部分的硬掩模层，以裸露出部分内核体、去除该些裸露的内核体、在该预定区域内形成一第二光致抗蚀剂，其至少涵盖该预定区域中所有的凹槽、以及进行一第二蚀刻制作工艺图形化该目标层
存储器线路结构及其半导体制作工艺

[发明专利]多晶硅薄膜及其制作方法和应用-CN201810861818.0在审
发明人：吕杨 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2018-08-01 - 公布日： 2018-12-14 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：制作多晶硅薄膜的方法包括：在衬底的一个表面上的第一预定区域的至少一个边上形成籽晶层；在衬底的所述一个表面上形成非晶硅层，非晶硅层覆盖籽晶层和第一预定区域；对非晶硅层的第二预定区域进行区域化激光退火处理，其中，第二预定区域在衬底上的正投影和第一预定区域在衬底上的正投影重叠。
预定区域多晶硅薄膜衬底非晶硅层正投影籽晶层制作载流子迁移率多晶硅生长激光退火缺陷问题量产性区域化晶界应用覆盖

[发明专利]可挠性电子装置-CN201510015056.9在审
发明人：吴政哲;蔡镇竹;蔡家豪 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2015-01-13 - 公布日： 2016-08-10 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本发明公开一种可挠性电子装置，其包括一可挠性面板以及一辅助层。可挠性面板具有多个操作部且每两个操作部之间可设置一预定弯折部。辅助层可配置于可挠性面板表面，且至少位于预定弯折部上，其中可挠性面板的预定弯折部可处于一第一弯折状态时，辅助层接触预定弯折部，辅助层的曲率半径大于预定弯折部的曲率半径，且可挠性电子装置具有一第一压应力区以及一第一张应力区
可挠性电子装置

[发明专利]网格结构的制备方法及投射式电容触摸屏-CN201810161452.6在审
发明人：邵源 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2018-02-26 - 公布日： 2018-06-01 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：本申请公开了一种网格结构的制备方法及投射式电容触摸屏，该网格结构的制备方法，包括：提供基板，在所述基板上形成图案化的可分离层；在所述基板上形成一层预定材料层，所述预定材料层覆盖所述可分离层和所述可分离层之外的基板，其中，所述预定材料层的厚度小于所述可分离层的厚度；去除所述可分离层，以在所述基板上形成预定材料的网格结构，通过该制备方法，能够简化操作，提高网格结构的精细度。
可分离层网格结构基板制备预定材料层投射式电容触摸屏预定材料精细度图案化去除覆盖申请

[发明专利]有源元件阵列母基板-CN200810086856.X有效
发明人：吕俊葟;邱怡婷;曾秀枝;黄俊颖;陈孝生 -专利权人：中华映管股份有限公司
申请日： 2008-03-17 - 公布日： 2009-09-23 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明公开一种有源元件阵列母基板，包括一基板、多组有源元件阵列、多个共用汇流导线、至少一第一透明导电图案层与至少一第二透明导电图案层。基板具有多个预定区，且有源元件阵列分别配置于预定区内。共用汇流导线分别配置于预定区内以围绕有源元件阵列。另外，第一透明导电图案层耦接或耦合于两相邻的共用汇流导线之间。本发明的第二透明导电图案层延伸至相邻预定区内，以耦接或耦合相邻的共用汇流导线。
有源元件阵列母基板

[发明专利]栅电介质层形成过程中使用的温度控制系统及方法-CN200810042462.4无效
发明人：周波;陈嵩;张卫民;施训志 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2008-09-03 - 公布日： 2010-03-10 - 主分类号： G05D23/19 文献下载
摘要：本发明提供了栅电介质层形成过程中使用的温度控制系统及方法，以提高形成栅电介质层的成功率。该系统包括：温度保持单元，用于将温度保持在预定值，所述温度能够影响形成的栅电介质层的性质；当前温度获得单元，用于在栅电介质层形成过程中，获得当前温度；判断单元，用于判断该当前温度是否处于预定范围内；以及控制单元，用于在未处于预定范围内的情况下，控制温度保持单元，使温度处于该预定范围内。
电介质形成过程使用温度控制系统方法

[发明专利]抗御冲击的紧凑型电缆-CN03815261.4有效
发明人：瑟奇奥·贝利;法布里奇奥·多纳兹;埃博托·巴尔吉;西泽·比斯勒瑞;卡洛·玛林 -专利权人：皮雷利&C·有限公司
申请日： 2003-06-05 - 公布日： 2005-09-07 - 主分类号： H01B7/18 文献下载
摘要：本发明涉及在预定电压等级下使用的电缆，所述电缆包含有：导体；围绕所述导体的绝缘层，所述绝缘层的厚度选择成当电缆工作于所述预定电压等级中包含的标称电压上时，绝缘层能提供出预定的电场应力；包围所述绝缘层的保护单元，其厚度和机械性能选择成能给出预定的冲击抗御能力，又，所述保护单元包含有至少一个膨化型聚合物层。绝缘层厚度和保护单元厚度选择成它们组合一起能在受到50J能量的冲击后防止出现可检测到的绝缘层损伤的同时，又使电缆的总重量最小。本发明还涉及一种设计电缆的方法。
抗御冲击紧凑型电缆

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