专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]异质结太阳能电池及其制备方法-CN201910566732.X在审
  • 张皓;龙巍 - 君泰创新(北京)科技有限公司
  • 2019-06-27 - 2020-12-29 - H01L31/0224
  • 本申请涉及一种异质结太阳能电池及其制备方法。该异质结太阳能电池包括:在硅衬底正面依次形成的第一本征钝化层、第一掺杂层、正面透明导电层,以及与正面透明导电层电连接的正面金属电极;在硅衬底背面依次形成的第二本征钝化层、第二掺杂层、背面透明导电层、反射层,以及与背面透明导电层电连接的背面金属电极;其中,所述反射层包括全电介质层和金属层,且与所述背面透明导电层接触的是所述全电介质层;所述全电介质层的折射系数小于所述背面透明导电层的折射系数。该太阳能电池能够将透过电池的长波段光反射回电池进行再利用,提高对长波段入射光的吸收,提高电池的短路电流密度,同时避免测试铜台反射光对电流‑电压测试造成的误差。
  • 异质结太阳能电池及其制备方法
  • [发明专利]异质结太阳能电池及其制备方法-CN201910567120.2在审
  • 张皓;龙巍 - 君泰创新(北京)科技有限公司
  • 2019-06-27 - 2020-12-29 - H01L31/056
  • 本申请涉及一种异质结太阳能电池及其制备方法。该异质结太阳能电池包括:在硅衬底正面依次形成的第一本征钝化层、第一掺杂层、正面透明导电层,以及与正面透明导电层电连接的正面金属电极;在硅衬底背面依次形成的第二本征钝化层、第二掺杂层、背面透明导电层、反射层,以及与背面透明导电层电连接的背面金属电极;其中,反射层包括N层全电介质反射膜,N为大于等于3的奇数,并且,奇数层的全电介质反射膜的折射系数大于偶数层的全电介质反射膜的折射系数;每层全电介质反射膜的光学厚度为目标波段入射光波长的四分之一。该太阳能电池提高对长波段入射光的吸收,提高电池的短路电流密度,同时避免测试铜台反射光对电流‑电压测试造成的误差。
  • 异质结太阳能电池及其制备方法
  • [发明专利]异质结太阳能电池及其组件、制备方法-CN201910556739.3在审
  • 郁操;林洪峰;徐希翔;李沅民;徐晓华 - 君泰创新(北京)科技有限公司
  • 2019-06-25 - 2020-11-10 - H01L31/0747
  • 本申请涉及一种异质结太阳能电池及其组件、制备方法。该异质结太阳能电池包括:在硅衬底正面依次形成的第一本征钝化层、第一掺杂层、正面透明导电层,以及在正面透明导电层上的正面金属电极;在硅衬底背面依次形成的第二本征钝化层、第二掺杂层、半透半反功能层,以及在半透半反功能层上的背面金属电极;半透半反功能层包括至少一层背面透明导电层和至少一层金属层,且与第二掺杂层接触的是背面透明导电层。本申请的功能层能够使得短波(700nm)透过率大于80%且长波(900nm)反射率大于60%,从而将正面入射透过异质结太阳能电池到达硅片背表面的长波段光进行再次反射利用,提升电池的短路电流密度,电池效率达到23%以上。
  • 异质结太阳能电池及其组件制备方法
  • [发明专利]一种超薄柔性硅太阳电池-CN201910557479.1在审
  • 郁操;徐希翔;李沅民;徐晓华 - 君泰创新(北京)科技有限公司
  • 2019-06-25 - 2020-11-10 - H01L31/0216
  • 本申请涉及一种超薄柔性硅太阳电池,包括依次层叠的透明导电层、n型掺杂层、第一本征钝化层、单晶硅片、第二本征钝化层、p型掺杂层以及半透半反功能层,其中,所述半透半反功能层包括至少一层TCO材料层和至少一层金属层。本发明提供的超薄柔性硅太阳电池,通过设置半透半反功能层,其短波透过率大于80%且长波反射率大于60%,将到达硅片背表面的长波段光进行再次反射利用,提升电池的短路电流密度。半透半反功能层包含金属层,提升了光生空穴在背电极的横向收集能力,降低了电阻损失,提升了电池的FF,并最终获得了电池效率~23.4%的柔性超薄硅电池该电池的重量为5.38g,折算到每瓦电池的克重为0.95g/W。
  • 一种超薄柔性太阳电池
  • [发明专利]透明导电氧化物薄膜的制备方法-CN201811636224.6在审
  • 崔鸽;董刚强;李沅民;谭钦 - 君泰创新(北京)科技有限公司
  • 2018-12-29 - 2020-07-24 - H01L21/02
  • 本发明提供一种透明导电氧化物薄膜的制备方法,包括:按照第一预设条件按第一预设时间进行沉积,获得第一层子TCO薄膜的步骤,所述第一预设条件包括第一氧氩比;按照第二预设条件在所述第一层子TCO薄膜上按第二预设时间进行沉积,获得第二层子TCO薄膜的步骤,所述第二预设条件包括第二氧氩比,所述第二氧氩比大于所述第一氧氩比。由于沉积第二层子TCO薄膜时的氧氩比大于沉积第一层子TCO薄膜时的氧氩比,从而使使得由第一层和第二层子TCO薄膜构成的TCO薄膜能够兼顾较好的光学性能和电学性能,进而能够提高使用这种TCO薄膜的太阳能电池的光电转换效率。
  • 透明导电氧化物薄膜制备方法
  • [发明专利]硅异质结太阳能电池及其发射极和发射极的制备方法-CN201811603686.8在审
  • 龙巍 - 君泰创新(北京)科技有限公司
  • 2018-12-26 - 2020-07-03 - H01L31/0747
  • 本申请公开了一种硅异质结太阳能电池发射极。所述发射极包括:n型硅基底,所述n型硅基底具有发射极面;形成在所述发射极面上的第一本征钝化层;形成在所述第一本征钝化层上的p型硅掺杂层;以及形成在所述p型硅掺杂层上的吸附原子层;所述吸附原子层包括沉积在所述p型硅掺杂层的表面且与所述p型硅掺杂层的表面的硅原子形成正偶极矩势场的吸附原子。本申请还公开了所述硅异质结太阳能电池发射极的制备方法和一种硅异质结太阳能电池。本申请的发射极的p型硅掺杂层和TCO界面对n型硅基底的空穴的的肖特基势垒的高度较低,硅异质结太阳能电池的填充因子和转换效率较高。
  • 硅异质结太阳能电池及其发射极制备方法
  • [发明专利]硅异质结太阳能电池及其背场结构和背场结构的制备方法-CN201811603708.0在审
  • 龙巍 - 君泰创新(北京)科技有限公司
  • 2018-12-26 - 2020-07-03 - H01L31/0747
  • 本申请公开了一种硅异质结太阳能电池背场结构。所述背场结构包括:p型硅基底,所述p型硅基底具有背场面;形成在所述背场面上的第一本征钝化层;形成在所述第一本征钝化层上的p型硅掺杂层;以及形成在所述p型硅掺杂层上的吸附原子层;所述吸附原子层包括沉积在所述p型硅掺杂层的表面且与所述p型硅掺杂层的表面的硅原子形成正偶极矩势场的吸附原子。本申请还公开了所述硅异质结太阳能电池背场结构的制备方法和一种硅异质结太阳能电池。本申请的背场结构的p型硅掺杂层和TCO界面的对p型硅基底的空穴的肖特基势垒的高度较低,硅异质结太阳能电池的填充因子和转换效率较高。
  • 硅异质结太阳能电池及其结构制备方法
  • [发明专利]电池硅片承载机构及运输设备-CN201811197319.2在审
  • 唐威 - 君泰创新(北京)科技有限公司
  • 2018-10-15 - 2020-04-21 - H01L21/687
  • 本发明公开一种电池硅片承载机构及运输设备,电池硅片承载机构包括底板及多个定位挡销,所述定位挡销阵列布置在所述底板上且与所述底板连接,在底板的第一侧面上形成多个放置位,所述放置位与待承载的硅片匹配,且定位挡销设置在放置位对应于硅片的边角处,用于对所述硅片的倒角限位。该电池硅片承载机构结构简单,加工容易,利用硅片边角的原有倒角和定位挡销配合定位,使硅片间距达最小化,有效的减少了沉积面积,提高了膜层沉积的均匀性和效率,降低薄膜沉积材料的消耗,节省生产成本。而且使用过程中根据硅片来料尺寸公差可通过更改定位挡销大小调整硅片间距至最小极限间隙,提高膜层沉积均匀性和沉积效率。
  • 电池硅片承载机构运输设备

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